企业竞争图谱：2024年半导体存储模组 头豹词条报告系列

Leadleo.com 企业竞争图谱：2024年半导体存储模组头豹词条报告系列 马天奇·头豹分析师 2024-04-09未经平台授权，禁止转载版权有问题？点此投诉 制造业/计算机、通信和其他电子设备制造业/计算机制造/计算机零部件制造 信息科技/半导体 行业： 行业定义 半导体行业分为多个子行业，包括集成电路、光电… AI访谈 行业分类 按照功能性及使用的主要存储芯片类型的分类方式，… AI访谈 行业特征 半导体存储模组行业特征包括：1.NANDFlash和… AI访谈 发展历程 半导体存储模组行业目前已达到3个阶段 AI访谈 产业链分析 上游分析中游分析下游分析 AI访谈 行业规模 半导体存储模组行业规模暂无评级报告 AI访谈SIZE数据 政策梳理 半导体存储模组行业相关政策5篇 AI访谈 竞争格局 AI访谈数据图表 摘要存储器是利用磁性材料或半导体等作为介质进行信息存储的器件。半导体存储器利用半导体介质存储电荷来实现信息存储，存储与读取过程体现为电荷的贮存或释放。半导体存储器是集成电路的重要分支之一。半导体存储模组行业特征包括：1.NANDFlash和DRAM存储器占据99%市场；2.中国是存储芯片最大的终端使用地，但国产化率较低；3.行业于2023年Q4开始复苏，当前保持平稳。存储器产业的发展历程可以追溯到上世纪60年代，IBM公司的研究人员提出了用金属氧化物半导体（MOS）晶体管制作存储器芯片的设想，并成功研发出了首个DRAM。随后，随着技术的进步和市场需求的增长，存储器产业逐渐发展壮大。1984年，东芝公司的工程师首次提出了快速闪存存储器的概念，并于1988年实现了NOR闪存的批量生产，这一技术的推出标志着闪存存储器时代的开始。2006年中芯国际量产80纳米工艺的DRAM后，中国大陆的存储器企业如晋华集成、合肥长鑫、长江存储等相继成立，并取得了一系列重要的技术突破和产业化进展。存储器产业经历了从最初的DRAM到现在的3DNAND的演进过程，中国大陆存储器企业在其中扮演着愈发重要的角色。2019年—2023年，半导体存储模组行业市场规模由507.47亿美元回落至268.80亿美元，期间年复合增长率-14.69%。预计2024年—2028年，半导体存储模组行业市场规模由389.30亿美元增长至718.72亿美元，期间年复合增长率16.56%。 半导体存储模组行业定义[1] 半导体行业分为多个子行业，包括集成电路、光电器件、分立器件和传感器等。在集成电路领域，根据功能的不同，可进一步细分为存储器、逻辑电路、模拟电路和微处理器等不同的领域。根据世界半导体贸易统计 （WSTS）对世界半导体贸易规模的最新数据，2023年全球半导体市场规模达到5,201亿美元，同比2022年下降9.4%。其中存储芯片占比集成电路21%，仅次于逻辑电路的41%。存储器是利用磁性材料或半导体等作为介质 进行信息存储的器件。半导体存储器利用半导体介质存储电荷来实现信息存储，存储与读取过程体现为电荷的贮存或释放。半导体存储器是集成电路的重要分支之一。 [1]1：https://www.wsts.… 2：WSTS、江波龙 半导体存储模组行业分类[2] 按照功能性及使用的主要存储芯片类型的分类方式，半导体存储模组行业可以分为如下类别： 半导体存储模组行业基于**的分类 易失性存储 （RAM） 闪存模组，主要包含静态随机存取存储器SRAM（只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持）。和动态随机存取存储器DRAM（储存的数据就需要周期性地更新）。 半导体存储模组分类 非易失性存储 （ROM） 内存模组，主要包括可编程只读存储器PROM（其特性是一旦存储数据就无法再将之改变或删除，且内容不会因为电源关闭而消失），闪存存储器Flash（闪存是一种电子式可擦除可编程只读存储器EEPROM的形 式，允许在操作中被多次擦除或写入的存储器。