【长江机械】第四届异质结&钙钛矿交流大会要点一(持续更新)! 1、正表面微晶掺氧、背表面非晶,今年全面进入产业化,效率达到25%。 下一步,背表面P层也做成微晶或纳米晶,效率可进一步提升0.5%,预计今年底或明年初量产。 金属化工艺铜电镀是未来技术,分两步走,先在HJT背表面做成全铜,解决电镀问题;之后做双面铜栅线。铜替代银后,会继续进行铟替代,最后做到无铟、无银。 再往后是HBC。 2、硅片减薄:HJT最适合薄片化,现在硅片厚度到90μm、80μm,HJT效率才会明显下降,跟PERC比有优势。高开路电压和较好的钝化效果可以抵消薄片化带来的开路电流下降。 今年晚点或明年初,华晟将导入130μm,目前实验的130/135μm厚度电池片在组件端功率反而会提升。金刚玻璃硅片厚度降到130μm,对印刷和碎片率没有大的影响。 3、银浆降耗:主要是电镀铜、银包铜替代、激光转印、SWCT等方法。今年HJT银浆耗量已降到140mg/片,可进一步降到120-130mg/片。金刚玻璃银包铜可靠性收尾,Q4会应用。 4、电镀铜:传统光刻技术,干膜+光刻+种子层+镀铜,成本较高。 现在华晟方案是种子层之上用丝印代替光刻,栅线部分印光刻胶膜做遮挡,上面再镀二氧化硅层,然后用有机溶剂祛除光刻胶膜,露出种子层,再在种子层上镀铜。 现在Sun Drive开发直接在ITO镀铜,但技术困难。 5、ITO优化:在ITO上面做氮化硅盖帽层,来减少ITO用量。 1)ITO没必要那么厚,可以用氮化硅来弥补减反。 2)用AZO,单用不行,要在AZO上镀ITO或氮化硅,效率与ITO接近。 6、紫外光衰问题用高截止膜解决,或用转换膜(把紫外光变成可见光),相比高截止膜功率多5-6W,加反光条设计,功率再高3-5W。现在M6&72片组件基准功率为475W,后续可超过500W。 7、HBC:现在做的少,TBC(爱旭和隆基)率先发展。 微晶硅的横向导电性很差,不用把P型和N型的非晶硅或纳米硅隔开,在N型上面做一层P型,存在复合导电现象。国外研究较多,比如德国的斑马技术,松下和夏普的方案难度很大。 从流程看,BC类电池简化后的产业化流程也有17、18步,比HJT的4-5步多很多,更复杂。 8、华晟目前最好批次的平均效率达25.4%、单片最高效率超25.6%,严格的标准效率是24.5%,2-3个月会调试更高。