晶升股份：南京晶升装备股份有限公司2025年年度报告

公司简称：晶升股份 南京晶升装备股份有限公司2025年年度报告 重要提示 一、本公司董事会及董事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、公司上市时未盈利且尚未实现盈利 □是√否 三、重大风险提示 公司已在本报告中描述可能存在的风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分，请投资者注意投资风险。 四、公司全体董事出席董事会会议。 五、容诚会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。 六、公司负责人李辉、主管会计工作负责人吴春生及会计机构负责人（会计主管人员）吴春生声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 七、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 公司第二届董事会第十八次会议审议通过了《关于2025年年度利润分配方案的议案》，鉴于2025年度公司实现的可分配利润为负值，不满足现金分红条件，且综合考虑公司经营发展情况及未来资金需求，为实现公司持续、稳定、健康发展，更好地维护全体股东的长远利益，公司2025年度拟不进行利润分配，即不派发现金分红，不送红股，不进行资本公积转增股本。该事项尚需提交公司2025年年度股东会审议。 母公司存在未弥补亏损 √适用□不适用 经会计师事务所审计，截至报告期末，公司母公司财务报表中存在累计未弥补亏损人民币69,740,048.44元。根据《中华人民共和国公司法》及《上市公司监管指引第3号——上市公司现金分红》等相关法律法规的规定，公司目前不满足实施现金分红的前提条件。敬请广大投资者注意相关投资风险。 八、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用√不适用 九、前瞻性陈述的风险声明 √适用□不适用本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。 十、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十一、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况否 十二、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性否 十三、其他□适用√不适用 目录 第一节释义......................................................................................................................................5第二节公司简介和主要财务指标..................................................................................................8第三节管理层讨论与分析............................................................................................................16第四节公司治理、环境和社会..................................................................................................61第五节重要事项............................................................................................................................84第六节股份变动及股东情况......................................................................................................123第七节债券相关情况..................................................................................................................130第八节财务报告..........................................................................................................................131 第一节释义 一、释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 第二节公司简介和主要财务指标 一、公司基本情况 二、联系人和联系方式 三、信息披露及备置地点 四、公司股票/存托凭证简况 (一)公司股票简况 (二)公司存托凭证简况 □适用√不适用 五、其他相关资料 六、近三年主要会计数据和财务指标 (一)主要会计数据 (二)主要财务指标 报告期末公司前三年主要会计数据和财务指标的说明 √适用□不适用 1、2025年实现营业收入较上年同期减少72.82%，2025年扣除与主营业务无关的业务收入和不具备商业实质的收入后的营业收入较上年同期减少72.95%，主要系销售订单减少，以及在本期验收量减少所致。 2、2025年利润总额较上年同期减少184.25%，归属于上市公司股东的净利润较上年同期减少171.32%，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益后的净利润较上年同期减少289.58%，主要系行业周期性波动、公司本期验收产品结构暂时性变动及主要验收的光伏产品毛利率下降所致。 3、2025年经营活动产生的现金流量净额较上年同期减少1705.99%，主要系本期销售收入下降及客户回款减少所致。 