长鑫科技：首次公开发行股票并在科创板上市招股说明书

长鑫科技集团股份有限公司（以下简称“长鑫科技”）是一家专注于DRAM产品研发、设计、生产及销售的研发设计制造一体化企业，致力于成为技术领先与商业成功的半导体存储公司。公司已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商，核心产品及工艺技术已达到国际先进水平，并形成了DDR系列、LPDDR系列等多元化产品布局。

公司上市目的主要包括：

• 增强研发创新能力，加快技术迭代和产品布局完善。
• 加快公司产能建设和升级，增强公司市场竞争力和盈利能力。
• 把握广阔的市场成长空间，加快市场拓展并推动产业发展。
• 完善公司治理并持续提升核心竞争力，持续为股东创造长期价值。

公司面临的主要风险：

• 存在累计未弥补亏损的风险。
• 人工智能发展带来的DRAM市场需求存在不确定性。
• 宏观经济波动和行业周期性导致公司产品销售价格及经营业绩波动。
• 固定资产建设投资及折旧金额较大的风险。
• 存货跌价风险。
• 国际贸易摩擦导致产业链不稳定的风险。
• 产品及技术研发不达预期的风险。
• 无控股股东和实际控制人的风险。
• 募投项目新增费用及折旧摊销影响公司经营业绩的风险。
• 对重要子公司长鑫新桥和长鑫集电持股比例较低的风险。

公司未来发展规划：

• 坚持高水平技术研发，持续深化工艺技术开发与积累，不断开拓前沿技术。
• 加速产能布局建设，拓展多元化产品组合，积极探索和布局中高端细分市场及海外市场。
• 提升团队建设，强化运营能力，夯实人才梯队与运营管理体系。

公司核心技术与研发情况：

• 公司掌握了多项达到国际先进水平的工艺和产品核心技术，覆盖DRAM产品设计、制造工艺、封装测试、模组设计与应用等各业务环节。
• 公司已积累了丰富的自主知识产权，并形成了完善的研发创新体系。

公司财务状况：

• 公司报告期内营业收入持续增长，净亏损幅度快速收窄并于2025年实现盈利。
• 公司资产负债率较高，主要由于固定资产投入较大和融资渠道受限。

公司募集资金使用规划：

• 本次发行的募集资金将主要用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。
• 公司计划通过募集资金投资项目的实施，进一步提升技术及研发实力和加快产能建设与升级，增强公司对庞大市场需求的供给保障能力。