华润微：华润微：2022年半年度报告

公司代码：688396公司简称：华润微 华润微电子有限公司2022年半年度报告 重要提示 一、本公司董事会及董事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、重大风险提示 公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险，敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”中的“五、风险因素”。 三、公司全体董事出席董事会会议。 四、本半年度报告未经审计。 五、公司负责人李虹、主管会计工作负责人吴国屹及会计机构负责人（会计主管人员）吴从韵声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无 七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 √适用□不适用 公司治理特殊安排情况： √本公司为红筹企业 □本公司存在协议控制架构 □本公司存在表决权差异安排 公司为一家根据《开曼群岛公司法》设立的公司，公司治理模式与适用中国法律、法规及规范性文件的一般A股上市公司的公司治理模式存在一定差异。 八、前瞻性陈述的风险声明 √适用□不适用 本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。 九、是否存在被控股股东及其关联方非经营性占用资金情况 否 十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？ 否 十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十二、其他 □适用√不适用 目录 第一节释义4 第二节公司简介和主要财务指标8 第三节管理层讨论与分析12 第四节公司治理36 第五节环境与社会责任38 第六节重要事项41 第七节股份变动及股东情况61 第八节优先股相关情况67 第九节债券相关情况68 第十节财务报告69 备查文件目录 载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章的财务报告报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正文及公告的原稿 第一节释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 常用词语释义本公司、公司、华润微电子、CRM、华润微 指 ChinaResourcesMicroelectronicsLimited（华润微电子有限公司）。在用以描述公司资产、业务与财务情况时，根据文义需要，亦包括其各分子公司 董事会 指 华润微电子有限公司董事会 股东大会 指 华润微电子有限公司股东大会 《章程》 指 《经第八次修订及重列的组织章程大纲和章程细则》 中国华润、实际控制人 指 中国华润有限公司，本公司的实际控制人 CRH、华润集团 指 ChinaResources(Holdings)CompanyLimited（华润（集团）有限公司） CRH(Micro)、华润集团（微电子）、控股股东 指 CRH(Microelectronics)Limited（华润集团（微电子）有限公司），本公司的控股股东 无锡华微 指 无锡华润微电子有限公司 华润华晶 指 无锡华润华晶微电子有限公司 无锡华润上华 指 无锡华润上华科技有限公司 华润安盛 指 无锡华润安盛科技有限公司 华润微集成 指 华润微集成电路（无锡）有限公司 迪思微电子 指 无锡迪思微电子有限公司 华润芯功率 指 无锡华润芯功率半导体设计有限公司 华晶综服 指 无锡华晶综合服务有限公司 华微控股 指 华润微电子控股有限公司 华润赛美科 指 华润赛美科微电子（深圳）有限公司 重庆华微 指 华润微电子（重庆）有限公司 矽磐微电子 指 矽磐微电子（重庆）有限公司 杰群电子 指 杰群电子科技（东莞）有限公司 润科基金 指 润科（上海）股权投资基金合伙企业（有限合伙） 润安科技 指 华润润安科技（重庆）有限公司 润西微电子 指 润西微电子（重庆）有限公司 华微科技 指 华润微科技（深圳）有限公司 润新微电子 指 润新微电子（大连）有限公司 国务院 指 中华人民共和国国务院 发改委 指 中华人民共和国国家发展和改革委员会 国务院国资委 指 国务院国有资产监督管理委员会 科技部 指 中华人民共和国科学技术部 财政部 指 中华人民共和国财政部 工业和信息化部、工信部 指 中华人民共和国工业和信息化部 中国证监会 指 中国证券监督管理委员会 上交所 指 上海证券交易所 元、万元、亿元 指 人民币元、万元、亿元 本报告期、报告期 指 2022年1月1日至6月30日 传感器 指 一种检测装置，能感受到被测量的信息，并按一定规律变换为电信号或其他所需形式的信息输出，以满足信息的传输、处理、存储、显示、记录、控制等要求 光电耦合器 指 光电隔离器，是由发光二极管和光敏电阻组成的电路 光罩、光掩模 指 制造芯片时，将电路印制在硅晶圆上所使用的模具 分立器件 指 单一封装的半导体组件，具备电子特性功能，常见的分立式半导 体器件有二极管、三极管、光电器件等 功放 指 功率放大器，在给定失真率条件下，能产生最大功率输出以驱动某一负载的放大器，包括AB、D、数字功放。其中AB类功放通过晶体管放大电流从而放大信号，D类功放用脉冲宽度对模拟音频幅度进行模拟，数字类功放用数字信号进行功率放大 功率IC 指 功率集成电路，常见的功率IC包括电源管理芯片、电机驱动芯片、LED驱动芯片、音频功放芯片等 功率半导体 指 功率器件与功率IC的统称 双极工艺 指 双极工艺是一种基于硅基的典型制造工艺，主要用于双极型晶体管或集成电路的制备 屏蔽栅MOS 指 在沟槽内栅多晶硅电极下面引入另一多晶硅电极，并使之与源电极电气相连，采用氧化层将上下二个多晶硅电极隔开，具有导通电阻低、栅电荷低、米勒电容低等特点 摩尔定律 指 半导体行业的经典定律，由戈登•摩尔于1965年提出：当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍 数字芯片 指 基于数字逻辑设计和运行的，用于处理数字信号的集成电路，包括微元件，存储器和逻辑芯片 晶圆 指 半导体制作所用的圆形硅晶片。