液冷Busbar：电-热链路一体化枢纽，高密度数据中心抬升产品壁垒

投资逻辑

AI服务器正从单机部署走向机架级、超节点级系统，机柜功耗进入快速提升阶段。随着GPU/ASIC、NVSwitch、高速互联、光模块等被更高密度地集成在同一机柜内，整机柜逐渐成为算力、供电、散热和互联协同设计的最小单元。以英伟达平台为例，GB200 NVL72 IT侧功率约136kW，Vera Rubin NVL72预计提升至约209kW，NVLink交换能力和整柜功率密度继续上行。随着后续GPU功耗提升、交换芯片数量增加以及超节点架构推进，机柜供电能力将成为AI基础设施的重要瓶颈之一。

机架母线是AI机柜内部配电系统的核心部件，主要承担大电流传输、电源分配和托盘连接功能，是机柜内部的“供电主干”。在集中式供电架构下，电源模块输出电能后，需要通过母线将电流分配至计算托盘、交换托盘等负载端，因此母线的导电能力、温升控制、压降水平、连接可靠性和安全冗余，都会直接影响整柜供电效率和运行稳定性。以英伟达机柜为例，GB200 NVL72在50V集中供电下母线电流约2900A，而Vera Rubin NVL72母线电流预计提升至5000A以上，已经显著超出传统机柜配电部件的能力边界。

功率提升带来的难点不只是“电流变大”，更在于高电流需要在有限机柜空间内实现可控传输。TE Connectivity的仿真数据显示，在48V架构下，负载功率从200kW提升至400kW时，最大直流电流由4166A提升至8333A，最大温升由7.79℃提升至33.59℃，最大压降由0.10V提升至0.21V，温升压力呈明显非线性放大。与此同时，AI机柜内部空间被芯片冷却部件、线缆和结构件共同占用，母线很难简单依靠加宽、加厚铜排来解决大电流问题，换言之，AI机柜功耗提升后，母线不再是普通配电件，而是影响整柜电力密度、热管理效率和系统可靠性的关键基础部件。

液冷Busbar有望成为高功率AI机架的重要产品趋势，800V高压供电将进一步提高母线性能要求。相比传统风冷或自然散热母线，液冷Busbar通过在母线结构中引入冷却流道，或与整柜液冷系统协同，将导电、散热、流体密封、绝缘防护和可靠性测试集成到同一部件中，使产品壁垒从传统铜排加工升级为“电-热-液”一体化设计制造能力。TE已推出面向200kW、400kW和750kW等级的液冷垂直母线方案；Molex在2026年Computex展示多通道液冷母线方案，冷却效率最高可提升20%，并在15000A电流下将温升控制在15℃左右，液冷Busbar已经进入量产应用阶段。此外，800V高压直流架构的导入将进一步提高母线在绝缘、安全防护、连接可靠性和结构集成方面的性能要求，推动机架母线从低压大电流部件向高压高可靠组件继续升级。

铜材料是机架母线的核心材料。铜具备更低电阻率、更高导电率和更高导热率，在大电流、高功率密度场景中更有利于降低线路损耗、控制温升并压缩结构尺寸。液冷Busbar和高压母线对铜材也提出了更高要求，产品竞争重点将从基础铜排供给，进一步延伸到高纯铜/铜合金材料、复杂截面成型、冷却流道协同、焊接与密封、绝缘包覆、平整度控制和批量一致性管理。因此，机架母线升级本质上会带来材料、结构、工艺和验证体系的全面升级，具备高性能铜材、精密加工、客户协同开发和批量质量控制能力的供应商，有望在AI机柜功率升级过程中率先受益。

产业链梳理

液冷Busbar产品厂商：海外率先进入产品化阶段

• TE Connectivity：形成200-750kW液冷垂直Busbar产品矩阵
• Molex：多通道方案提升热量分布均匀性

投资建议

机架母线主产业链主要由上游铜材料、中游制造商、下游机柜客户组成，其中机架母线液冷渗透率提升、以及800VHVDC高压直流架构在新建数据中心的导入，有望对母线核心原材料铜排带来材料质量和结构上的新变化，相关标的：铜排环节主要供应商金田股份、博威合金、电工合金等。

• 金田股份：再生铜闭环构筑差异化，高精密铜排加速放量
• 博威合金：合金棒材切入AI液冷散热及供电，越南基地加速放量
• 电工合金：深耕铜母线深加工，AI机架供电加速放量

风险提示

产业化进度不及预期：液冷Busbar仍处于产品迭代及产业导入阶段，若AI机架功率密度提升速度、液冷架构渗透率或下游客户导入进度不及预期，可能导致液冷Busbar及相关高端铜材需求释放慢于预期。

产品认证及产能释放不及预期：AI服务器及数据中心供应链对材料性能、尺寸精度、可靠性及批量一致性要求较高，相关产品需经过较长时间的客户验证及良率爬坡。若液冷母线、AI机柜异型铜排等产品认证、客户定点或新增产能建设进度不及预期，可能影响相关企业业务放量。