半导体行业研究周报：存储大厂拟Q1涨价，CES有望催化半导体板块

一周行情概览：上周半导体行情落后主要指数。上周创业板指数下跌5.53%，上证综指下跌0.86%，深证综指下跌2.42%，中小板指下跌3.55%，万得全A下跌2.02%，申万半导体行业指数下跌6.31%，半导体行业指数落后主要指数。半导体各细分板块均呈现下跌态势，其中IC设计板块跌幅最大。半导体细分板块中，封测板块上周下跌5.29%，IC设计板块上周下跌7.10%，半导体材料板块上周下跌5.19%，分立器件板块上周下跌5.26%，半导体设备板块上周下跌6.85%。 行业周期当前处于底部区间，我们认为短期来看应该提高对需求端变化的敏锐度，优先复苏的品种财务报表有望优先改善，长期来看天风电子团队已覆盖的半导体蓝筹股当前已经体现出估值的较低水位，经营上持续优化迭代的公司在下一轮周期高点有望取得更好的市场份额和盈利水平。创新方面，人工智能/卫星通讯/MR将是较大的产业趋势，产业链个股有望随着技术创新的进度持续体现出主题性机会。 价格：存储价格持续上行，三星、美光正规划将DRAM价格在24Q1调涨15%-20%，存储板块或将受益。台湾电子时报报道。三星、美光等存储器大厂正规划今年第一季将DRAM价格调涨15%~20%，从1月起执行，借此催促客户提前规划未来使用需求量。存储价格持续上行，据CFM闪存市场，截至24年1月1日，NAND指数低点反弹55.6%；DRAM指数低点反弹14.6%。我们认为价格持续上行的预期会促使行业提高备货水平，加之需求复苏对出货量的带动，存储板块有望持续受益，长江存储/合肥长鑫产业链的投资机会值得关注。 供给侧：日本地震若加剧，将促进半导体材料国产替代进程。新华网报道，1月1日下午，日本石川县能登半岛发生7.6级地震，震中附近已观测到约5米高的海啸。 日本是全球半导体材料重镇，在6种主要半导体材料市场，约占全球超50%市场份额。目前看对全球产业链影响可控，若地震加剧，或震中向半导体企业集群中心转移，将对全球半导体产业链产生不利影响。供应的不确定性增加了半导体材料国产替代需求，同时半导体周期处于底部等待复苏，相关半导体材料国产公司值得关注。 MR：高通1月4日发布XR2+平台，加速MR产品迭代，安卓MR配套芯片或迎新机遇。据高通官网，第二代骁龙XR2+平台支持4.3K单眼分辨率和12路及以上并行摄像头，带来更清晰沉浸的MR和VR体验。三星和谷歌将采用第二代骁龙XR2+平台，打造领先XR体验。我们认为高通XR将加速安卓系MR产品迭代，在24年有望看到安卓系带有4K Micro OLED屏幕、低延时VST等功能的产品，相关配套芯片或迎新机遇。 AI：CES将于1月9-12日召开，或将催化半导体板块。作为CES 2024的特色主题，人工智能有望成为会议的重大亮点，AI软件和硬件解决方案的发布将促进半导体行业需求，算力芯片和边缘侧AI的机会均值得关注。 建议关注： 1）半导体设计：晶晨股份/瑞芯微/全志科技/恒玄科技/乐鑫科技/寒武纪/龙芯中科/海光信息（天风计算机覆盖）/江波龙（天风计算机联合覆盖）/北京君正/富瀚微/普冉股份/东芯股份/澜起科技/聚辰股份/帝奥微/纳芯微/圣邦股份/中颖电子/斯达半导/宏微科技/东微半导/思瑞浦/扬杰科技/新洁能/兆易创新/韦尔股份/思特威/艾为电子/卓胜微/晶丰明源/声光电科/紫光国微/复旦微电 2）半导体材料设备零部件：正帆科技（天风机械联合覆盖）/江丰电子/北方华创/新莱应材（天风机械覆盖）/华亚智能/神工股份/英杰电气/富创精密/明志科技/汉钟精机（天风机械覆盖）/国机精工（天风机械覆盖）；雅克科技/沪硅产业/华峰测控（天风机械覆盖）/上海新阳/中微公司/精测电子（天风机械联合覆盖）/长川科技（天风机械覆盖）/鼎龙股份（天风化工联合覆盖）/安集科技/拓荆科技（天风机械联合覆盖）/盛美上海/多氟多/中巨芯/清溢光电/有研新材/华特气体/南大光电/金宏气体（天风化工覆盖）/凯美特气/杭氧股份（天风机械覆盖）/和远气体 3）IDM代工封测：时代电气/士兰微/扬杰科技/闻泰科技/三安光电；华虹公司/中芯国际/长电科技/通富微电 4）卫星产业链：电科芯片/华力创通/复旦微电/北斗星通/利扬芯片 风险提示：地缘政治带来的不可预测风险，需求复苏不及预期，技术迭代不及预期 表1：供给端主要厂商动态 需求端：新能源汽车行业进入加速洗牌期。 