薄膜沉积设备领军者，业绩优异长期增长确定性强

请务必阅读最后一页股票评级说明和免责声明1 公司研究/深度分析 2024年2月3日 薄膜沉积设备领军者，业绩优异长期增长确定性强 增持-A(首次) 拓荆科技（688072.SH） 半导体设备 公司近一年市场表现 市场数据：2024年2月2日 收盘价（元）： 159.66 总股本（亿股）： 1.88 流通股本（亿股）： 1.03 流通市值（亿元）： 163.93 基础数据：2023年9月30日 每股净资产（元）： 21.76 每股资本公积（元）： 17.04 每股未分配利润（元）： 3.43 资料来源：最闻 分析师：高宇洋 执业登记编码：S0760523050002邮箱：gaoyuyang@sxzq.com 徐怡然 执业登记编码：S0760522050001邮箱：xuyiran@sxzq.com 投资要点： 薄膜沉积赛道领军者，订单饱满业绩亮眼。公司聚焦薄膜沉积设备研发生产，目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜设备产品系列，广泛应用于国内集成电路逻辑芯片、存储芯片等制造产线，性能参数已达到国际同类设备水平。受益下游扩产和国产替代，公司订单饱满收入逐年提升，盈利水平拾级而上。预计2023年末在手销售订单金额超过64亿元（不含Demo订单），较上年同期增加39.07%。 薄膜沉积是半导体制造核心设备，技术壁垒高国产替代空间广阔。薄膜性能直接影响电路图形转移质量和芯片芯能，设备设计制造壁垒较高。2022年薄膜沉积设备在全球半导体设备市场中占比为22%，市场规模约为230亿美元，主要由海外厂商垄断。薄膜沉积设备国产化进程较慢，替代空间广阔。若国产化率提升至50%，对应全球千亿级设备市场规模，国内厂商未来市场空间可达30亿美元以上。 技术实力确立领先优势，产能扩充与布局拓展护航长期增长。公司设备型号丰富，广泛覆盖不同薄膜材料工艺需求，产品已适配国内最先进的28/14nm逻辑芯片、19/17nmDRAM芯片和64/128层3DNANDFLASH晶圆制造产线，及2.5D、3D先进封装和其他泛半导体领域。公司核心产品PECVD设备2022年收入占比超90%，已实现通用介质薄膜材料、先进介质薄膜材料等领域的产业化应用。公司募投扩产与研发项目，积极把握国产替代下市场扩容；布局混合键合领域，抢抓先进封装加速机遇。目前，公司晶圆对晶圆键合产品（Dione300）已实现量产，并获得复购订单；芯片对晶圆键合表面预处理产品（Pollux）已出货至客户端验证，利好长期业绩增长。公司坚持高研发投入和创新驱动，研发费率高于可比公司水平。公司股权激励计划覆盖广泛，有助绑定员工利益，考核目标设定彰显对业绩长期向好的充分信心。盈利预测、估值分析和投资建议：预计2023-2025年公司归母净利润分别为6.09/8.36/10.96亿元，同比增长65.4%/37.3%/31.1%，EPS为3.24/4.44/5.83元，对应2024年2月2日收盘价159.66元，PE为49.3/35.9/27.4倍。首次覆盖给予“增持-A”评级。 风险提示：下游恢复不及预期，市场竞争加剧，扩产及研发进展不及预期。 财务数据与估值： 会计年度 2021A 2022A 2023E 2024E 2025E 营业收入(百万元) 758 1,706 2,747 4,069 5,470 YoY(%) 74.0 125.0 61.1 48.1 34.4 净利润(百万元) 68 369 609 836 1,096 YoY(%) 696.1 438.1 65.4 37.3 31.1 毛利率(%) 44.0 49.3 49.9 50.9 52.0 EPS(摊薄/元) 0.36 1.96 3.24 4.44 5.83 ROE(%) 5.6 9.8 13.8 15.9 17.3 P/E(倍) 438.7 81.5 49.3 35.9 27.4 P/B(倍) 25.2 8.1 6.8 5.7 4.7 净利率(%) 9.0 21.6 22.2 20.6 20.0 资料来源：最闻，山西证券研究所 目录 1.