2026 年第 3 季存储器合约价涨幅超出预期，DRAM 与闪存价格显著上涨。AI 产业带动企业级 SSD（eSSD）需求爆发，导致 DDR4 8Gb DRAM 供需缺口，预计持续两年，传出台系存储器公司第 3 季 DDR4 8Gb 合约价涨幅高达五成，已高于三星同规格产品。市场原预期价格涨幅将放缓，但 DDR4 16Gb 价格受 PC 市场需求走弱压制，而 DDR4 8Gb 因产能不足维持强势上涨。企业级 SSD 为实现高性能需配套独立 DRAM 芯片，主流配置为每 1TB NAND 闪存搭配 1GB DRAM，现正向 16TB 至 30TB 大容量迭代，推动 DDR4 8Gb 需求激增。国际原厂缩减 DDR4 产能，美光聚焦长生命周期市场，南亚科、华邦电子产能不足，供需缺口预计持续两年。
DDR3 合约价格也延续上行趋势，因 DDR3 4Gb 与 DDR4 4Gb 在网通、电视领域需求重叠，网通订单乐观，电视客户重新切换回 DDR3 4Gb。华邦电子、南亚科转移产能至 DDR4，导致 DDR3 产出缩减，工业、物联网等领域转采 DDR3 甚至 DDR2，推动 DDR3 价格上涨。以 7 月初现货价格参考，DDR3 4Gb（512Mx8）平均报价 12.75 美元，单 Gb 价格 3.19 美元，高于 DDR5 16Gb 单 Gb 2.94 美元。SLC NAND 自 2026 年初至今涨幅超一倍，MLC NAND 也紧俏稀缺，预计 2026 下半年价格仍将上调。
南亚科、华邦电子、旺宏 6 月营收涨幅基本对应合约涨价幅度，产能均满载，短期无新增产能。市场卖方掌握定价主导权，持续推动合约报价上行，厂商执行调配产品结构、分层分配客户策略。存储器整体报价上行趋势未变。