在硅晶片上可加工制作各种电路元件结构，成为有特定电性功能的集成电路产品 晶闸管 指 一种开关元件，能在高电压、大电流条件下工作 模拟芯片 指 处理连续性模拟信号的集成电路芯片。电学上的模拟信号是指用电参数，如电流和电压，来模拟其他自然物理量而形成的连续性的电信号 氮化镓、GaN 指 一种第三代半导体材料，具有禁带宽度大、临界磁场高、电子迁移率与电子饱和迁移速率极高等性质 流片 指 为了验证集成电路设计是否成功，必须进行流片，即从一个电路图到一块芯片，检验每一个工艺步骤是否可行，检验电路是否具备所需要的性能和功能 短路能力 指 功率器件发生短路后的承受与控制能力，是器件可靠性的一种重要参数 线性稳压IC 指 线性稳压IC是一种重要的稳压IC，其主要通过输出电压反馈，经误差放大器等组成的控制电路来控制调整管的管压降压差来达到稳压的目的 超结MOS 指 高压超结金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种新型功率器件，在平面垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管的基础上，引入电荷平衡结构 金属势垒 指 金属势垒即肖特基势垒，是一种由势垒金属与轻掺杂半导体接触所形成的具有一定势垒高度的整流结构 铜片夹扣键合工艺、CopperClip 指 指用铜块替代打线的工艺的一种新型的封装工艺，类似的有铝带/铜丝/金丝键合工艺 雪崩耐量、UIS 指 向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减。此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压时的抗击穿性 碳化硅、SiC 指 一种第三代宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界磁场高、电子饱和迁移速率较高、热导率极高等性质 AC-DC 指 电源是输入为交流，输出为直流的电源模块。在模块内部包含整流滤波电路、降压电路和稳压电路 BCD 指 Bipolar-CMOS-DMOS的简称，BCD是一种单片集成工艺技术。这种技术能够在同一芯片上制作双极管bipolar，CMOS和DMOS 器件，称为BCD工艺 BiCMOS 指 BiCMOS技术是把双极型晶体管（BJT）和CMOS器件同时集成在同一块芯片上的新型的工艺技术，它集中了上述单、双极型器件的优点 BJT 指 BipolarJunctionTransistor，双极结型晶体管，是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件，有PNP和NPN两种组合结构 BMS 指 电池管理系统，能够提高电池的利用率，防止电池出现过度充电和过度放电 CDMOS 指 ComplementaryandDouble-DiffusionMOS，互补型MOS和双扩散型MOS集成工艺是将LDMOS功率器件与传统的CMOS器件集成在同一块硅片上的工艺 CMOS 指 ComplementaryMetalOxideSemiconductor，互补金属氧化物半导体，互补式金属氧化物半导体，一种在同一电路设计上结合负信道及正信道的集成电路 DC-DC 指 在直流电路中将一个电压值的电能变为另一个电压值的电能的电源模块，其采用微电子技术，把小型表面安装集成电路与微型电子元器件组装成一体而构成 DMOS 指 双扩散金属氧化物半导体，主要有垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOSFET和横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET EMI 指 ElectromagneticInterference，即电磁干扰。指电磁波与电子元件作用后而产生的干扰现象 ESD 指 Electro-Staticdischarge，静电释放。静电防护是电子产品质量控制的一项重要内容 Fabless 指 无晶圆厂集成电路设计企业，只从事集成电路研发和销售，而将晶圆制造、封装和测试环节分别委托给专业厂商完成，也代指此种商业模式 FC工艺 指 FLIPCHIP，倒装工艺，是一种新型封装工艺 FRD 指 快恢复二极管，是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管 HVIC 指 高压集成电路 IDM 指 IDM模式是指包含芯片设计、晶圆制造、封装测试在内全部或主要业务环节的经营模式 IGBT 指 绝缘栅双极型晶体管，同时具备MOSFET和双极性晶体管的优点，如输入阻抗高、易于驱动、电流能力强、功率控制能力高、工作频率高等特点 IPM 指 智能功率模块，由高速低功耗的管芯和优化的门极驱动电路以及快速保护电路构成 LDMOS 指 横向扩散金属氧化物半导体，在高压功率集成电路中常采用高压LDMOS满足耐高压、功率控制等要求 LED 指 LightingEmittingDiode，发光二极管，是一种半导体固体发光器件 LVTrenchMOS、TrenchMOS、沟槽型MOS 指 低压沟槽型MOSFET，是低压MOS的一种，在体硅表面刻蚀沟槽形成栅电极，将传统平面MOS沟道由表面转移到体内 智能控制、MCU 指 微控制单元，是把中央处理器的频率与规格做适当缩减，并将内存、计数器、USB等周边接口甚至驱动电路整合在单一芯片上，形成芯片级的计算机 MEMS 指 微机电系统。指集微型机构、微型传感器、微型执行器以及信号处理和控制电路、直至接口、通信和电源等于一体的微型器件或系统 MOSFET 指 金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管 MTP 指 MultipleTimesProgrammable，是可编程逻辑器件的一类，多次可编程 OTP 指 OneTimeProgrammable，是可编程逻辑器件的一类，一次性可编程 QFN 指 QuadFlatNo-leadpackge，方形扁平无引脚封装 QFP 指 QuadFlatPackage，方形扁平式封装 RF 指 RadioFrequency，表示可辐射到空间的电磁频率，频率范围从300kHz～300GHz之间 SBD 指 SchottkyBarrierDiode，肖特基势垒二极管，利用金属与半导体接触形成的金属－