薄膜沉积赛道领军者，披荆斩棘高速成长6 1.1聚焦薄膜沉积设备，产品批量出货一线晶圆厂6 1.2股权结构清晰，管理层技术履历丰厚8 1.3业绩表现亮眼，订单饱满盈利水平拾级而上9 2.半导体制造核心设备，技术壁垒高国产替代空间广阔11 2.1下游扩产拉动需求，先进制程提升设备投资额11 2.2半导体制造关键工艺，设备技术壁垒高价值占比大13 2.3自主可控趋势明确，国产替代空间广阔17 3.技术实力确立领先优势，产能扩充+布局拓展护航长期增长20 3.1工艺覆盖面广泛技术先进，客户资源稳定竞争优势明显20 3.2产能扩充利好份额提升，布局键合受益先进封装加速22 3.3重注研发坚持创新驱动，股权激励彰显发展信心23 4.盈利预测及投资建议26 5.风险提示28 图表目录 图1：公司发展历程6 图2：公司股权结构8 图3：2018-2023前三季度营业收入及增速10 图4：2021-2022年签订销售订单金额10 图5：2018-2023前三季度盈利水平10 图6：2018-2023前三季度期间费用率10 图7：全球半导体行业市场规模11 图8：全球半导体设备行业市场规模11 图9：2001-2025F全球半导体行业资本开支12 图10：2022-2024全球晶圆厂新建数量12 图11：半导体产线建设投资额占比12 图12：制造工艺升级提高产线设备投资额13 图13：半导体制造流程13 图14：半导体设备分类13 图15：2022年全球半导体设备分市场占比14 图16：2022年半导体设备分类别占比14 图17：薄膜沉积设备分类15 图18：化学气相沉积vs物理气相沉积16 图19：传统CVDvsALD16 图20：薄膜沉积在逻辑芯片应用图示16 图21：薄膜沉积在DRAM存储芯片应用图示16 图22：薄膜沉积在3DNAND存储芯片应用图示17 图23：2022年薄膜沉积设备市场份额占比17 图24：不同工艺节点薄膜沉积工序对比17 图25：3DNAND存储单元关键工艺步骤17 图26：中国大陆半导体设备行业市场规模18 图27：半导体设备进口金额18 图28：2020-2021年半导体设备招标国产占比19 图29：2021年中国CVD设备市场份额19 图30：公司主营业务收入结构21 图31：公司各系列销量情况21 图32：晶圆键合设备应用示意图23 图33：2018-2023前三季度研发支出及费用率23 图34：2018-2023前三季度可比公司研发费用率23 图35：2021-2023H1研发人员数量24 图36：2023H1研发人员学历结构24 表1：公司主要产品系列及应用领域6 表2：公司高级管理人员和核心技术人员工作经历9 表3：沉积质量衡量指标14 表4：2023年海外对华半导体制裁情况18 表5：主要半导体设备竞争格局19 表6：公司设备工艺种类及产业化应用情况20 表7：公司产品关键性能参数和先进水平21 表8：募投项目及建设情况22 表9：公司股权激励计划情况24 表10：公司分板块业务预测（单位：百万元）26 表11：可比公司估值表27 1.薄膜沉积赛道领军者，披荆斩棘高速成长 1.1聚焦薄膜沉积设备，产品批量出货一线晶圆厂 深耕半导体专用设备领域，聚焦薄膜沉积设备研发和产业化应用。公司专注于半导体薄膜沉积设备业务，自2010年成立以来始终坚持自主研发，先后多次承担国家重大科技专项/课题。公司在PECVD领域具有十余年研发和产业化经验，2011年公司首台12英寸PECVD出厂到中芯国际验证，2017年首台量产型3DNANDPECVD出厂到客户端。2016/2019/2021年公司分别完成ALD/SACVD/HDPCVD产品研发并出厂到客户端。截至2023H1末，公司薄膜沉积设备在客户端累计流片量已突破1.2亿片。 图1：公司发展历程 资料来源：招股说明书，公司官网，山西证券研究所 持续拓展薄膜工艺应用领域，产品批量出货一线晶圆厂。