存储专题：AI发展驱动HBM高带宽存储器放量

HBM是当前GPU存储单元理想解决方案，AI发展驱动HBM放量。HBM（高带宽存储器，HighBandwidthMemory）是由AMD和SKHynix发起的基于3D堆栈工艺的高性能DRAM，适用于高存储器带宽需求的应用场合。AI大模型的数据计算量激增，需要应用并行处理数据的GPU作为核心处理器，而“内存墙”的存在限制了GPU数据处理能力，HBM突破了内存容量与带宽瓶颈，可以为GPU提供更快的并行数据处理速度，打破“内存墙”对算力提升的桎梏，被视为GPU存储单元理想解决方案，将在AI发展中持续收益。TSV技术是HBM的核心技术之一，中微公司是TSV设备主要供应商。硅通孔技术（TSV）为连接硅晶圆两面并与硅衬底和其他通孔绝缘的电互连结构，可以穿过硅基板实现硅片内部垂直电互联，是实现2.5D、3D先进封装的关键技术之一，主要用于硅转接板、芯片三维堆叠等方面。中微公司在2010年就推出了首台TSV深孔硅刻蚀设备PrimoTSV®，提供的8英寸和12英寸硅通孔刻蚀设备，均可刻蚀孔径从低至1微米以下到几百微米的孔洞，并具有工艺协调性。ALD沉积在HBM工艺中不可或缺，雅克科技是ALD前驱体核心供应商，拓荆科技是ALD设备核心供应商。由于ALD设备可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制，在HBM中先进DRAM加工工艺和TSV加工工艺中是必不可少的工艺环节。雅克科技是国内ALD沉积主要材料前驱体供应商，公司前驱体产品供应HBM核心厂商SK海力士，High-K、硅金属前驱体产品覆盖先进1bDRAM、200层以上3DNAND以及3nm先进逻辑电路等。拓荆科技是国内ALD设备的主要供应商之一，公司PEALD产品用于沉积SiO2、SiN等介质薄膜，在客户端验证顺利；Thermal-ALD产品已完成研发，主要用于沉积Al2O3等金属化合物薄膜。HBM主要应用2.5D+3D先进集成，IC载板是转接板核心材料。

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