清溢光电机构调研报告 调研日期:2024-01-31 深圳清溢光电股份有限公司成立于1997年,是一家专注于掩膜版研发、设计、生产和销售的企业,也是国内成立最早、规模最大的掩膜版生产企业之一。公司产品广泛应用于平板显示、半导体芯片、触控、电路板等行业,应用于下游消费电子、车载电子、人工智能、网络通信、家用电器、LED照明 、工控电子等领域。公司拥有深圳市光掩膜技术研究开发中心和广东省光掩膜工程技术研究开发中心,代表了中国掩膜版产业的领先技术水平。公司致力于成为中国掩膜版行业的领跑者,先进的掩膜版产品和服务提供商。公司位于有“南中国的硅谷”之称的深圳市高新技术产业园区。 2024-02-02 投资者关系管理总监汤鸿晶 2024-01-31 特定对象调研 深圳清溢光电股份有限公司会议室现场调研 广发基金 基金管理公司 赵古月 西南证券 证券公司 李明明 平安资管 保险资产管理公司 马继愈 国联基金 基金管理公司 陈祖睿 国投瑞银 基金管理公司 黄雪雨 信达证券 证券公司 郭一江 一、基本情况介绍 深圳清溢光电股份有限公司(证券代码:688138,证券简称:清溢光电,以下简称“公司”)成立于1997年8月,注册资本为26 ,680万元人民币,已于2019年11月20日在上海证券交易所科创板上市。公司从成立至今一直从事掩膜版的研发、设计、生产和销售业务,是国内成立最早、规模最大的掩膜版生产企业之一。 公司主要产品为掩膜版(Photomask),又称光罩、光掩膜、光刻掩膜版、掩模版等,是下游行业产品制造过程中的图形“底片”转移用的高精密工具,是承载图形设计和工艺技术等知识产权信息的载体,主要应用于平板显示、半导体芯片、触控、电路板等行业。 作为国内掩膜版行业的开拓者,公司在行业标准制定、国产化及产业链完善等方面发挥了重要作用,获得了权威机构的认可和多项荣誉。2 018年3月,公司荣获中国电子材料行业协会、中国光学电子行业协会液晶分会联合授予的“中国新型显示产业链特殊贡献奖”;20 19年7月,公司自主研发并产业化的5.5代AMOLED用掩膜版在UDE2019国际显示博览会上荣获“迪斯普大奖——显示产业链贡献”奖项;2022年6月,公司获评深圳市专精特新中小企业称号;2022年8月,公司被认定为国家级专精特新“小巨人”企业;2023年1月,公司被评为“深圳市制造业单项冠军示范企业”。 2019年上市后,公司稳步推进募投项目建设,进一步强化技术升级及精细化运营。目前主要募投项目“合肥清溢光电有限公司8.5代及以下高精度掩膜版项目”已实现AMOLED、HTM等高规产品量产。 在掩膜版国产替代的历史性机遇下,公司制定了“平板显示掩膜版+半导体芯片掩膜版”互促共进的“双翼”战略,将立足中国面向全球,进一步扩大产能、提升产品精度和品质,力争成为全球范围内掩膜版行业中产能规模较大、市场占有率较高、营业收入与利润增长较快的 行业领先者。二、问答环节 1、请问公司平板显示掩膜版产品的增长因素? 答:目前平板显示掩膜版市场的需求量较大,与下游厂商新产品的开发息息相关。平板显示掩膜版国产化率较低,国产替代也是重要的影响因素。 2、请问公司半导体方面的制程是怎样规划的? 答:半导体芯片掩膜版技术方面,公司已实现180nm工艺节点半导体芯片掩膜版的量产,已实现150nm工艺节点半导体芯片掩膜版的客户测试认证,正在推进130nm-65nm的PSM和OPC工艺的掩膜版开发和28nm半导体芯片所需的掩膜版工艺开发规划。 3、请问公司目前的工厂是怎样分布的? 答:公司目前的工厂包括深圳工厂(生产半导体芯片掩膜版及平板显示掩膜版)和合肥工厂(生产平板显示掩膜版),正在筹备佛山工厂。4、请问公司市场竞争优势主要在那些方面? 答:公司作为国内规模最大的掩膜版产品和服务提供商之一,具备各类掩膜版产品设计、研发、制造与销售能力的专业厂商,拥有优质多样的掩膜版产品线。凭借自主创新的技术研发实力、快速的订单响应速度、优质的产品及服务来满足客户需求。目前国内平板显示和半导体产业快速发展,为满足市场需求,公司不断增加产能,聚焦中高端掩膜版的技术积累和产能布局的升级调整;加大研发投入,布局中高端掩膜 版生产工艺、配套建设中高端掩膜版产线;坚持“平板显示掩膜版+半导体芯片掩膜版”互促共进的“双翼”战略,争夺并提升中高端掩膜版产品的市场份额。 与国际竞争对手相比,公司在产品交付中具有运距短、运输便捷的优势,有利于公司提高对国内客户的快速反应能力,能够为客户提供更贴身、更周到、更及时的服务。 此外,在客户后续使用产品的过程中,常常伴随着返清洗、返修、补贴膜等需求,公司本地化的服务能够更好的贴近客户的各种需求。 5、请问佛山项目的建设周期? 答:公司拟在佛山市南海区投资人民币35亿元建设佛山生产基地项目,包括“高精度掩膜版生产基地建设项目”和“高端半导体掩膜版生产基地建设项目”,项目总体建设周期为36个月,其中高精度掩膜版生产基地建设项目一期预计建设周期为24个月,高端半导体掩膜版生产基地建设项目一期建设周期为36个月。