基于扫描近场光谱和载流子传输的二维半导体介观区域分析

本研究利用扫描近场光学技术，通过双探针测量实现了对半导体介观区域中载流子行为的详细评估。研究发现，掺杂剂的偏压会影响激发的载流子发射复合过程，从而揭示了介观系统的状态和特性。此外，通过将测量结果与使用锦标赛结构的分析相结合，可以得出带有量子效应的载体的概率密度，为自然智能研究提供了应用。该研究为深入理解半导体介观区域中载流子行为的细节，以及开发新型光电器件提供了新的思路。