表2：需求端主要厂商动态 热门品牌分析：MCU行情持续改善；Al相关芯片量价齐升；GPU价格回调。 表3：本周热门品牌及料号分析 3.半导体产业宏观数据：半导体销售额连续抬升，产量回升趋势明显 半导体产业宏观数据：根据SIA最新数据，10月全球半导体销售额达466.2亿元，环比增长3.9%，连续第八个月环比增长。从集成电路产量看，11月全球集成电路产量约1048亿块，同比增长19.1%；中国产量达335亿块，同比增长27.9%，产量持续回升趋势明显。 图1：半导体销售额 图2：中国集成电路产量 半导体指数走势：12月，中国半导体（SW）行业指数下降3.61%，费城半导体指数（SOX）上升12.11%。 图3：中国半导体（SW）行业指数 图4：费城半导体指数（SOX） 半导体细分板块：12月，申万指数各电子细分板块大多下跌。涨幅居前三名分别为品牌消费电子（9.54%）、消费电子零部件及组装（3.97%）和面板（1.02%）。跌幅居前三名分别为分立器件（-7.24%）、半导体材料（-6.43%）和半导体设备（-5.67%）。 2023年全年，申万指数各电子细分板块大多上涨。涨幅居前三名分别为光学元件（25.77%）、面板（23.33%）和消费电子零部件及组装（22.14%）。有所下跌的板块为分立器件（-26.47%）、半导体材料（-9.78%）、被动元件（-9.34%）、数字芯片设计（-5.44%）和模拟芯片设计（-3.84%）等。 图5：电子（申万）各版块涨跌幅（12月） 图6：电子（申万）各版块涨跌幅（2023全年） 4.芯片交期及库存：全球芯片交期逐步回归常态，需求复苏下行业重回上升周期 整体芯片交期趋势：12月，全球芯片交期逐步回归常态，需求复苏下行业重回上升周期。 图7：全球芯片平均交货周期（周） 重点芯片供应商交期：从12月各供应商看，交期缩短趋势尤为明显。其中，模拟芯片降幅较大，价格倒挂严重；DRAM和NAND等存储芯片价格持续回升；MOSFET/IGBT等功率器件改善明显；MCU价格趋于稳定。 表4：头部厂商12月交期及趋势 头部企业订单及库存情况：从企业订单看，工业/通信相关厂商需求低迷，消费类需求上升，汽车/AI等需求维持快速增长。主要厂商库存去化接近尾声，需求逐渐回升。 图8：头部厂商12月订单及库存 2023年第三季度，国际及中国台湾代工、逻辑、模拟、存储各板块公司存货周转天数同比上升，分别为91天、116天、152天和193天，分别同比+10.90%，+16.47%，+28.05%，+14.25%。 图9：国际及中国台湾主要半导体厂商存货周转天数 2023年第三季度，中国大陆IDM板块公司存货周转天数同比小幅下降，其余各环节公司存货周转天数同比增加。封测、代工、装备、IDM、材料、设计各板块公司平均存货周转天数分别为57天、153天、586天、148天、116天和253天，同比分别为+10.66%，+25.34%，+23.49%，-5.34%，+31.32%和+9.72%。 图10：中国大陆主要半导体厂商存货周转天数 5.产业链各环节景气度： 5.1.设计：库存去化效益显现，需求复苏有望带动基本面持续向好 5.1.1.存储：周期已触底反弹，NAND价格短期内或再涨50% 据CFM闪存市场数据显示，截至2024年1月1日，NAND指数从最低点反弹55.6%，全年上涨12.2%；DRAM指数从最低点反弹14.6%，全年下跌22.7%。 