您的浏览器禁用了JavaScript(一种计算机语言,用以实现您与网页的交互),请解除该禁用,或者联系我们。[德邦证券]:电子行业点评:功率器件价格跟踪系列-IGBT、MOS渠道价格整体稳定,部分料号有所上涨 - 发现报告
当前位置:首页/行业研究/报告详情/

电子行业点评:功率器件价格跟踪系列-IGBT、MOS渠道价格整体稳定,部分料号有所上涨

电子设备2022-06-08陈海进德邦证券阁***
电子行业点评:功率器件价格跟踪系列-IGBT、MOS渠道价格整体稳定,部分料号有所上涨

中低压MOSFET价格整体稳定,高压MOSFET部分料号有涨价。根据正能量电子网显示的功率器件渠道报价,我们梳理了MOSFET等产品的主要海外厂商的价格情况。从MOSFET产品来看,中低压小信号MOSFET价格自21Q4下行以来,目前价格已经稳定。中高压MOSFET方面,整体稳中有涨。例如,安森美150V的沟槽型产品价格保持稳定,而其500V的超级结产品价格继续保持高位。英飞凌的100V车规产品在5月环比4月有小幅上涨,显示车规需求仍较好。 IGBT单管价格稳定。我们选取600V、1200V各两款产品以跟踪IGBT单管目前的市场情况。从数据可以看出,进入Q2后IGBT单管价格保持稳定,其中1200V产品价格环比持平,而安森美和英飞凌的600V产品环比Q1仍有一定上涨。由于IGBT单管下游应用领域广泛,包括工业、光伏、充电桩、汽车等,所以预计在需求景气带动下,IGBT单管价格今年仍将保持在高位。 SiC器件报价在持续下降,并与硅基器件价差逐渐缩小。根据CASA Research统计的半导体器件经销商网上平均报价(元/安培)来看,SiC肖特基二极管(SBD)以及SiC MOSFET器件近年来在逐步下降 , 其中650V SiC SBD报价在2018~2020年的复合降幅达到25%,而650V SiC MOSFET的复合降幅为32%。 由于SiC器件价格的下降,其与硅基器件的价差也在逐渐缩小。 高压SiC与硅基价差缩小更明显。根据元器件经销商Mouser的数据,我们选取了650V和1200V分别一款IGBT单管和SiC MOSFET产品价格进行对比。在650V产品上,SiC MOSFET产品的渠道报价是IGBT单管的3.8倍,而1200V产品上,SiC MOSFET的渠道报价是IGBT单管的3.5倍,显示高压领域SiC MOSFET价格差距要更小一点。根据CASA Research的说法,SiC器件的实际成交价基本约为公开报价的60%-70%,所以我们预计SiC与硅基器件的实际成交价差距可能缩小至3倍以下。 投资建议:推荐关注受益于下游需求景气以及功率器件国产化加速的公司,标的包括:宏微科技、士兰微、斯达半导、时代电气、新洁能、扬杰科技。 风险提示:下游需求不及预期,行业竞争加剧风险,产品迭代升级进度不及预期风险。 1.MOSFET渠道价格跟踪 中低压MOSFET价格整体稳定,高压MOSFET部分料号有涨价。根据正能量电子网显示的功率器件渠道报价,我们梳理了MOSFET等产品的主要海外厂商的价格情况。从MOSFET产品来看,中低压小信号MOSFET价格自21Q4下行以来,目前价格已经稳定。中高压MOSFET方面,整体稳中有涨。例如,安森美150V的沟槽型产品价格保持稳定,而其500V的超级结产品价格继续保持高位。 英飞凌的100V车规产品在5月环比4月有小幅上涨,显示车规需求仍较好。 图1:中低压MOSFET渠道价格(元/个) 图2:中高压MOSFET渠道价格(元/个) 2.IGBT单管渠道价格跟踪 IGBT单管价格稳定。我们选取600V、1200V各两款产品以跟踪IGBT单管目前的市场情况。从数据可以看出,进入Q2后IGBT单管价格保持稳定,其中1200V产品价格环比持平,而安森美和英飞凌的600V产品环比Q1仍有一定上涨。由于IGBT单管下游应用领域广泛,包括工业、光伏、充电桩、汽车等,所以预计在需求景气带动下,IGBT单管价格今年仍将保持在高位。 图3:IGBT单管渠道价格跟踪(元/个) 3.SiC器件渠道价格跟踪 SiC器件报价在持续下降,并与硅基器件价差逐渐缩小。根据CASAResearch统计的半导体器件经销商网上平均报价(元/安培)来看,SiC肖特基二极管(SBD)以及SiC MOSFET器件近年来在逐步下降,其中650V SiC SBD报价在2018~2020年的复合降幅达到25%,而650V SiC MOSFET的复合降幅为32%。 由于SiC器件价格的下降,其与硅基器件的价差也在逐渐缩小。 高压领域SiC与硅基价差缩小更明显。根据元器件经销商的数据,我们选取了650V和1200V分别一款IGBT单管和SiCMOSFET产品价格进行对比。在650V产品上,SiCMOSFET产品的渠道报价是IGBT单管的3.8倍,而1200V产品上,SiC MOSFET的渠道报价是IGBT单管的3.5倍,显示高压领域,SiC MOSFET价格差距要更小一点。根据CASAResearch的说法,SiC器件的实际成交价基本约为公开报价的60%-70%,所以我们预计SiC与硅基器件的实际成交价差距可能缩小至3倍以下。 图4:650V SiC肖特基二极管与硅基FRD报价对比(元/安培) 图5:1200V SiC肖特基二极管与硅基FRD报价对比(元/安培) 图6:650V SiC MOSFET与硅基IGBT单管报价对比(元/安培)图7:1200VSiC MOSFET与硅基IGBT单管报价对比(元/安培) 表1:2022年6月IGBT单管与SiCMOSFET产品渠道报价对比产品型号原厂厂商产品类型 4.风险提示 下游需求不及预期,行业竞争加剧风险,产品迭代升级进度不及预期风险。