至纯科技：2022年半年度报告

公司代码：603690公司简称：至纯科技 上海至纯洁净系统科技股份有限公司2022年半年度报告 重要提示 一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、公司全体董事出席董事会会议。 三、本半年度报告未经审计。 四、公司负责人蒋渊、主管会计工作负责人陆磊及会计机构负责人（会计主管人员）陆磊声明： 保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 五、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司半年度不进行现金分红、送股、资本公积金转增股本。 六、前瞻性陈述的风险声明 √适用□不适用 本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。 七、是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况 否 八、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？ 否 九、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十、重大风险提示 报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在本报告中详细描述可能面对的相关风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“五、其他披露事项”相关内容。 十一、其他 □适用√不适用 目录 第一节释义4 第二节公司简介和主要财务指标5 第三节管理层讨论与分析8 第四节公司治理20 第五节环境与社会责任22 第六节重要事项26 第七节股份变动及股东情况40 第八节优先股相关情况45 第九节债券相关情况45 第十节财务报告46 备查文件目录 载有法定代表人、财务总监、会计机构负责人签名并盖章的财务报表报告期内在中国证监会指定报纸（上海证券报、证券时报、中国证券报）上公开披露过的所有公司文件的正文及公告文稿 第一节释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 常用词语释义公司、本公司、至纯科技 指 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 证监会 指 中国证券监督管理委员会 上交所 指 上海证券交易所 本报告期、本期、2022年半年度 指 2022年1月1日至2022年6月30日 上年同期、上期、2021年半年度 指 2021年1月1日至2021年6月30日 本报告期末、本期期末 指 2022年6月30日 上年度末、上年期末 指 2021年12月31日 元、万元、亿元 指 人民币元、人民币万元、人民币亿元，法定流通货币 尚纯投资 指 共青城尚纯科技产业投资合伙企业(有限合伙) 平湖合波 指 平湖合波投资管理合伙企业（有限合伙） 平湖波威 指 平湖波威投资管理合伙企业（有限合伙） 上海蒲锐迪 指 上海蒲锐迪投资合伙企业（有限合伙） 颀瑞投资 指 井冈山颀瑞投资合伙企业（有限合伙） 海丝民和 指 青岛海丝民和股权投资基金企业（有限合伙） 至微半导体 指 至微半导体（上海）有限公司 波汇科技 指 上海波汇科技有限公司 先进制程 指 28纳米、14纳米、7纳米制程 高纯工艺 指 泛半导体（集成电路、平板显示、光伏、LED等）、生物制药等先进制造业的产品生产工艺中以不纯物控制技术为核心的工艺 清洗 指 贯穿半导体制造的重要环节，用于清洗原材料及每个步骤中半成品上可能存在的杂质，避免杂质影响成品质量和下游产品性能 刻蚀 指 半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤，是与光刻相联系的图形化处理的一种主要工艺 光刻 指 利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术 晶圆 指 硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，形状为圆形 高纯介质 指 高纯气体、高纯化学品、高纯水等介质 CVD 指 化学气相沉积，指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应 室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。在超大规模集成电路中很多薄膜都是采用CVD方法制备 IC 指 集成电路，是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，并按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路 光纤 指 一种利用在玻璃或塑料制成的纤维中的光全反射原理而形成的光传导纤维结构。通常，光纤的一端的发射装置使用发光二极管（lightemittingdiode,LED）或激光二极管（laserdiode,LD）将光脉冲传送至光纤，光纤的另一端的接收装置使用光二极管（photodiode,PD）检测光脉冲 第二节公司简介和主要财务指标 一、公司信息 公司的中文名称 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 公司的中文简称 至纯科技 公司的外文名称 PNCProcessSystemsCo.,Ltd 公司的外文名称缩写 PNC 公司的法定代表人 蒋渊 二、联系人和联系方式 董事会秘书 证券事务代表 姓名 蒋渊（代） 张娟 联系地址 上海市闵行区紫海路170号 上海市闵行区紫海路170号 电话 021-80238290 021-80238290 传真 021-34292299 021-34292299 电子信箱 dong_ban@pncs.cn dong_ban@pncs.cn 三、基本情况变更简介 公司注册地址 上海市闵行区紫海路170号 公司注册地址的历史变更情况 无 公司办公地址 上海市闵行区紫海路170号 公司办公地址的邮政编码 200241 公司网址 www.pncs.cn 电子信箱 dong_ban@pncs.cn 报告期内变更情况查询索引 报告期内未发生变更 四、信息披露及备置地点变更情况简介 