公司不断提升量产薄膜设备市场应用规模和覆盖面，目前已形成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD等薄膜设备产品系列，在集成电路逻辑芯片、存储芯片制造等领域得到广泛应用，产品已批量发往国内集成电路晶圆厂产线。同时，公司积极推进混合键合设备产品的产业化验证，开辟第二业务增长曲线。 表1：公司主要产品系列及应用领域 产品系列 产品型号 产品图片 应用领域 薄膜工艺 PECVD系列 PECVD PF-300T 在集成电路逻辑芯片、存储芯片制造及先进封装等领域已实现产业化应用，可实现8英寸与12英 寸PECVD设备兼容，具有高产 SiO2、SiN、TEOS、SiON、SiOC、FSG、BPSG、PSG等通用 介质薄膜材料，以及 PF-300TeX 能，低生产成本优势。 LoKⅠ、LoKⅡ、ACHM、ADCⅠ、HTN、a-Si等先进介质薄膜材料 NF-300H 在集成电路存储芯片制造领域已实现产业化应用，适用于沉积时间需求较长的薄膜工艺，如Thick TEOS介质材料薄膜。 UVCure PF-300T Upsilon 在集成电路芯片制造领域已实现产业化应用。该设备可以与PECVD成套使用，为PECVDHTN、LokII等薄膜沉积进行紫 外线固化处理。 HTN、LoKⅡ等薄膜工艺 ALD系列 PE-ALD PF-300TAstra 在集成电路逻辑芯片、存储制造及先进封装领域已实现产业化应用。 SiO2、SiN等多种介质薄膜材料 NF-300HAstra 主要应用于集成电路存储芯片制造领域，已实现产业化应用。 Thermal-ALD PF-300TAltair 主要应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片制造领域，正在进行产业化验证。 Al2O3等多种金属化合物薄膜材料 TS-300TAltair SACVD系列 PF-300TSA 在集成电路逻辑芯片、存储芯片制造领域已实现产业化应用，可实现8英寸与12英寸SACVD设备兼容。 SATEOS等介质薄膜材料 PF-300TSAF BPSG、SAF等介质薄膜材料 HDPCVD系列 PF-300T Hesper 主要应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片制造领域，已实现产业化应用。 SiO2、FSG、PSG等介质薄膜材料 TS-300S Hesper 主要应用于集成电路逻辑芯片、存储芯片制造领域，正在进行产业化验证。 混合键合系列 晶圆对晶圆键合 Dione300 主要应用于晶圆级三维集成芯片制造领域，已实现产业化应用，可实现12寸晶圆对晶圆的混合键 合和熔融键合。 - 芯片对晶圆键合表面预处理 Pollux 主要应用于晶圆级三维集成芯片制造领域，正在进行产业化验证，主要应用于晶圆及切割后芯片的 表面活化及清洗。 资料来源：2023年半年报，山西证券研究所 1.2股权结构清晰，管理层技术履历丰厚 公司股权结构清晰，国家集成电路基金为第一大股东。公司无控股股东和实际控制人，截至2023年9月30日，公司持股5%以上的股东包括国家集成电路基金、国投上海和中微公司，持股比例分别为19.86%、13.68%和7.41%。 图2：公司股权结构 资料来源：2023年三季报、半年报，山西证券研究所 管理层技术履历丰厚，集聚海内外研发管理经验。董事长、核心技术人员吕光泉博士毕业于美国加州大学圣地亚哥分校，先后任职于美国科学基金会尖端电子材料研究中心、美国诺发及多家海外公司，历任副研究员、工程技术副总裁等职。副总经理、核心技术人员陈新益博士自2013年起，在全球知名的半导体设备公司长期从事薄膜材料沉积的工艺、应用以及设备的研发工作，2020年10月加入公司，曾任公司高级总监、ALD事业部总经理。 表2：公司高级管理人员和核心技术人员工作经历 姓名 职务 学历 工作经历 吕光泉 董事长、核心技术人员 博士 先后任职于美国科学基金会尖端电子材料研究