不同厚度溅射拓扑绝缘体 Bi2Se3 薄膜的弱反局域化特征

这篇科学报告研究了在不同厚度的溅射拓扑绝缘体 Bi2Se3 薄膜中的弱反定位签名。作者使用射频磁控溅射技术在蓝宝石衬底上沉积了40、80和160nm的 Bi2Se3 薄膜，并通过高分辨率 X 射线衍射、拉曼光谱和 X 射线光电子能谱等手段对其进行了表征。研究发现，Bi2Se3 薄膜在低温下显示出金属性质，并且在低于25K的较低温度下电阻率略有上升。通过测量低磁场下薄膜的磁导率，作者发现薄膜的系数“α”随薄膜厚度而变化，这表明薄膜的传导机制随薄膜厚度而变化。此外，作者还发现 Bi2Se3 薄膜中的表面态与体态耦合，并且薄膜的表面态受到时间反演对称性的保护。这些结果对于理解拓扑绝缘体的性质和应用具有重要意义。