TOP CON电池专家交流纪要–20220811

TOPCON电池主要分LPCVD，PECVD，PVD三种路线，步骤在12步左右。制绒（捷佳伟创，金舟）。 硼扩（拉普拉斯做的最好，北方华创，捷佳伟创也会做），背面碱抛光（捷佳伟创，金舟）。 背面隧穿氧化层和多晶硅层沉积（LPCVD，PECVD，PVD三种路线），LPCVD先通过热氧化方式长1-1.5nm的遂穿氧化层，再长本征非晶硅层，结合磷扩散，形成掺杂多晶硅层。 PECVD先用PECVD方式长1-1.5nm的遂穿氧化层，再长掺杂非晶硅层，厚度约为100-150nm之间。PVD方式和PECVD差不多。 LPCVD做的最好的是拉普拉斯，PECVD做的比较好的是捷佳伟创和红太阳两家，北方华创和金辰其次，红太阳的设备在通威，晶澳，中来都有在试用demo机，PEALD微导在做，由于隧穿氧化层通过有机硅的方式实现生长，成本会更高，PEALD这条路线未来不会选择。 PVD中来在做。 退火，让掺杂非晶硅层晶华，形成掺杂多晶硅。 磷从非激活态变成激活态刻蚀清洗，链式设备把表面PSG去掉，再通过碱刻蚀把正面绕镀的多晶硅去掉，然后做槽式清洗，把正面的BSG掩膜，背面PSG掩膜去掉（捷佳伟创，金舟等）正面氧化铝钝化，管式ALD（捷佳，微导）或板式ALD（理想）。 正背面氮化硅钝化，管式PECVD（捷佳，红太阳）丝网印刷，在正背面形成金属化电极（迈为，科隆威，捷佳伟创）电注入或光注入（迈为，奥特维，科隆威）测试分选（迈为等）Q：TOPCON电池价格A：TOPCON电池溢价在0.1元/W，PERC电池1.3元/W，TOPCON电池1.4元/W。 组件端TOPCON组件比PERC组件高0.1元/W的溢价。 Q：TOPCON降本A：TOPCON成本比TOPCON高0.04元/W。 PECVD与LPCVD相比，成本会低0.01元/W，成本优势主要在石英件耗材较少节省0.005元/W，设备投资较低，PECVD加退火的方式比LPCVD 本征加磷扩的方式节省0.007元-0.008元/W。 其次是金属化，目前TOPCON量产银浆耗量在14-16mg/W的水平，晶科目前182整片在14mg/W的银耗，未来可以通过网板优化，浆料优化降低银耗，银浆耗量有望做到9-10mg/W，目前PERC是8-9mg/W。 硅片目前用150，160微米的厚度，明年应该能做到140微米，再往薄做会很难。 设备投资目前1.5-1.7亿/GW，TOPCON技术路线掌握在电池厂手里，比PERC高4000-5000万，未来还有持续降本的空间，去年是1.9亿/GW，降幅较大。 Q：TOPCON效率提升A：激光SE，导入SE需要增加激光SE设备投入，目前可以提效0.2%，后期做到0.3-0.4%的效率提升还是有可能的。 背面POLY硅厚度优化，浆料改进，硅片质量改善等都有可能提升，今年晶科量产做到24.8-24.9%没问题，明年量产在在年底做到25.5%以上没问题Q：TOPCON良率A：晶科可以做到98%以上的良率，晶科卡的不严，通威卡的严，行业良率在96%左右，比PERC低2-3%，还有很大的提升空间。 Q：TOPCON后续落地产能和扩产节奏A：今年80GW有点难，60GW没问题。晶科已经有16GW，还有8GW，总计24GW。 中来一期4GW加泰州3.6GW，接近8GW。 天合宿迁有8GW要投，晶澳已经有1.3GW，6GW在招标，一道有6GW，钧达有8GW，阿特斯有6GW。这两年的规划（2024年之前）已经超过160GW。 