东微半导(688261)深耕工业汽车级领域，IGBT量产出货丰富产品矩阵。2021年公司实现营业收入7.82亿元，同比增长153.28%，实现归母净利润为1.47亿元，同比增长430.66%，实现扣非后归母净利润1.41亿元，同比增长588.67%。公司持续加大研发投入，产品矩阵进一步丰富，2021年研发投入同比增长159.07%达到0.41亿元。公司各产品线进展情况：高压超级结MOS：第四代GreenMOS高压超级结研发成功，预计2022年开始批量供货；基于深沟槽超级结技术的中低压SGT641款，1000V以上高压超级结MOS开发成功具备量产能力；基于12寸先进工艺制程的高压超级结MOS进入大规模稳定量产，进入大量工业应用领域；基于12寸制程的下一代超级结MOS开发顺利进行。中低压屏蔽栅MOS：25V-30V低压超高速屏蔽栅MOS开发成功并量产，为拓展数据中心电源服务器CPU供电芯片打下基础；150V屏蔽栅MOS开发成功并量产，200V与250V电压规格开发顺利进行；继续拓展基于12寸先进工艺制程的屏蔽栅MOS平台，形成多个电压平台的规格并实现量产。超级硅MOS：第二代超级硅功率MOS开发成功，已展开第三代超级硅MOS的开发。Tri-gate IGBT：基于自主专利技术的650V、1200V及1350V-40%-20%0%20%40%60%80%东微半导沪深300证券研究报告 公司点评报告。公司深耕工业/汽车级领域，强大全球终端客户基础，2021年公司在汽车及工业级领域收入占比超过60%，其中新能源汽车充电桩领域占比逾20%，较上年同期增长约190%；各类工业及通信电源领域占比逾10%，较上年同期增长逾140%；逆变器领域占比约5%，较上年同期增长逾200%；车载充电机领域占比约5%，约为上年同期收入水平的10倍
