深度报告：深耕多年IGBT优质厂商，乘新能源东风而上

宏微科技（688711.SH） 深度报告 深耕多年IGBT优质厂商，乘新能源东风而上 2022-08-04 报告日期： 投资评级：增持（首次） 收盘价（元）80.26 主要观点： 深耕IGBT领域的领军企业，产品技术实力深厚 公司深耕半导体功率器件领域多年，是国内第一批生产制造IGBT的公 司，专注IGBT、FRED为主的功率芯片、单管、模块等产品与解决方 近12个月最高/最低 （元） 169.23/55.40 案，产品广泛应用于工业控制（变频器、电焊机、UPS电源）、新能源 总股本（百万股）138 流通股本（百万股）30 流通股比例（%）21.49 总市值（亿元）111 流通市值（亿元）24 公司价格与沪深300走势比较 150% 100% 50% 21-07 21-08 21-09 21-10 21-11 21-12 22-01 22-02 22-03 22-04 22-05 22-06 0% -50% 宏微科技沪深300 分析师：胡杨 执业证书号：S0010521090001邮箱：huy@hazq.com 联系人：傅欣璐 执业证书号：S0010122020035邮箱：fuxl@hazq.com 相关报告 发电（光伏逆变器、风能变流器）、电动汽车（电控系统、汽车充电 桩）等领域。截至目前，公司已有IGBT、FRED芯片及单管产品100余种，IGBT、FRED、整流二极管及晶闸管等模块产品400余种，电流范围从3A到1000A，电压范围从60V到2000V。 光伏、汽车高景气需求拉动IGBT市场，国产替代机会显著 受益于新能车、光伏等领域高景气，IGBT市场快速增长。我们乐观测算，22年中国新能车IGBT市场增长144亿元，充电桩IGBT市场增长43亿元，光伏与风电IGBT市场预计增长64亿元。与我国当前巨大市场需求对应的却是供应产能紧缺，据Yole数据，2021年中国IGBT产量自给率为19.5%；未来几年，国内8寸、12寸晶圆厂产能扩张，功率企业技术迭代升级，国产IGBT厂商替代机会显著，2024年自给率有望达40%。 技术核心竞争力明显，订单、产能充足支持长远发展 技术端，公司注重产品研发，同类产品性能比肩海外龙头企业；已推出第五代微沟槽M5i650V并开发完成第七代微沟槽M7iIGBT芯片和M7dFRED芯片，进口替代优势明显。客户端，光伏与汽车客户订单快速提升，公司依托A公司打开光伏市场，布局诸多逆变器厂商；车规领域21年与Tier1客户深度合作，预计22年开始与整车厂客户开始合作， 已有多个定点车型，覆盖约4-5个品牌。下游订单旺盛背景下，公司在产能端积极开发新代工厂，已从部分厂家获得批量供应，实现供需端双增长。 投资建议 我们预计2022-2024年公司归母净利润为0.82、1.29、1.86亿元，对应市盈率为135.79、85.91、59.62倍，首次覆盖给予公司“增持”评级。 风险提示 上游代工厂涨价风险，产品研发不及预期，产能扩张不及预期。 重要财务指标单位:百万元 营业收入 551 844 1266 1870 收入同比（%） 66.0% 53.2% 50.0% 47.7% 归属母公司净利润 69 82 129 186 净利润同比（%） 158.4% 18.4% 58.1% 44.1% 毛利率（%） 21.6% 22.3% 22.4% 22.1% ROE（%） 7.9% 8.5% 11.9% 14.6% 每股收益（元） 0.84 0.59 0.93 1.35 P/E 147.51 135.79 85.91 59.62 P/B 13.92 11.55 10.18 8.70 EV/EBITDA 145.50 126.66 86.87 62.49 资料来源：Wind，华安证券研究所 主要财务指标2021A2022E2023E2024E 敬请参阅末页重要声明及评级说明证券研究报告 