wolfspeed专家谈碳化硅交流会议–20220908

Wolfspeed专家谈碳化硅交流会议Q：我们看到之前碳化硅整体需求并不紧张，在车上还米有IGBT紧张，为何最近碳化硅的热度一下子起的这么快，是需求带动？ 那么这个趋势会成为长期趋势吗？ A：主要是炒作的结果，一是一年过去了市场预期SiC产能应该释放了，二是SiC算是新车上的一个重要的噱头，三是许多公司发布新闻稿、调研等炒作热点，四是近期Wolfspeed发布业绩报增长超预期，市场认为SiC的渗透率和规模即将进入增长期。 其实SiC应用于汽车的体量和结构都是符合预期的，工业、新能源方面反而有些超预期。 Q：汽车上IGBT需求量要大于SiC的原因是？ A：一方面，2021年SiC全球市场约10亿美金，其中仅2-3亿是使用在车上的，整体市场规模与IGBT等相去甚远；另一方面，对于车企来说，要先达成电动车对燃油车的完全替代，然后才会考虑IGBT换成SiC来降本增效。 Q：考虑到SiC的产能和成本，目前大部分车使用IGBT，少部分使用SiC的格局是否会延续？ A：全球目前SIC的总量其实不大，大概在10亿美金，而车用占比20-30%，且主要以Tesla为主国内和美国、欧洲等市场SIC上车的情况中国美国目前看到SiC市场火热主要还是被炒起来的，存在泡沫，以Wolfspeed举例，最近一个财年SiC产品占不到10%，下一财年目标15%，每年保持5-10%的营收占比增长。 对于SiC汽车来说，2024-2025年是真正需要关注的时间点。Q：车规SiC二极管情况如何？ A：Wolfspeed在车规SiC二极管方面出货量不大，一是由于公司在车规产品上较为劣势，二是车规产品并非公司专注方面。 Wolfspeed在SiC上主要做几方面，一是衬底和外延；二是射频，客户是华为中兴等；三是做器件，其中工控二极管和MOS管占比较高，主要用于光伏、充电桩、服务器电源等，这部分国内许多厂商如泰科天润、三安光电、瑞能半导体等都可以做，二极管方面国内同国外基本没有差距，而汽车上最主要使用SiC的是组逆变器，其中用MOS管居多，SiC二极管则是在OBC、DCDC中较老的6.6kw/3.3kw的设计中使用，结构是SiC二极管 +IGBT/超结MOS，整体出货量级不大（比如6.6kw出货量几百万，每台用2-3个二极管），单价也不高，国内主要就三安在做。Q：SiC二极管价格是否下跌严重？ A：是的，欧美市场上二极管价格1A对应xx-xx元，汽车上能做到xx元以上，大概两三年前Wolfspeed曾将价格降到1Axx元左右。而国内厂商能做到1Axx-xx左右，工业的甚至xx-xx元。 所以未来国产二极管的情况逐渐与FRD趋同，想要盈利主要看规模、工厂的控制、良率。 Q：Wolfspeed的SiC衬底价格？ A：大客户衬底是x美金，小客户是x美金，但去年的情况是小客户有钱也买不到。 近期有传言说Cree的衬底价格至x美金，是有可信度的，原因一是公司衬底/外延80%以上都是供给长单，长单在价格上有让步很正常；二是去年由于疫情、封锁令等因素导致没有满产，现在6寸产能开始爬坡；三是公司器件能力较弱，自己的Fab无法生产出更多器件来提高margin，只能卖出。 xxx美金作为benchmark较为合理，国内三安、天岳也都是以这个价格做基准的。Q：SiC衬底和外延不断降价，未来国产厂商是否没有生存空间？ A：一是中美关系无法缓和，二是Wolfspeed的CEO出席了芯片法案的签署，包括在其他场景的发言，都反映出Wolfspeed并不青睐中国市场，其在中国区营收占比15%，目标是降到10%以下。 目前欧美日韩的电动车规模还未起来，故需要中国区支撑营收，未来一旦欧美日韩的市场迅速扩张，Wolfspeed对于中国区的出货势必大幅缩减。 因此，海外企业的断供可能才是国产替代真正的核心逻辑，未来即便SiC衬底/外延的盈利空间逐渐变小，国内厂商也一定会有数家存活下来，保证国产供应。 公众号：思维纪要社；更多纪要请加V：xian20210130Q：未来仅做SiC材料是否生存压力大？厂商是否需要都向IDM发展？A：做材料方面确实生存压力大，但当中美矛盾爆发时，总需要几家可以自己供给的厂商。 乐观估计这部分国内能有3-5家厂商存活下去。 目前国内厂商中，天科合达做导电型，天岳先进做半绝缘型，双方都想向对方领域渗透。 其他厂商中，晶盛，市场更期待它未来能做到的产能，露笑、东尼、天域等或产能不够或质量不够好，未来还需在竞争中证明自己。 未来国内SiC市场格局预测衬底外延器件3-5家，其中3家数量2-3家3-5家占绝大部分天科合达，天岳先进较为领先，其余受到上有衬2-3家创业公公司情况晶盛、露笑、东底或下游器司，2-3家原本尼、天域等存在机件厂的挤压做硅做IGBT的会Q：MohawkValleyFab的产能爬坡进度？ A：迅速上量至少要到23年中期了，原计划22年4月开业7月开始正常产出，现在已经延期至22年底或23年初开始产出了，目前有送样片到车企做同步验证，后续产能爬坡稳定良率等至少需要一年左右。 24财年Wolfspeed的规划是做到十亿美元营收，其中3.5亿是材料，1.5亿是射频，5亿是器件，8寸新工厂的贡献预计只有4、5千万，占 4%-5%。 Q：平面型与沟槽型的区别点？Wolfspeed的技术难点主要在？ A：平面型稳定性和可靠性较优，价格偏贵，Trench型风险相对高一点，但成本较低。 Cree目前做到3代、3代半，预计第6代或第7代才会考虑做Trench，市场上有声音说Cree是技术不行做不好Trench，其实Cree相对谨慎，自身车规器件能力较弱，所以选择稳定性更高的平面型，然后通过工艺、产线改进来进一步压榨平面型的性能（每平方厘米Rds(ON)的数值），因为Cree掌握着衬底和外延的优势，再做几代平面型也来的及。 对于英飞凌和罗姆来说，他们并不掌握核心材料，所以需要加速Trench型的技术进度。 而安森美、ST这些晚入场碳化硅的公司，选择了在平面型上迭代，目前每平方厘米的Rds(ON)数值已经低于Cree，说明了他们的产品性能并不比英飞凌、罗姆的Trench高，但迭代速度较快，且在汽车方面的knowhow积累要高于Cree。 Q：如何看待天岳衬底销售给海外？A：它的订单是导电型，如果要出到海外那推测可能是供给博世，但具体做MOS管还是二极管等是未知的。送样合格通过与能够销售海外并无联系，能够长期供给还是要看良率和产量的问题。 天岳在山东的产线各方面可能已经合格了，但现在相当于要把山东的产线经验再搬到临港去，这几乎等于是拿未来两年去赌，结果暂时看不清。 Q：客户角度如何选取长期供应商？A：一是上市公司，各方面较为可控；二是送来的样品性能参数合格；三是审核其产线工厂等均合格。对于客户来讲并不在乎对方的良率等问题，只要最后供货是客户想要的东西就好。Q：封装上采用DBC还是AMB载板的区别？ A：两者都主要应用于模块，目前DBC尚未全面铺开，未来DBC应该是主流，AMB在DBC无法解决的场景出现，部分高端替代，作为提高散热、优化性能的路径之一，非必须，相对来说市场空间较窄。 用AMB来代替DBC主要是提高散热系数，但为了提高散热不一定非要用陶瓷，可以用氧化铝、氮化铝，还可以在其上覆铜、覆铝等，AMB只是 TIM（热介质材料）之一。 Q：前面提到安森美、ST产品的导通电阻已经低于Cree，数据来源是？A：公开数据来看，Cree是3.1，安森美、ST是3.4-3.6。 数据来源主要是通过客户透露，以及同国产厂商聊过的信息，安森美、ST最新能做到2.4-2.8，不过这可能是停留在研发阶段，暂未量产。 Q：Wolfspeed与斯达半导的战略合作，提供的产能情况如何？A：两年到两年半，供x万片。 斯达的产线规划是从xxxx开始到xxxx上半年。Q：外延设备方面，主要的LPE和Nuflare，Wolfspeed有应用他们的设备么？A：Wolfspeed主要合作的是Aixtron。 6寸的设备不是Aixtron的，是购买的LPE或是别家的，8寸的购买了一台Aixtron行星式的，6片还是8片一起工作的MOCVD，存在外延层厚度不完全均匀的问题，Wolfspeed和Aixtron的人在联合攻关这个问题，技术上是可解的。 Wolfspeed在外延方面，水平的、垂直的、行星式的都有探索，目前没有找国内企业做外延的可能性。Q：未来SiC厂商，IDM、纯设计公司的发展会如何？ A：未来SiC的业态会与目前IGBT的业态相似，市场整体不够广阔，IDM和Fabless都有出来的可能性。Q：目前SiC市场结构和5年后的推测情况？ A：目前车占20-30%，光伏储能占大头。 5年后，50-60%会是车，20-30%是光伏储能，10-20%是充电桩再加上数据中心、通信电源等。 光伏储能虽然近期比较火热，但考虑到碳中和进度等其他因素，未来占20-30%已经是接近上限了。 如果汽车行业不起来，光伏储能充电桩之类的对于SiC市场空间的支撑差很多，那样SiC与Si的互卷会更加严重。 Q：光伏储能方面的SiC主要应用场景是什么？A：地面电站，家用、工商用的光伏逆变等，以前多使用SiC二极管，现在SiCMOS逐渐起量。系统内部，升压部分MTTP，DCAC，ACDC，DCDC都可以用，主要看厂商规划。Q：未来汽车部分占到50-60%的成长空间主要在哪里？ A：未来电动车400V仍会存在，主要是特斯拉，但900V-1200V的应用，也就是所谓的电动车800V平台才是未来成长的核心内驱力。目前，比亚迪的汉和小鹏的G9用的1200V的，而蔚来则选择了安森美的900V方案，结果来看蔚来的选择是聪明的。 因为SiC在车上的应用还在起步阶段，验证不够。 综合来看，SiC在车上的应用还是只有特斯拉一家验证过，所以对于SiC的应用可靠性还是需要保留一定的疑虑。