中小盘IPO专题：次新股说：本批华虹宏力等值得重点跟踪（2023批次23、24、25）

本批主板、科创板、创业板注册1、4、14家，其中华虹宏力值得重点跟踪本批主板、科创板、创业板注册1、4、14家。主板：荣泰电工。科创板：中巨芯、精智达、光格科技、华虹宏力。创业板：科净源、智迪科技、盟固利、福事特、敷尔佳、智信精密、君逸数码、蓝箭电子、飞南资源、舜禹水务、盘古智能、长华化学、民爆光电、盛邦安全。其中华虹宏力值得重点跟踪。 公司深耕特色晶圆代工领域，掌握多个全球领先的特色工艺技术平台，并基于此在0.35μm至 90nm 工艺节点的8英寸晶圆代工平台以及 90nm 到 55nm 工艺节点的12英寸晶圆代工平台，形成行业内特色工艺平台覆盖最全面的代工服务。其中嵌入式非易失性存储器领域，公司是全球最大的智能卡IC制造代工企业以及国内最大的MCU制造代工企业，NORD-Flash满足MCU超低静态功耗与生产效率的双重需求。功率器件领域，公司是全球产能排名第一的功率器件晶圆代工企业，也是唯一一家同时具备8英寸以及12英寸功率器件代工能力的企业，其IGBT具备大电流、小尺寸、高可靠性等优势，而超级结MOSFET的导通电阻、功率密度等均达到全球领先水平。模拟与电源管理领域，公司BCD技术工艺在国内晶圆代工行业中起步最早，并已在90纳米工艺节点上实现量产，是全球领先的模拟与电源管理芯片提供商。凭借技术水平的先进性，公司成功与超过1/3的全球前50名的设计公司开展晶圆代工合作，现已成为全球第六大、国内第二大晶圆代工厂。随着新能源车、工业控制、物联网、新一代移动通讯、数据中心等领域半导体需求快速增长，特色晶圆代工行业迎来快速发展。同时，国内MOSFET、IGBT等领域技术研发已有所突破，叠加国家政策支持、终端应用市场规模扩大，我国有望在更多细分领域实现国产替代。公司作为国内最大的特色晶圆代工厂，有望受益行业持续扩容及国产替代。 本期科创板和创业板上会36家，主板上会39家 本期科创板和创业板上会36家，过会率为94.44%。主板上会39家，过会率100.00%。本期科创板与创业板平均募资约9.61亿元。新股涨幅方面，主板1家新股上市，上市首日平均涨幅59.18%；科创板6家新股上市，上市首日平均涨幅32.19%，低于上期的40.43%；创业板9家新股上市，上市首日平均涨幅26.78%，低于上期的35.56%。 开源中小盘次新股重点跟踪组合 源杰科技（本土高速激光芯片龙头，新产品逐步放量打开成长空间）、日联科技（工业X射线智能检测装备龙头，打破微焦点X射线源海外垄断）、中船特气（国内领先的电子特种气体供应商，受益电子特种气体行业国产替代）、裕太微（国内以太网物理层芯片龙头，受益于车载以太网芯片的快速放量）、茂莱光学（工业级精密光学“小巨人”，受益于半导体国产替代和AR/VR、激光雷达的放量）、富创精密（国内半导体设备零部件龙头，充分受益于行业国产替代）。 风险提示：宏观经济风险、新股发行制度变化。 1、深次新股指数本期上涨0.43%，表现不及大盘 本期（2023年5月29日至2023年6月16日，下同）深证次新股指数上涨0.43%，表现不及上证指数（+1.89%）、沪深300指数（+2.92%）、创业板指数（+1.83%）。 新股涨幅方面，主板1家新股上市，上市首日平均涨幅59.18%；科创板6家新股上市，上市首日平均涨幅32.19%，低于上期的40.43%；创业板9家新股上市，上市首日平均涨幅26.78%，低于上期的35.56%。 图1：深次新股指数本期上涨0.43%，表现不及大盘 表1：本期主板共1家新股上市，上市首日平均涨幅59.18% 表2：本期科创板共6家新股上市，上市首日平均涨幅32.19% 表3：本期创业板共9家新股上市，上市首日平均涨幅26.78% 表4：本批主板注册新股基本面一览 表5：本批科创板注册新股基本面一览 表6：本批创业板注册新股基本面一览 表7：开源中小盘次新股重点跟踪组合 2、华虹宏力（A22632.SH） 2.1、全球领先的特色工艺晶圆代工厂，营收、归母净利快速增长 公司是全球领先的特色工艺晶圆代工厂，也是行业内特色工艺平台覆盖最全面的晶圆代工厂。