正文目录 1宏微科技——深耕多年的优质IGBT厂商4 1.1公司简况：深耕功率几十余年，行业积累深厚4 1.2经营数据：营收利润快速增长，盈利水平高企6 2功率市场持续景气，国产厂商替代优势明显8 2.1IGBT性能优越，为电能转换核心器件8 2.2需求端：新能源高景气，驱动IGBT市场快速增长10 2.3供给端：供不应求行情持续，国产替代机会显著14 3自研能力出众，在手订单充足支撑长期业绩17 3.1技术端：自研能力出众，产品比肩海外厂商17 3.2客户端：依托A客户打开光伏市场，车端客户加速放量18 3.3产能端：加大开发新代工产能，封测产能持续爬坡20 4盈利预测与估值21 4.1盈利预测21 4.2公司估值21 风险提示22 财务报表与盈利预测23 图表目录 图表1公司发展历程4 图表2公司股权结构5 图表3公司主要产品方阵6 图表4公司营业收入及增速7 图表5公司归母净利润及增速7 图表6公司销售毛利率和净利率情况7 图表7公司主要业务毛利率情况7 图表8公司主要业务营收占比8 图表9公司主要业务毛利占比8 图表10功率半导体器件应用领域8 图表11功率半导体产品范围9 图表12IGBT与MOSFET、BJT的性能比较9 图表13IGBT七代产品发展历程10 图表14全球IGBT市场下游需求空间预测（单位：亿美元）10 图表15功率半导体在新能源汽车上的应用11 图表16中国新能源车用IGBT市场规模测算12 图表17中国新能源车充电桩IGBT市场规模测算12 图表18中国光伏与风电IGBT市场规模测算13 图表19全球工控IGBT市场规模14 图表20国内工控IGBT市场规模14 图表212020年全球IGBT市场竞争格局14 图表22中国IGBT市场供需情况预测15 图表23分立器件交货周期变动情况16 图表24公司研发费用及研发费用率（万元）17 图表252021年可比公司研发费用率对比17 图表26公司IGBT芯片系列产品对比17 图表27公司FRED系列产品对比18 图表282021年公司研发突破梳理18 图表29公司下游主要客户构成19 图表302019-2021年全球光伏逆变器市场构成19 图表31公司募集资金拟投资项目投入计划20 图表32募投项目各项产品产能规划情况21 图表332020年-2024年公司业绩拆分及盈利预测21 图表34公司可比公司估值22 1宏微科技——深耕多年的优质IGBT厂商 1.1公司简况：深耕功率几十余年，行业积累深厚 宏微科技成立于2006年8月，是国内第一批生产制造IGBT的公司，设立以来专注 IGBT、FRED为主的功率芯片、单管、模块等产品与解决方案，广泛应用于工业控制 （变频器、伺服电机、电焊机、UPS电源）、新能源发电（光伏逆变器、风能变流器）、电动汽车（电控系统、汽车充电桩）领域。截至目前，公司已有IGBT、FRED芯片及单管产品100余种，IGBT、FRED、整流二极管及晶闸管等模块产品400余种，电流范围从3A到1000A，电压范围从60V到2000V。其中，公司IGBT单管芯片全部来自自研，模块产品芯片自研外购并举；公司自研产品性能与工艺技术处于行业先进水平，截至2021年，公司已推出第五代650VIGBT芯片和第五代FRED芯片。 图表1公司发展历程 公司成立 推出第二代FRED 芯片FU系列 推出第二代IGBT芯片（沟槽栅场截止型） 推出第四代FRED芯片 推出第五代650VIGBT芯片；科创板上市 2007 2010 2017 2019 20062008201320182021 推出第一代FRED芯片 F系列 推出第一代IGBT 芯片（NPT结构） 推出第三代IGBT芯片以及第三代FRED芯片 推出第四代IGBT芯片（微沟槽结构）以及第五代FRED芯片 资料来源：公司官网，华安证券研究所 实控人具有深厚功率研发背景，公司股权分配均衡。