它主要用于一般性数据存储，以及在电脑与其他数字产品间交换传输数据，如储存卡与U盘。早期的闪存进行一次抹除，就会清除整颗芯片上的数据）和可擦除可编程只读寄存器EPROM（可利用高电压将数据编程写入，但抹除时需将存储器芯片曝露于紫外线下一段时间，数据始可被清空，再供重复使用。因此，在封装外壳上会预留一个由石英玻璃制成的透明窗，以便进行紫外线曝光。写入程序后通常会用贴纸遮盖透明窗，以防长时间曝光过量影响数据）/EEPROM等。 [2]1：https://baike.baid… 2：https://baike.baid… 3：https://baike.baid… 4：江波龙、百度百科 半导体存储模组行业特征[3] 半导体存储模组行业特征包括：1.NANDFlash和DRAM存储器占据99%市场；2.中国是存储芯片最大的终端使用地，但国产化率较低；3.行业于2023年Q4开始复苏，当前保持平稳。 1NANDFlash和DRAM存储器占据99%市场 半导体存储市场中，DRAM和NANDFlash占据主导地位。2022年全球半导体存储器市场中DRAM占比 （按规模计）57%、Flash占比42%（其中NANDFlash占比总市场40%，NORFlash占比总市场2%）、EEPROM/EPROM/ROM/其他占比1%、SRAM占比小于1%。注：占比数据存在四舍五入。 2中国是存储芯片最大的终端使用地，但国产化率较低 根据WSTS数据，全球半导体市场主要分为四大区域，其中美洲占比25.48%、欧洲10.97%、日本9.08%、亚洲54.47%，亚洲规模排名全球第一。根据佰维存储，中国是全球存储芯片最大的终端使用市场，但国产存储芯片目前的市场份额仅不足5%，显示中国存储行业还有巨大的成长空间。 3行业于2023年Q4开始复苏，当前处于行业博弈期 在存储市场最近一轮周期变化中（2019年至2023年），经历了供需失衡、大流行冲击、供应短缺、库存积压、价格暴跌等多个阶段，最终是由原厂主动减产来结束这一波周期性波动。2023上半年行业供需失衡导致存储价格失速下滑，原厂肩负着巨额亏损的财务压力，上游集体加大减产力度并收缩供应，NAND指数从1月23日的近600下跌至7月的450以下，DRAM指数从1月23日的约700下跌至8月的500以下。2023年后期原厂通过减产（据CFM闪存市场统计，各大存储原厂NANDFlash减产幅度在30%～50%，尤其是产能占比较大的成熟制程产品）和恐慌性备货（江波龙/德明利/佰维存储23Q3存货分别较22年底增长11.1/8.5/15.6亿，较22年底增幅分别达30%/113%/80%）逐步修复财务水平（2023年Q4江波龙预计实现营收35亿元～40亿元，同比上升超过100%，归母净利润扭亏为盈，截至2024年1月2日。佰维存储在第四季度营收同样增长超过80%，环比增长超50%，毛利率回升13个百分点）。指数方面截至2024年1月2日NAND指数从最低点反弹55.6%；DRAM指数从最低点反弹14.6%。目前存储行情仍处于持续复苏过程中，原厂涨价态势明确（2023年Q4SK海力士宣布涨价，原本计划卖给厂商客户的DRAM、NANDFlash芯片合约价上调10%～20%），但由于现货需求端普遍存在一定库存，以及终端需求未见明显好转，备货需求放缓之下，近期存储现货市场普遍面临较大的成交压力。综合情况分析，当前处于复苏平稳期，短期上游资源的涨幅很难广泛传导至现货成品端（PC端需求力度不足），存储现货价格基本以持平为主。 [3]1：https://www.icinsi… 2：https://www.wsts.… 3：https://www.china… 4：https://www.china… 5：https://m.21jingji.c… 6：https://www.china… 7：ICInsights、WSTS、C… 半导体存储模组发展历程[4] 存储器产业的发展历程可以追溯到上世纪60年代，IBM公司的研究人员提出了用金属氧化物半导体 （MOS）晶体管制作存储器芯片的设想，并成功研发出了首个DRAM。