根据闪存市场公众号对存储行情的周度(截至2024.01.02)评述，本周上游资源方面，上游资源价格持平，NAND Flash Wafer和DDR价格暂维持不变。渠道市场方面，NAND资源成本高企，渠道倒挂行情持续，市场缓慢接受涨价，本周渠道PCIe SSD价格小幅上调，渠道内存价格持平。行业市场方面，近期行业市场未见明显变化，行业SSD及内存价格维持不变。嵌入式市场方面，本周嵌入式价格不变，供需双方均处于观望阶段。 图11：NAND价格指数 图12：DRAM价格指数 上游资源方面，年终结算及新年初始，上游资源价格持平，本周NAND Flash Wafer和DDR价格暂维持不变。 图13：FlashWafer最新报价（当前价为美元） 图14：DDR最新报价（当前价为美元） 渠道市场方面，NAND资源成本高企，渠道倒挂行情持续，市场缓慢接受涨价，本周渠道PCIe SSD价格小幅上调，渠道内存价格持平。行业市场方面，近期行业市场未见明显变化，行业SSD及内存价格维持不变。 图15：渠道市场SSD最新报价（当前价为美元） 图16：行业市场SSD最新报价（当前价为美元） 图17：渠道市场内存条最新报价（当前价为美元） 图18：行业市场内存条最新报价（当前价为美元） 嵌入式市场方面，本周嵌入式价格不变，供需双方均处于观望阶段。 图19：eMMC最新报价（当前价为美元） 图20：LPDDR最新报价（当前价为美元） 图21：UFS最新报价（当前价为美元） 图22：uMCP最新报价（当前价为美元） 图23：eMCP最新报价（当前价为美元） NVIDIA H200发布催化HBM发展：英伟达发布全新H200 GPU及更新后的GH200产品线。相比H100，H200首次搭载HBM3e，运行大模型的综合性能提升60%-90%。而新一代的GH200依旧采用CPU+GPU架构，也将为下一代AI超级计算机提供动力。HBM3E是市场上最先进的高带宽内存（HBM）产品，HBM即为高带宽内存（High Bandwidth Memory），是一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，通过增加带宽，扩展内存容量，让更大的模型，更多的参数留在离核心计算更近的地方，从而减少内存和存储解决方案带来的延迟、降低功耗。HBM的高带宽相当于把通道拓宽，让数据可以快速流通。因此面对AI大模型千亿、万亿级别的参数，服务器中负责计算的GPU几乎必须搭载HBM。英伟达创始人黄仁勋也曾表示，计算性能扩展的最大弱点是内存带宽，而HBM的应用打破了内存带宽及功耗瓶颈。在处理Meta的大语言模型Llama2（700亿参数）时，H200的推理速度比H100提高了2倍，处理高性能计算的应用程序上有20%以上的提升，采用HBM3e，完成了1.4倍内存带宽和1.8倍内存容量的升级。 HBM的制程发展：目前市场上最新HBM3E，即第5代HBM，正搭载在英伟达的产品中。 随着AI相关需求的增加，第六代高带宽存储器HBM4最早将于2026年开始量产。据韩媒报道，SK海力士已开始招聘CPU和GPU等逻辑半导体设计人员。SK海力士希望HBM4堆栈直接放置在GPU上，从而将存储器和逻辑半导体集成在同一芯片上。这不仅会改变逻辑和存储设备通常互连的方式，还会改变它们的制造方式。如果SK海力士成功，这可能会在很大程度上改变部分半导体代工的运作方式。 图24：HBM制程发展 HBM迭代进程：2024年HBM2、HBM2e和3e的市场份额会发生比较明显的改变。2023上半年主流还是HBM2e，但是因为H100的问世，下半年HBM3就成为市场主流，很快2024年就会进行到HBM3e，因为它堆叠的层数更高，所以平均单价一定要比现在再高20%-30%以上，所以它对产值的贡献会更明显。 图25：HBM比重转进（依位元计算） 2024年存储下游需求预判：对于PC、移动、汽车和工业领域大多数客户来说，存储库存已经处于或接近正常水平。数据中心客户的存储产品库存正在改善，美光预计客户