Q：TOPCON组件价格A：PERC在1.9-2.0元之间，TOPCON在2.06-2.10之间，HJT比TOPCON略高一点在2.10元/W以上。HJT和TOPCON之间效率差不多，组件功率高4-5W，没什么溢价。 Q：HJT情况A：银耗在23-25mg/W，目前研发做到20mg/W，比TOPCON12mg/W还高很多。硅片130微米硅片没问题，但如果再往下做明年也不一定乐观。 设备投资上正背面改微晶可以提0.7-0.8%的效率，比TOPCON会有0.5%的效率优势，到明年底HJT中试可能还会有26%的效率出现。银包铜到今年年底有可能上，但薄片化有碎片率高的问题，激光转印技术也没有这么快，还需要持续降本。 150微米HJT良率在99%以上，130微米HJT良率在98%以上接近99%。今年年底之前做到130微米没什么问题。 但120微米以下碎片率会高很多，后面会上但没那么快，今年比较难。 Q：PE-POLY路线能否成为主流A：晶科20多GW全是LPCVD路线，一道也是LPCVD路线，捷泰一期8GW选择LPCVD，二期8GW可能会选择PECVD，LPCVD是比较稳妥的方案，后期下单比较多的通威8GW，天合8GW，润阳10GW改造，晶澳1.3GW+6GW招标都是PECVD，但PECVD没有大规模跑片不知道是不是有问题。 但PECVD原位掺杂的方式可以把POLY做薄，均匀性，掺杂浓度相比于LPCVD有优势，效率会较高，此外PECVD的产能6管可以做到6800片/h的产能，比LPCVD4000片/h的产能大很多，另外PECVD用的是石墨舟不存在石英舟损耗的问题。 后面投的公司主要还是看重PECVD的成本优势，目前天合可以做到和LP持平，其他家做PECVD路线效率比LPCVD也会稍差一些。目前落地的产能LP和PE是64开，未来PE路线会更乐观。 Q：硼扩SEA：目前SE晶科在做，其他几家都没在做，不知道晶科进展如何，效率有0.2%的提升，良率未知。对应价值量2500万/GW，费用较大，技术也不是很成熟，目前投产不太会上这个技术路线。 当前的经济性不高。 Q：激光设备厂商A：和帝尔合作做激光SE，目前无进展，直掺很难做，如果做二次掺杂难度不大。 Q：PEALD与PECVD比较A：PEALD用有机硅为原材料比PECVD用笑气更高，均匀性两者差不多，通威以前1GW都用PEALD，现在全部改为PECVD，尚德也用了2GW的PEALD设备，专家的公司以前用PEALD但现在也改用PECVD，未来PEALD没有优势Q：PVD的优缺点A：优点是无绕镀，产能更大，良率更高。 缺点是机台开机率低，需要经常维护，此外效率较低（中来实际量产效率24.3%），设备投资成本更多，占地面积更大。 PVD为了防止背面边缘不漏电有0.7-0.8mm不做钝化，效率会有所损失，其次PVD轰击会有损伤，钝化会更差，效率有所损伤。目前PVD只有中来在用，但如果TOPCON电池可以做薄，PVD方式会更有优势。 Q：钙钛矿A：三四年内看不到，钙钛矿处在很早的阶段，目前稳定性，光衰，紫外线分解等问题都没有得到解决，真正大规模量产还很早。后期可能晶硅电池和钙钛矿电池做叠层，但没这么快。 Q：HJT超过TOPCONA：至少要过两年左右，需要用电镀铜，银包铜等新技术把成本将下来，从今明两年来看，成本还是很难往下降。从叠层电池来看HJT和钙钛矿都是低温制程相比TOPCON会更容易。 Q：细栅线A：TOPCON正面细栅线宽25微米左右，HJT在35微米左右，用钢板印刷HJT可以做到27微米线宽，TOPCON可以做到20微米声明：内容来源于网络，友情分享，本文不做买卖依据，如侵权请后台留言删文。