Global Storage Technology: Optimistic Investor Sentiment in Singapore, Comparison of DRAM Spot and NAND, SK Square and Wonik

核心观点与关键数据

新加坡投资者会议要点

• 部分投资者对 NAND、后端设备等板块持看空态度，但对 DRAM 和韩国科技保持乐观。
• 估值逻辑从 P/B 转向 P/E 受到市场认可，即使 10-20x P/E 仍具高弹空间。
• 虚拟科技巡游显示：
  • 季节性上涨预期（1Q/2Q 芯片价格）；
  • 韩国（永登/平泽）新晶圆厂加速建设；
  • 英伟达 HBM4/HBM4e、LPDDR5 显著拉动需求；
  • 股息、回购、ADR 等股东回报计划优于预期。

DRAM 市场动态

• 节后价格未如预期回调，因芯片订单持续上升。
• 16Gb DDR5 景气强劲，本周价格创纪录达 $39/片，累计涨幅超 70%（10-1 月）。
• DDR4 价格持续反弹（8Gb 超越历史高位），512Gb NAND 季节性上涨（1 月/2 月累计 +25%）。
• 合同价格稳定：DDR5/DDR4 月均涨幅 5-15%（12 月），服务器 DRAM 涨幅 60-65%（1-2 月）。

NAND 市场动态

• 512Gb NAND 晶圆价格持续上涨（1 月/2 月累计 +10%），10-25 月累计涨幅超 40%。
• 合同价格加速（1-2 月月均 +25-30%），但 2 月环比放缓至 +10%。

行业公司分析

• SK Square：受益于海力士业绩向好（2026 年后预期 W2000 亿分红+回购），目标价 W850,000，45% 折扣率低于历史均值。
  • 上行风险：HBM 需求强劲、内存价格持续上涨、股东回报加码。
  • 下行风险：AI 资本开支不及预期、竞争加剧、海力士 HBM 市场份额下滑。
• Wonik IPS：目标价 W80,000（基于 2026-27 年 23x P/E），当前估值偏高。
  • 上行风险：设备订单超预期。
  • 下行风险：外企份额侵蚀或三星/海力士订单削减超预期。

韩国半导体出口

• 2 月出口额创纪录达 151 亿美元（环比 +41%），累计 28 个月正增长（YoY +134%）。
• 英伟达营收强劲：1 月总营收 68 亿美元（YoY +73%），数据中心业务 62 亿美元（+75%）；4 月指引 YoY +77%。

三星旗舰机型

• Galaxy S26 Ultra 配置升级（12/16GB DRAM vs 12GB），S26 NAND 容量最低 256GB（128GB 为 S25 标准）。
• Plus/常规版提价 $100，Ultra 维持不变；相机规格未调整。

估值与市场表现

• 内存板块 P/B 处于周期高位（受 AI 驱动），但 P/E 仍低，未来或因业绩增长、利润率提升而重估。
• 1 月-2 月内存股持续上涨，韩国芯片 P/E 仍具吸引力。