技术发展引领变革，向高密度封装迈进

【华金电子-2.5D/3D封装*125页PPT深度】技术发展引领变革，向高密度封装迈进 即芯时代系列六十七，公众号“远峰电子”已外发；封测是我国半导体相对优势环节，在高端工艺逐普及过程中，封测与制造通过中道工序融合，是未来高端半导体代工链条的发展方向，极具发展潜力【建议关注】通富、长电、华天、甬矽、伟测、芯原、北方、华峰、华海诚科、鼎龙、华封 （未上市） ①打破IC发展限制，向高密度封装迈进先进封装通过 【华金电子-2.5D/3D封装*125页PPT深度】技术发展引领变革，向高密度封装迈进 即芯时代系列六十七，公众号“远峰电子”已外发；封测是我国半导体相对优势环节，在高端工艺逐普及过程中，封测与制造通过中道工序融合，是未来高端半导体代工链条的发展方向，极具发展潜力【建议关注】通富、长电、华天、甬矽、伟测、芯原、北方、华峰、华海诚科、鼎龙、华封 （未上市） ①打破IC发展限制，向高密度封装迈进 先进封装通过更紧凑、更高级设计和制程，提供更高集成度，更小尺寸，更高性能及更低能耗芯片。 通过将多芯片堆叠，在性能与能耗上，可大幅提高信号传输速度，降低功耗；在制程上，采用如微细化焊球、超低k材料等，使得电气性能及散热有显著提升。 未来封装各类间距将进一步下降，BumpI/0间距将会缩至50-40μm，重布层线宽间将至2/2μm ②横向连接/纵向堆叠奠定先进封装基石 (1)倒装(2)重布线RDL(3)晶圆级封装(4)TSV在2.5D封装中TSV充当多颗裸片和电路板之间桥梁，其中CoWoS为2.5D突出代表，3D中TSV用于堆叠，HBM为3D封装最典型应用(5)混合键合(6)板级埋入式，与台积电CoWoS-S相比，EMIB既不需TSV也不需Si中介层，具封装良率高、成本更低等优点 ③材料与设备任重道远，制造与IDM入驻先进封装，开辟中道工艺各类半导体封装材料市场集中度较高。 日本厂占据主导，部分中国大陆厂已跻身前列（引线框架、包封材料）；国产替代方面，中国半导体封装材料国产化率约30%，其中引线框架、键合金属丝最高，达40%和30%，而陶瓷封装、芯片粘结与封装基板等仅5%-10%。 先进封装更多在晶圆层面进行，前道方式来制作后道连接电路，工艺相似性使两者设备也大致相同，倒装就要采用植球、电镀、光刻、蚀刻等前道工艺，2.5D/3D封装TSV就需光刻机、涂胶显影设备、湿法刻蚀等，使得制造与封测现中道交叉区域 ④IP复用延续摩尔定律，新建晶圆厂与产线扩产共促封测需求 Chiplet助力良率及使用面积显著性提升，较SoC成本下降；全球8寸、12寸晶圆产能有望持续提升，直接带动封装需求；Fabless纵向拓展封测领域，有望带动先进封装多元发展；各大封测厂积极扩产，为新一轮应用需求增长做好准备 内容选自外发报告《技术发展引领产业变革，向高密度封装时代迈进》风险提示：技术创新、宏观、贸易等不达预期的风险