盛美上海：2022年年度报告
公司代码：688082公司简称：盛美上海 盛美半导体设备（上海）股份有限公司2022年年度报告 重要提示 一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、公司上市时未盈利且尚未实现盈利 □是√否 三、重大风险提示 报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析：四、风险因素”部分内容。 四、公司全体董事出席董事会会议。 五、立信会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。 六、公司负责人HUIWANG、主管会计工作负责人LISAYILUFENG及会计机构负责人（会计主管 人员）LISAYILUFENG声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 七、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 经公司第二届董事会第三次会议审议通过《关于2022年度利润分配预案的议案》，公司2022年度利润分配预案如下：截至2022年12月31日，公司总股本共433,557,100股，拟每10股派发现金红利3.72元（含税），共计派发现金红利161,283,241.20元（含税），本次利润分配现金分红金额占2022年合并报表归属于母公司股东净利润的24.13%。本次利润分配不送红股，不进行资本公积转增股本。 如在公告披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，因可转债转股、回购股份、股权激励授予股份回购注销、重大资产重组股份回购注销等致使公司总股本发生变动的，公司拟维持分配总额不变，相应调整每股分配比例。如后续总股本发生变化，将另行公告具体调整情况。 该利润分配预案尚需提交公司2022年度股东大会审议。 八、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用√不适用 九、前瞻性陈述的风险声明 √适用□不适用 本报告所涉及的公司规划、发展战略等非既成事实的前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意相关风险。 十、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况否 十一、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况否 十二、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性否 十三、其他 □适用√不适用 目录 第一节释义4 第二节公司简介和主要财务指标8 第三节管理层讨论与分析13 第四节公司治理46 第五节环境、社会责任和其他公司治理64 第六节重要事项70 第七节股份变动及股东情况91 第八节优先股相关情况100 第九节债券相关情况101 第十节财务报告102 备查文件目录 载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章的财务报表载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件经公司负责人签名的公司2022年年度报告文本原件报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正本及公告原稿 第一节释义 一、释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 常用词语释义 公司,本公司,盛美上海,盛 美半导体 指 盛美半导体设备（上海）股份有限公司 盛美无锡 指 盛美半导体设备无锡有限公司，盛美上海全资子公司 盛帷上海 指 盛帷半导体设备（上海）有限公司，盛美上海全资子公司 香港清芯 指 CleanChipTechnologiesLimited，清芯科技有限公司，盛美上海全资子公司 盛美韩国 指 ACMResearchKoreaCO.,LTD.，香港清芯的全资子公司 盛美加州 指 ACMRESEARCH(CA),INC.，香港清芯的全资子公司 盛奕科技，盛 奕半导体 指 盛奕半导体科技（无锡）有限公司，盛美上海参股公司 合肥石溪 指 合肥石溪产恒集成电路创业投资基金合伙企业（有限合伙），盛美上海参股企业 青岛聚源 指 青岛聚源芯星股权投资合伙企业（有限合伙），盛美上海参股企业 美国 ACMR，ACMR 指 ACMRESEARCH,INC.，美国NASDAQ股票市场上市公司，盛美上海控股股东 长江存储 指 长江存储科技有限责任公司，盛美上海客户 中芯国际 指 中芯国际集成电路制造有限公司，盛美上海客户 合肥长鑫 指 合肥长鑫集成电路有限责任公司，盛美上海客户 海力士 指 SKHynixInc.，盛美上海客户 华虹集团 指 上海华虹（集团）有限公司，盛美上海客户 长电科技 指 江苏长电科技股份有限公司，盛美上海客户 通富微电 指 通富微电子股份有限公司，盛美上海客户 台湾合晶科技 指 合晶科技股份有限公司，盛美上海客户 NINEBELL 指 NINEBELLCO.,LTD.，盛美上海供应商 DNS 指 SCREENHoldingsCo.,Ltd. TEL 指 TOKYOELECTRONLTD. LAM 指 LAMRESEARCHCORPORATION SEMES 指 SEMESCo.Ltd. 