本研究成功地开发了一种近乎隐形的太阳能电池，其在氧化铟锡 (ITO) 电极和单层二硫化钨 (WS2) 之间，通过化学气相沉积（CVD）。 WS2 和 ITO 之间的接触势垒由涂层控制在 ITO (M /ITO) 顶部的各种薄金属，并在 M /ITO 和X3X单层WS ，导致肖特基势垒高度急剧增加（高达220 meV）；这可以提高肖特基型太阳能电池中电荷载流子分离的效率。通过将单位器件结构的纵横比（宽度/通道长度）减小到值低于临界阈值，可以优化电极（WO /M /ITO）的太阳能电池的功率转换效率（PCE）为3X是使用普通 ITO 电极的设备的 1000 倍以上。