随后，随着技术的进步和市场需求的增长，存储器产业逐渐发展壮大。1984年，东芝公司的工程师首次提出了快速闪存存储器的概念，并于1988年实现了NOR闪存的批量生产，这一技术的推出标志着闪存存储器时代的开始。2006年中芯国际量产80纳米工艺的DRAM后，中国大陆的存储器企业如晋华集成、合肥长鑫、长江存储等相继成立，并取得了一系列重要的技术突破和产业化进展。存储器产业经历了从最初的DRAM到现在的3DNAND的演进过程，中国大陆存储器企业在其 中扮演着愈发重要的角色。 萌芽期1956~1984 1956年，中央提出“向科学进军”的口号，把半导体、计算机、自动化和电子学这四个在国际上发展迅速而中国急需发展的高新技术列为四大紧急措施。 1959年，中国实现了硅单晶的实用化。 1963年，中国第一个半导体器件生产厂“109厂”制造出国产硅平面型晶体管。 1966年，IBM公司托马斯·沃森研究中心的研究人员提出了用金属氧化物半导体（MOS）晶体管，来制作存储器芯片的设想，同年研发成功1T/1C结构（一个晶体管加一个电容）的DRAM，并在1968年获得专利。 1968年，仙童半导体（Fairchild）推出首个DRAM，其字节只有256bit。 1969年，先进内存系统公司正式推出首款1KDRAM。 1970年，英特尔推出首款可大规模生产的1KDRAM芯片C1103，使得1bit只要1美分。 1975年，北京大学物理系半导体研究小组完成硅栅NMOS、硅栅PMOS、铝栅NMOS三种技术方案，在109厂采用硅栅NMOS技术，试制出中国大陆第一块1KDRAM。1978年，中国科学院半导体研究所成功研制4KDRAM，1979年在109厂成功投产，平均成品率达 28%。 1980年，中国科学院半导体研究所成功研制16KDRAM，1981年在109厂成功投产。 1984年，东芝公司工程师舛冈富士雄（FujioMasuoka）首先提出了快速闪存存储器（FlashMemory）的概念。 存储器模组行业处于早期萌芽阶段。当时的存储器模组存储容量较小，速度较慢，价格昂贵。 启动期1984~2006 1985年，中国科学院微电子中心成功研制64KDRAM，当年在江南无线电器材厂（742厂）成功投 产。1987年，舛冈富士雄再次提出NAND的概念。 1990年，清华大学李志坚院士研制成功具有中国独立自主版权、在性能指标上达到世界先进水平的1 兆位汉字只读存储器（1MROM）芯片。 1991年，NEC和首钢合资成立了首钢NEC（2000年后退出DRAM市场）。 1993年，无锡华晶采用2.5微米工艺制造出中国大陆第一块256KDRAM。 1994年，东芝将NAND实现产业化。 1997年，NEC和华虹集团合资成立华虹NEC（2004年后退出DRAM市场）。 2003年，中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠团队率先在中国开展相变存储器的研发。 2004年，中芯国际在北京建设中国大陆第一座12英寸晶圆厂（Fab4）。 2006年，海力士与意法半导体合资的8英寸和12英寸产线正式投产DRAM，目前已经成为SK海力士在全球最大的DRAM生产基地。同年中国科学院物理研究所韩秀峰研究组完成的“新型磁随机存取存储器（MRAM）原理型器件”通过了中科院的鉴定。 行业实现从DRAM至NANDFlash的飞速发展，中国新成立内资企业不断增加，技术接连突破。 高速发展期2006~InvalidDate 2009年，浪潮集团收购德国奇梦达西安设计公司成立西安华芯。 2011年，中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠研究组研制成功中国第一款具有自主知识产权的相变存储器（PCRAM）芯片，存储容量为8Mb。2014年，武汉新芯