4、2025年基本每股收益、稀释每股收益较上年同期减少171.79%，主要系本期归属于上市公司股东的净利润下降所致。 5、2025年扣除非经常性损益后的基本每股收益较上年同期减少290.91%，主要系扣非净利润减少所致。 七、境内外会计准则下会计数据差异 (一)同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用√不适用 (二)同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用√不适用 (三)境内外会计准则差异的说明： □适用√不适用 八、2025年分季度主要财务数据 季度数据与已披露定期报告数据差异说明√适用□不适用 公司在确认2025年销售收入时，将已完成发货、安装调试并获取了客户的验收单后的部分业务分批确认了收入。2025年，公司下游部分行业进入深度调整周期，客户的开工及生产都受到影响。在2025年年报审计过程中，会计师根据期后该业务中设备实际运行状态和对应的付款进度比例，基于谨慎性原则，将该项业务收入的确认时间点进行了调整，公司对相应的财务报表及披露信息进行更正。目前该业务项下相关设备已持续运行一定时间，上述所涉及调整的收入预计将于2026年上半年确认。本次调整属于会计核算层面的谨慎性处理。 九、非经常性损益项目和金额 √适用□不适用 对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项目认定为非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。□适用√不适用 十一、存在股权激励、员工持股计划的公司可选择披露扣除股份支付影响后的净利润□适用√不适用 十二、非企业会计准则财务指标情况 □适用√不适用 十三、采用公允价值计量的项目 √适用□不适用 □适用√不适用 第三节管理层讨论与分析 一、报告期内公司所从事的主要业务、经营模式、行业情况说明 (一)主要业务、主要产品或服务情况 1.公司的主营业务 公司是一家半导体专用设备供应商，主要从事晶体生长设备的研发、生产和销售。自成立以来，公司基于高温高真空晶体生长设备的技术同源性，结合“晶体生长设备—工艺技术—晶体材料”产业链上下游技术协同优化的能力，致力于新产品、新技术及新工艺的研究与开发，并聚焦于半导体领域，向半导体材料厂商及其他材料客户提供半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉和其他设备等定制化产品。公司凭借多应用领域产品技术开发经验，已在晶体生长设备领域形成丰富产品序列，可满足客户差异化、定制化的晶体生长制造工艺需求，逐步发展成为国内具有较强竞争力的半导体级晶体生长设备供应商。依靠优质的产品及服务质量，公司得到了众多主流半导体厂商的认可，陆续开拓了上海新昇、金瑞泓、神工股份、三安光电、合晶科技、比亚迪等客户，已取得良好的市场口碑，确立了公司在半导体级晶体生长设备领域的市场地位。 2.公司的主要产品 根据客户在晶体技术指标、产品类型及工艺路线、设备配置及技术规格参数等不同的定制化工艺方案，公司主要为半导体材料厂商及其他材料客户提供定制化晶体生长设备，以满足不同客户差异化、定制化的晶体生长制造工艺需求。经过多年持续的研发投入和技术工艺积累，公司开发了包括半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉及其他设备等主要产品，具体情况如下： （1）半导体级单晶硅炉 公司生产的半导体级单晶硅炉主要应用于8-12英寸半导体硅片制造，设备结构设计具有高稳定性、高可靠性等特点，通过配备自主研发晶体生长控制、热场系统，能够满足不同技术规格半导体级硅片的生长及制造要求。 根据不同客户关于产品技术规格及晶体生长工艺的需要，公司开发了与产品相配套的标准化工艺方案，可为客户提供热场开发、长晶控制系统策略、视觉识别系统、磁力强度及分布设计、氧化物过滤系统等主要构成要素的定制化“晶体生长设备+工艺方案”，从而更好地满足不同客户的差异化应用需求。 公司半导体级单晶硅炉完整覆盖主流12英寸、8英寸轻掺、重掺硅片制备，生长晶体制备硅片可实现19nm存储芯片、28nm以上通用处理器芯片、CIS/BSI图像传感器芯片，以及90nm以上指纹识别、电源管理、信号管理、液晶驱动芯片等半导体器件制造，28nm以上制程工艺已实现批量化生产。 （2）碳化硅单晶炉 公司生产的碳化硅单晶炉主要应用于6-12英寸碳化硅单晶衬底的制备，具有高精度控温控压、生产工艺可复制性强、高稳定性运行、结构设计模块化、占地小等特点。 公司碳化硅单晶炉需满足客户在特定工艺技术路线下关于控温精度、控压精度、工艺气体流量精度、极限真空、压升率的指标参数要求，保证设备长晶产出的一致性和稳定性，满足客户特定压力及温度控制策略的应用需要，匹配客户晶体生长工艺/技术路线要求。针对不同客户对于设备指标参数、晶体生长工艺/技术路线的差异化适配性需求，产品具有定制化特点。公司可根据不同客户关于设备指标参数、晶体生长工艺/技术路线的需要，实现腔室结构、加热方式、生长过程监控、控制方式等主要产品构成要素的定制化方案，可满足不同下游客户差异化应用需求。公司碳化硅单晶炉结构的模块化设计，可根据不同客户的不同需求，切换设备功能部件，便于备货并能大大缩短供货周期。 公司碳化硅单晶炉包含PVT感应加热/电阻加热单晶炉、TSSG单晶炉等类别产品，下游应用完整覆盖主流导电型/半绝缘型碳化硅晶体生长及衬底制备：①在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅外延片，可进一步制成碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，下游应用领域主要包括新能源汽车（主驱逆变器、车载充电机（OBC）、车载电源转换器、充电桩、UPS等）、光伏发电（光伏逆变器）、工业、家电、轨道交通、智能电网、航空航天等；②在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片，可制成HEMT等微波射频器件，下游应用领域主要包括5G通信、卫星、雷达等。 （3）其他设备 除上述主要产品外，公司