公司创始人赵善麒为公司董事长兼总经理，作为第一大股东持有17.79%的股份，为公司实际控制人。赵善麒专注功率半导体领域研究多年，从事IGBT研发30多年，是国家“八🖂”、“九🖂”、“十一五”、“十二🖂”重点攻关项目IGBT芯片研发的攻关负责人或参与人；曾任职吉林大学博士后/副教授、北京电子电子中心常务副主任/研究员、香港科技大学副研究员、美国AdvancedPowerTechnology中国区首席代表兼总经理/资深高级工程师/技术转移部总监、宏电节能总经理等职务。 此外，公司持股平台宏众咨询持股2.74%，与核心技术人员绑定提升员工积极性，其中，团队核心研发人员也均是来自国内外从事IGBT和FRED的研究人员，具备15年以上的研发经验。从参控股公司来看，公司（持股近40%）与苏州汇川联合动力 （持股近60%）联合成立常州汇创芯驱股权投资企业，加深与汇川技术在新能源汽车等领域的合作。 图表2公司股权结构 资料来源：wind，企查查，华安证券研究所 公司优化产品结构，产品以IGBT、FRED为主。公司深耕于功率半导体器件行业，主营产品包含模块产品、单管、芯片、电源模组、受托加工五大部分，下游主要应用领域为工业控制、新能源发电、电动汽车/充电桩。随着下游市场景气，公司提升新能源发电和电动汽车/充电桩的销售占比，并不断优化工业控制的占比以更好的应对下游市场的发展需求。公司依靠工艺技术承托发展，辅以人才和管理等长期积累的优势，成功实现了功率半导体器件的全产品链布局，成为国内少数实现IGBT、FRED芯片及模组产业化设计制造的企业。 图表3公司主要产品方阵 产品分类产品系列图例产品概述 芯片IGBT、FRED、MOSFET 公司采用自主知识产权进行芯片版图和工艺流程设计，委托芯片代工企业生产。芯片代工企业负责芯片的制造如在半导体晶圆(硅片)上进行扩散氧化、光刻、刻蚀、离子注入、终端钝化和正面与背面金属化等半导体工艺制造流程。芯片制造完后，在代工企业进行必要的芯片级的测试。 单管 功率半导体模块 IGBT、FRED、MOSFET IGBT、FRED、 MOSFET、整流二极管、晶闸管 单管产品主要是指将一个IGBT芯片单独或与FRED芯片、MOSFET芯片通过芯片焊接和铝丝键合至铜框架基板上，接入电极，并通过塑封外壳封装而成。 公司采用自主知识产权设计的标准模块或与客户共同开发设计的定制模块，通过自有生产线将IGBT、FRED、MOSFET等芯片组合封装在一起，模块中除芯片以外，主要由DBC基板、铝线或铜线、金属端子、铜底板、外壳、硅凝胶等材料组成。芯片通过焊料焊接在DBC基板上、连同铜基板和塑封外壳等给芯片提供支撑、电气隔离、保护、散热以及电气连接等作用并通过引线与外部电路进行连接。 定制模块 资料来源：公司年报，华安证券研究所 根据客户特定需求，定制相应的功率半导体模块，如智能模块集成了功率芯片单元、驱动电路、保护电路等，具有集成化、智能化和高可靠性等特点。功率芯片适用Si基IGBT、MOSFET，以及SiCMOSFET等。 1.2经营数据：营收利润快速增长，盈利水平高企 受益于双碳政策，营收与利润持续向好。在双碳政策以及国产IGBT替代机遇下，公司业绩实现快速增长。2021年，公司营业收入达到5.51亿元，同比增长66.04%；归母净利润为6882.94万元，同比增长158.37%；毛利率与净利率分别为21.57%、12.39%。2022年一季度，公司实现收入1.40亿元，同比增长34.17%，归母净利润 1221.87万元，同比减少26.13%；毛利率与净利率分别为21.12%、8.73%。22年新能源车与光伏景气背景下，公司在手订单情况充足，业务指标有望持续向好。 图表4公司营业收入及增速图表5公司归母净利润及增速 营业收入（左轴，百万元）增速（右轴，%）归母净利润（左轴，百万元）增速（右轴，%） 600 500 400 300 200 100 0 20172018201920202021 80