公司立足于先进“特色IC+功率器件”的战略目标，以拓展特色工艺技术为基础，提供包括嵌入式/独立式非易失性存储器、功率器件、模拟与电源管理、逻辑与射频等多元化特色工艺平台的晶圆代工及配套服务。目前，公司共有3座8英寸晶圆厂和1座12英寸晶圆厂，截至2022年年底产能合计达到32.4万片/月（约当8英寸），总产能位居中国大陆第二位。凭借多元化产品矩阵及强大的生产能力，公司现已成为国内领先的晶圆代工企业。2022年公司半导体、其他产品收入分别为23.77、0.99亿元，占总收入的比重分别为96.01%、3.99%。 公司2020、2021、2022年营业收入分别为67.4、106.3、167.9亿元，CAGR为57.8%，对应归母净利润分别为5.1、16.6、30.1亿元，CAGR为144.0%。近年来，新能源汽车、工业智造、新一代移动通讯及物联网等领域的应用需求逐步加强，带动国内半导体市场规模快速提升，有力推动上游晶圆代工行业规模持续增长。同时，为满足庞大而多样化的市场需求，公司近年来持续加大产线设备投入，提升生产能力，推动公司营收规模持续增长。毛利率方面，2021年以来，公司通过新产品新技术导入、生产规模扩大、产品组合优化、产品价格提升、降本增效，有效提升公司主营业务毛利率水平，进而推动公司净利率、ROE持续增长。2020-2022年，公司毛利率分别为18.5%、28.1%、35.9%，净利率分别为0.7%、13.8%、16.2%，ROE分别为3.4%、10.3%、16.3%。 图2：华虹宏力营收、归母净利润持续增长 图3：华虹宏力毛利率、净利率、ROE持续提升 表8：华虹宏力募集资金的主要用途 2.2、公司亮点：全球领先的特色晶圆代工厂，依托国际先进技术平台打造高性能、高可靠、覆盖面广的“特色IC+功率器件”产品矩阵 依托国际先进的工艺技术平台打造高性能、高可靠、覆盖面广的“特色IC+功率器件”产品矩阵，现已成为国内最大的特色晶圆代工厂。公司深耕特色晶圆代工领域，经过二十多年的技术积累，在特色工艺晶圆代工领域掌握一系列行业领先的技术工艺。具体而言，嵌入式非易失性存储器工艺平台方面，公司自主研发的NORD-Flash单元以及相关低功耗及超低漏电嵌入式闪存工艺平台满足市场上MCU电子产品超低静态功耗与生产效率的双重需求。功率器件工艺平台方面，公司通过不断优化迭代自研IGBT技术，使得公司功率器件具备大电流、小尺寸、高可靠性等优势，而超级结MOSFET工艺平台的导通电阻、功率密度等均达到全球领先水平，相应电压范围可以涵盖200-900V，电流范围涵盖1-100A，高度契合当前热门的大功率快充电源、LED照明电源、数据中心电源及新能源汽车充电桩及车载充电机等高端应用需求。模拟与电源管理工艺平台方面，公司的模拟与电源管理平台已自主研发覆盖8英寸0.35μm-0.11μm以及12英寸 90nm - 55nm 等多代BCD工艺平台，器件种类涵盖中低压、高压以及超高压等各类产品（1.5V-700V），是全球领先的模拟与电源管理工艺技术提供商。逻辑与射频工艺平台方面，公司拥有自主开发的射频SOI工艺平台，主要包括特色逻辑射频工艺产品和图像传感器，是国内主要的射频及图像传感器技术制造方案提供商。凭借技术水平的先进性，公司拥有较高的器件丰富度，能够提供各类型低电压到高电压的器件，满足不同芯片应用的设计需求，且主要类型器件在速度、功耗、导通电阻等性能达到或接近全球领先水平。公司现已成为全球第六大、中国第二大晶圆代工厂以及国内最大的特色晶圆代工厂。其中嵌入式非易失性存储器领域，根据TrendForce及ABI Research的行业数据，公司是全球最大的智能卡IC制造代工企业，在全球SIM卡及银行IC卡、国内二代身份证及社保卡领域的市场占有率处于领先地位。