事件 长鑫存储总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上宣布 预计年底推出融合4F²架构与混合键合技

长鑫存储的4F²架构混合键合技术通过单元面积缩小约30%提升密度，关键在于用架构创新替代单纯制程微缩，为国产DRAM提供不依赖EUV光刻机的追赶路径。该技术若良率与服务器认证顺利，将加速长鑫在DDR5及服务器市场的份额，尤其对受出口管制影响的企业是战略级突破。

国产DRAM行业正通过架构创新突破工艺瓶颈，4F²架构与混合键合技的推出标志着国产厂商从单纯依赖先进光刻机转向多元化技术路径。未来，高深宽比刻蚀、薄膜沉积等设备材料环节将迎来国产替代机遇，推动产业链整体升级。

本报告重点分析了4F²架构的技术突破及其对国产DRAM的产业价值，包括通过CBA技术降低对EUV依赖的战略意义，以及技术升级对设备材料环节的增量拉动效应。同时梳理了相关产业链上下游的投资机会，涵盖长鑫科技、拓荆科技等核心企业。

当前DRAM市场正经历国产厂商的份额追赶期，长鑫存储的4F²技术为国内厂商提供了新的竞争手段。虽然技术成熟度仍需市场验证，但架构创新已为国产DRAM打开新的增长空间，尤其在高性能计算和服务器领域存在较大潜力。

本报告需注意技术路线的成熟度风险，4F²架构和CBA技术的量产良率及稳定性尚待验证；此外，国产设备材料的性能和稳定性也可能影响整体技术路线的推进速度。同时，国际市场环境变化也可能对国产DRAM厂商的出口造成影响。