公司选定的信息披露报纸名称 上海证券报、中国证券报、证券时报 登载半年度报告的网站地址 www.sse.com.cn 公司半年度报告备置地点 上海市闵行区紫海路170号 报告期内变更情况查询索引 报告期内未发生变更 五、公司股票简况 股票种类 股票上市交易所 股票简称 股票代码 变更前股票简称 A股 上海证券交易所 至纯科技 603690 不适用 六、其他有关资料 □适用√不适用 七、公司主要会计数据和财务指标(一)主要会计数据 单位：元币种：人民币 主要会计数据 本报告期（1－6月） 上年同期 本报告期比上年同期增减(%) 营业收入 1,119,931,790.52 920,476,042.92 21.67 归属于上市公司股东的净利润 81,358,912.96 150,450,045.52 -45.92 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 97,261,547.63 42,635,252.21 128.12 经营活动产生的现金流量净额 -449,141,498.90 -169,727,841.62 不适用 本报告期末 上年度末 本报告期末比上年度末增减(%) 归属于上市公司股东的净资产 4,155,861,193.40 4,066,221,927.32 2.20 总资产 8,612,541,489.92 7,933,017,527.63 8.57 (二)主要财务指标 主要财务指标 本报告期（1－6月） 上年同期 本报告期比上年同期增减(%) 基本每股收益（元／股） 0.256 0.478 -46.44 稀释每股收益（元／股） 0.256 0.477 -46.33 扣除非经常性损益后的基本每股收益（元／股） 0.306 0.135 126.67 加权平均净资产收益率（%） 1.98 4.41 减少2.43个百分点 扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率（%） 2.37 1.25 增加1.12个百分点 公司主要会计数据和财务指标的说明 √适用□不适用 报告期内归属于上市公司股东的净利润同比下降45.92%，主要系上年度公司收到的包括政府补助及公允价值调整较本期金额较大所致。 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润增加128.12%，主要系公司半导体设备业务增长所致； 基本每股收益、稀释每股收益较上年同期分别下降46.44%、46.33%，主要系上年度公司收到的包括政府补助及公允价值调整较本期金额较大，本期公司归属于上市公司股东的净利润下降所致； 扣除非经常性损益后的基本每股收益增加126.67%，主要系本期公司归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润增加所致。 八、境内外会计准则下会计数据差异 □适用√不适用 九、非经常性损益项目和金额 √适用□不适用 单位:元币种:人民币 非经常性损益项目 金额 附注（如适用） 非流动资产处置损益 171,771.25 计入当期损益的政府补助，但与公司正常经营业务密切相关，符合国家政策规定、按照一定标准定额或定量持续享受的政府补助除外 3,653,189.71 除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外，持有交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债产生的公允价值变动损益，以及处置交易性金融资产、衍生金融资产、交易性金融负债、衍生金融负债和其他债权投资取得的投资收益 -23,016,766.59 除上述各项之外的其他营业外收入和支出 588,059.23 减：所得税影响额 -2,926,577.94 少数股东权益影响额（税后） 225,466.21 合计 -15,902,634.67 将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项目的情况说明 □适用√不适用 十、其他 □适用√不适用 第三节管理层讨论与分析 一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明 公司的主营业务主要包括半导体制程设备、工艺支持设备的研发和生产销售，以及由此衍生的高纯工艺系统建设、电子材料、部件清洗及晶圆再生等服务。 1、制程设备 半导体设备是半导体技术迭代的基石，是半导体产业的发动机。芯片的制造过程可以分为前道工艺和后道工艺。前道工艺设备投资占总设备投资的80%以上。公司提供前道工艺设备中的湿法设备，包含湿法槽式清洗设备及湿法单片式清洗设备，应用于集成电路制造领域。 随着半导体芯片工艺技术的发展，工艺技术节点进入先进制程，随着工艺流程的延长且越趋复杂，每个晶片在整个制造过程中需要超过200道清洗步骤，晶圆清洗变得更加复杂、重要及富有挑战性；清洗设备及工艺也必须推陈出新，使用新的物理和化学原理，在满足使用者的工艺需求条件下，兼顾降低晶圆清洗成本和环境保护。 公司湿法工艺设备所部署的技术路线：提供槽式设备及单片式设备覆盖目前国内产线成熟工艺及先进工艺涉及的全部湿法工艺。公司提供的湿法设备可以应用在先进工艺上，主要为存储 （DRAM，3DFlash）、先进逻辑产品，还覆盖一些特殊工艺，例如薄片工艺、化合物半导体、金属剥离制程等。 在技术储备上，公司将持续投入资源开发符合产业进一步发展所需的高阶工艺设备（如多反应腔-18腔，超临界清洗等）。 公司的湿法工艺设备的子系统包含工艺腔体系统、传送系统、自动控制系统、通信系统、传感控制系统、流场设计、药液循环系统、温控系统、反应药液回收环设计等。 产品系列 产品图片 应用领域 技术特点 单片清洗设备 S300-HS 覆盖40-7nm制程，重点应用于去胶清洗、离子注入后清洗、化学研磨后清洗、镍铂金属去除等工艺 高温硫酸回收，有助于节约客户成本高温/高浓度化学品稳定应用高稳定化学品混配系统 反应腔模组化设计高洁精度零部 S300-BS 可覆盖全制程晶背清洗需求 特有的晶圆翻转系统 良好的晶背刻蚀均匀性 S300-CL 覆盖40-28nm制程，重点应用于接触孔清洗、炉管前清洗、薄膜沉积前后清洗等工艺 更好的机械设计，缩短等待时间通过化学品回收有效为客户降低运营成本工艺可随世代提升的显著优势 S300-SV 覆盖90-7nm制程，重点应用于后段有机物清洗及高介电常数金属清洗工艺 高稳定