功率器件领域，根据TrendForce的数据，公司是全球产能最大的功率器件晶圆代工厂，也是唯一一家同时具备8英寸以及12英寸功率器件代工能力的企业。 自研IP设计、测试等以提供晶圆代工一站式服务，与超过三分之一的全球前50名的芯片设计公司展开深度合作。公司具备提供IP定制、测试等配套服务能力，能够为客户提供一站式解决方案。具体而言，IP设计服务方面，公司为客户提供涵盖标准和定制IP开发、全定制版图设计以及匹配客户需求的产品整体解决方案的一站式服务。测试服务方面，公司为客户提供部分特色工艺产品的测试程序开发和晶圆量产测试服务，包括从产品设计时的可测试性设计、产品测试评价及量产测试系统的开发，到外协的封装测试支持的全方位测试技术解决方案。晶圆后道加工服务方面，公司具备突出的晶圆背面加工能力，特别在IGBT等功率器件工艺平台的背面加工工艺（如超薄片减薄、背面离子注入、背面激光退火、背面金属、背面光刻等）方面拥有自研专利技术，帮助产品优化电学性能。领先的技术水平、丰富的产品组合、一系列配套服务为公司带来优质的客户群体，覆盖汽车、通讯、工业、消费电子等多个终端领域，遍及全球多个国家和地区。全球排名前50名的知名设计公司中超过三分之一与公司开展晶圆代工业务合作，包括IDM和Fabless模式下的知名客户，其中多家与公司达成研发、生产环节的战略性合作。通过产品工艺的共同开发，公司的客户黏性日趋增强，与全球知名客户拥有多年的长期合作关系。 2.3、行业大观：新能源汽车、物联网等应用领域持续扩容推动全球特色晶圆代工需求快速增长，本土企业加速崛起 行业趋势：新能源汽车、物联网等应用领域持续扩容推动全球特色晶圆代工需求快速增长，本土企业加速崛起。在新能源汽车、工业控制、物联网、新一代移动通讯、数据中心等应用领域快速发展的推动下，全球半导体行业市场规模快速增长，进而带动晶圆代工需求持续增长。其中为满足市场对于半导体产品功能、性能等特性的差异化需求，IDM厂商、晶圆代工厂等企业不断研发创新晶圆制造工艺技术，逐步演进形成先进逻辑工艺、特色工艺两大晶圆制造工艺。与沿着摩尔定律不断追求晶体管缩小的先进逻辑工艺不同，特色工艺不完全追求器件的缩小，而是通过持续优化器件结构与制造工艺最大化发挥不同器件的物理特性以提升产品性能及可靠性，主要用于制造功率器件MCU、智能卡芯片、电源管理芯片、射频芯片、传感器等，广泛应用于新能源汽车、工业智造、新一代移动通讯、物联网、新能源、消费电子等众多应用领域。具体而言，功率器件领域，功率器件由最早的功率二极管、三极管、晶闸管，发展至后来的MOSFET、IGBT，体现出大功率化、高频化、集成化、低能耗与高可靠性等发展趋势。随着新能源汽车渗透率不断提升，光伏、风电、储能等新能源发电产业持续建设，功率器件迎来更广阔的市场空间。嵌入式非易失性存储器领域，智能物联产品、工业控制和新能源汽车等市场需求的快速增长带动MCU芯片的旺盛需求，而智能卡逐渐被应用于移动通讯SIM卡、社保卡、居民身份证、金融IC卡等多元领域，需求逐渐增加。模拟芯片领域，在电子化产品更加复杂以及节能减排发展趋势的影响下，电源管理类芯片、信号链类芯片两大类模拟芯片凭借其品类多、应用广的特点获得更广阔的发展空间。随着相关领域持续扩容，对应特色晶圆代工需求也将持续增长。同时，国内晶圆代工行业虽起步较晚，但在国家政策支持、本土企业技术水平提升、终端应用市场规模扩大的驱动下，国内芯片设计公司对晶圆代工服务的需求日益提升，推动国内晶圆代工行业实现快速发展。 具体而言，功率器件领域，我国已经实现功率二极管、晶闸管等传统功率器件产品的突破，具备与国外一线品牌竞争的水平实力，并且在MOSFET、IGBT等产品领域的技术研发方面也有所成就。嵌入式非易失性存储器领域，以MCU为例，随着本土企业供应链不断积累产品与市场经验，以及品牌知名度和市场认知度不断提高，叠加海外芯片公司缺货的现状，国内MCU厂商有望迎来较为快速的增长期