业绩摘要
- 2026Q2公司营收238.6亿美元，同比增长196.3%，高于彭博一致预期；毛利率74.4%，同比增长37.6个百分点；经营利润161.4亿美元，同比增长810.0%；营业利润率67.6%；GAAP净利润137.6亿美元，Non-GAAP净利润140.2亿美元，同比增长58.8%；Non-GAAP摊薄EPS达12.1美元，高于彭博一致预期的9.0美元。26Q3收入指引中值335亿美元，同比增加260.2%，超彭博一致预期，毛利率指引81.0%，摊薄EPS中值18.9美元。
AI需求重构存储周期，内存产品供给端严重受限
- DRAM营收同比增长206.5%达187.8亿美元；NAND营收同比增长169.4%达50.0亿美元。
- 市场从数据中心到端侧AI的内存需求全方位爆发，但晶圆厂洁净室资源有限，未来两年供给紧张。
- HBM4已于Q1开始量产出货，预计良率爬坡快于HBM3E，下一代HBM4E将于2027年量产。
- 公司指引2026年DRAM bit和NAND bit出货量同比增长约20%。
- 预计2026/2027财年公司DRAM收入同比增长217%/56%达898/1403亿美元，HBM收入同比增长138%/80.0%达126/227亿美元。
首签五年期战略长协订单，未来两年资本开支强劲增长
- Q2公司签署首份五年期战略合作订单，包含明确的多年销量及价格承诺，标志着存储行业强周期性特征逐步转变为高可见度的盈利模式。
- 公司指引2026财年资本开支将超250亿美金，用于Tongluo收购及美国工厂建设，2027财年资本开支同比增长将超100亿美元。
北美唯一存储原厂商，积极加速技术迭代及产能扩张
- 作为美国唯一DRAM及NAND制造商，公司长期订单仍有战略保障。
- 2026财年公司将受益于DRAM 1-alpha和NAND G9节点的技术迭代带来的显著效率提升及成本下降，DRAM1-delta节点将加大EUV的使用优化洁净室生产效率。
目标价626美元，买入评级
- 未来公司将受益于AI及传统服务器内存需求增长带动HBM及DRAM量价齐升，NAND扩产谨慎，利润率将大幅上涨。
- 预计2026–2028财年公司营收分别为1150/1804/1900亿美元，三年CAGR为137.3%；净利润分别为700/1113/1142亿美元。
- 考虑到这轮AI带动的存储行业周期将持续更长时间，给予美光2026财年10X PE的估值，对应目标价626美元，给予买入评级。
风险因素
- AI需求不及预期；HBM4产能爬坡及良率不及预期；DRAM和NAND供过于求时间早于预期。
存储产品未来三年营收情况预期
- 假设2026-2028年公司DRAM产能分别为101.2/116.9/128.6亿GB，ASP分别为7.6/10.1/9.6美元/GB，公司DRAM业务收入分别为898.2/1403.4/1507.2亿美元，三年复合增长率74.7%。
- HBM产能分别为8.3/124.2/149.1亿GB，ASP分别为15.2/18.2/18.6美元/GB，HBM业务收入将分别达到125.9/226.6/277.4亿美元，三年复合增长率73.6%。
- 未来三年DRAM收入CAGR为74.7%，HBM收入CAGR为73.6%。
