7月1日晚，新迅达发布股票交易异常波动公告，首次以上市公司公告形式完整披露鑫诚光电及长兴鑫兴项目最新进展。公告确认，公司已完成对鑫诚光电增资并取得51%控股权，长兴鑫兴半导体激光器芯片项目已正式开工建设，未来主营业务明确定位为化合物半导体激光器芯片代工（Foundry）。相较于仍停留在规划、签约阶段的产业项目，本次公告意味着公司化合物半导体战略已进入实体建设阶段，产业化路径进一步明确。
此次并购的核心价值在于鑫诚光电所拥有的技术平台。公司核心团队源自全球化合物半导体晶圆代工龙头台湾稳懋（WIN Semiconductors）体系，拥有二十余年GaAs（砷化镓）及InP（磷化铟）晶圆制造工艺开发和规模量产经验。目前佛山基地已实现6英寸EEL、HCSEL量产，VCSEL将在2026年9月实现量产，EML、CW高速光芯片预计2026年底完成送样及3000小时可靠性验证，后续将在长兴基地实现规模化制造。公司6英寸GaAs巴条产品良率超过85%，VCSEL产品良率达到99%以上，制造能力已达到国际先进水平。
根据项目规划，长兴鑫兴将建设国内稀缺的GaAs+InP双平台Foundry，2027年形成4万片/年晶圆流片能力。其中，InP平台覆盖800G、1.6T高速光模块所需的EML、DFB、APD等核心光芯片制造，是AI算力时代高速光通信产业链最重要的底层工艺平台之一；GaAs平台则广泛应用于半导体激光、消费电子、机器人、车载激光及工业激光等领域。公司产业资源已覆盖柠檬光子、仟目激光等产业客户送样英伟达，具备持续导入优质客户的基础。
核心观点：公司首次通过上市公司公告完整确认了稳懋技术平台+长兴Foundry制造平台+2027年4万片流片产能”三大核心资产。随着产能逐步兑现，公司有望成长为国内少有的GaAs+InP双平台化合物半导体晶圆代工企业。参考国内高端光芯片企业及国际化合物半导体晶圆代工平台估值体系，公司中长期具备300亿元以上平台估值的重估潜力。
