技术规格
- 应用领域：面向Wafer晶圆、Semiconductor Chip、SiC衬底、OLED面板微观缺陷检测。
- 激光光源：405nm Solid-state Laser固态激光，额定输出功率25mW，功率调节区间0.001%-100%，功率波动稳定度≤0.8%，标准使用寿命10000h。
- 共聚焦系统：Pinhole共轭针孔可调范围0.3AU-3AU（标准1AU），轴向Z轴分辨率320nm，平面XY分辨率110nm。
- 扫描系统：配备Galvanometer检流计振镜，最大成像分辨率6144×6144像素，512×512像素扫描速度14fps，Z轴步进最小0.01μm。
- 载物台：X/Y行程120mm×120mm，适配8寸及以下Wafer样品。
- 光学模块：半导体专用5×、20×、100×金相Objective物镜（NA最高1.3），集成DIC微分干涉、Reflectance反射成像双模式。
- 软件与功能：配套LM Inspect缺陷检测软件，支持AI缺陷分类LM Brain模块，表面粗糙度3D测量精度±0.02μm。
二手设备保养方法
- 存放环境：恒温22±1℃、湿度40%-60% RH无尘车间。
- 日常维护：检测后用无尘镜头纸+无水乙醇擦拭物镜端面，氮气吹扫针孔光路。
- 定期检查：每周记录激光输出功率，衰减超20%需校准光路；每月润滑载物台导轨，每季度整机系统自检。
- 长期存放：拆除物镜存放于干燥防潮柜，避免光学镀膜霉变、静电损伤PMT光电探测器。
免责声明
- 内容溯源：技术参数、结构原理等源自设备原厂官方资料、权威标准文献及公开招标验收文件，仅用于技术研究、方案对比及行业参考。
- 内容效力：观点与结论为通用技术参考，非设备原厂官方定论，不构成商业承诺、履约标准及验收依据。
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