北方华创 指 北方华创科技集团股份有限公司 芯源微 指 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 至纯科技 指 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 中微公司 指 中微半导体设备（上海）股份有限公司 ASML 指 ASMLHoldingN.V. KLA 指 KLACORPORATION Applied Materials 指 AppliedMaterials,Inc. NASDAQ 指 NationalAssociationofSecuritiesDealersAutomatedQuotations，美国纳斯达克股票市场 半导体 指 常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，按照制造技术可分为集成电路（IC）、分立器件、光电子和传感器，可广泛应用于下游通信、计算机、消费电子、网络技术、汽车及航空航天等产业 硅片 指 SiliconWafer，半导体级硅片，用于集成电路、分立器件、传感器等半导体产品制造 IC、集成电路 指 IntegratedCircuit，指通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻器、电容器等无源原件按一定的电路互联并集成在半导体晶片上，封装在一个外壳内，执行特定功能的电路或系统 晶圆 指 在氧化/扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、清洗与抛光、金属化等特定工艺加工过程中的硅片 晶圆厂 指 通过一系列特定的加工工艺，在硅片上加工制造半导体器件的生产厂商 芯片 指 集成电路的载体，也是集成电路经过设计、制造、封装、测试后的结果 图形晶圆 指 表面带图案结构的晶圆 晶圆制造、芯 片制造 指 将通过一系列特定的加工工艺，将半导体硅片加工制造成芯片的过程，分为前道晶圆制造和后道封装测试。 存储器 指 电子系统中的记忆设备，用来存放程序和数据 功率器件 指 用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件 NAND闪存 指 快闪记忆体/资料储存型闪存 5G 指 5th-Generation，即第五代移动电话行动通信标准 光刻 指 利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术 刻蚀 指 用化学或物理方法有选择地在硅表面去除不需要的材料的过程，是与光刻相联系的图形化处理的一种主要工艺，是半导体制造工艺的关键步骤 涂胶 指 将光刻胶均匀涂覆到晶圆表面的过程 显影 指 将曝光完成的晶圆进行成像的过程，通过这个过程，成像在光阻上的图形被显现出来 CVD 指 ChemicalVaporDeposition，化学气相沉积 PECVD 指 PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition（等离子体增强化学气相沉积），是CVD的一种，在沉积室利用辉光放电使其电离后在衬底上进行化学反应沉积的半导体薄膜材料制备和其他材料薄膜的制备方法 LPCVD 指 LowPressureChemicalVaporDeposition，低压力化学气相沉积 ALD 指 AtomicLayerDeposition，原子层沉积，是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法 DRAM 指 DynamicRandomAccessMemory，动态随机存取存储器 SFP 指 StressFreePolish，无应力抛光技术，该技术利用电化学反应原理，在抛除晶圆表面金属膜的过程中，摒弃抛光过程的机械压力，根除机械压力对金属布线的损伤 低k电介质 指 集成电路内部由于层间电介质（InterLayerDielectrics)存在，会产生寄生电容。使用低k电介质作为层间电介质，可以有效地降低互连线之间的分布电容，从而提升芯片总体性能。 良率 指 被测试电路经过全部测试流程后，测试结果为良品的电路数量占据全部被测试电路数量的比例 前道、后道 指 芯片制造分为前道和后道工艺，前道主要是光刻、刻蚀、清洗、离子注入、化学机械平坦等；后道主要有打线、Bonder、FCB、BGA植球、检查、测试等 封装 指 封装技术的定义为，在半导体开发的最后阶段，将一小块材料（如芯片）包裹在支撑外壳中，以防止物理损坏和腐蚀，并允许芯片连接到电路板的工艺技术 先进封装 指 处于前沿的封装形式和技术。目前，带有倒装芯片（FC）结构的封装、圆片级封装（WLP）、系统级封装（SiP）、2.5D封装、3D封装等均被认为属于先进封装范畴 晶圆级封装 指 晶圆级封装（Waferlevelpackaging）将封装尺寸减小至集成电路芯片大 （WLP） 小，以及它可以晶圆形式成批加工制作，使封装降低成本 凸块下金属、 UBM 指 UBM是焊盘和焊球之间的金属过渡层，位于圆片钝化层的上部。UBM与圆片上的金属化层有着非常好的粘附特性，与焊料球之间也有着良好的润湿特性，在焊球与IC金属焊盘之间作为焊料的扩散层。UBM作为氧化阻挡层还起着保护芯片的作用 UBM/RDL技 术 指 凸点底层金属/薄膜再分布技术，可以在去除阻挡层和种子层的同时尽量减少底切，控制和精确监测刻蚀步骤完成的时间，从而减少底切并保证临界特征（线或凸点）尺寸 PillarBump 指 柱状凸块 FinFET 指 FinField-EffectTransistor，鳍式场效应晶体管，是一种新的互补式金氧半导体晶体管，可以改善电路控制并减少漏电流，缩短晶体管的栅长 IPA干燥 指 利用异丙醇（IPA）的低表面张力和易挥发的特性，取代硅片表面的具有较高表面张力的水分，然后用氮气吹干，达到彻底干燥硅片水膜的目的 i-line 指 一种以紫外光（汞灯）为光源、光波长为365nm、应用技术节点为0.35-0.25μm的光刻工艺 KrF 指 一种以深紫外（DUV）为光源、光波长为248nm、应用技术节点为0.25-0.13μm的光刻工艺 ArF 指 一种以深紫外（DUV）为光源、光波长为193nm、应用技术节点为0.13μm-7nm的光刻工艺 TSV 指 ThroughSiliconVias，穿过硅片通道，通过硅通孔（TSV）铜互连的立体（3D）垂直整合，目前被认为是半导体行业最先进的技术之一 CMP 指 ChemicalMechanicalPolishing，化学机械抛光，使晶圆表面保持完全平坦或进行平坦化处理 Fan-Out、扇出式 指 基于晶圆重构技术，将芯片重新埋置到晶圆上，然后按照与标准WLP工艺类似的步骤进行封装，得到的实际封装面积要大于芯片面积，在面积扩展的同时也可以增加其它有源器件及无源元件形成SIP 伯努利卡盘 指 在晶圆清洗时，利用伯努利空气动力学悬浮原理，把晶圆吸在夹盘上的装置 SAPS清洗技术 指 SpaceAlternativePhaseShift，空间交替相移技术，利用兆声波的交替相，在微观水平上以高度均匀的方式向平板和图案化的晶圆表面提供兆声波能量，有效地去除整个晶圆上的随机缺陷，并减少化学药品的使用 TEBO清洗技术 指 TimelyEnergizedBubbleOscillatio
