天风电新砷化镓专家交流要点02011

砷化镓在太空能源上的优点

• 当前主流路线，验证充分，成熟度高，稳定性强。
• 卫星电池要求高，晶硅虽实验室效率达33%但未长期验证，存在风险，主要应用于地面。
• 高轨卫星、大载荷卫星优势明显：高轨辐射要求高，砷化镓抗辐射性能优于硅基；柔性砷化镓适合算力卫星等大载荷应用。

砷化镓外延片&芯片的价格和成本

• 外延片：4寸为主流，单片价格3000元（成本1600元），其中衬底（锗）成本600-700元，其他近1000元；6寸面积更大利于降本。
• 芯片：前期由院所单位生产，成本2000-3000元/片（外延成本占1600元）。

降本方向

• 目标降低30%以上，规模效应可进一步降本（衬底、芯片、人工等环节）。
• 具体路径：国产化提升（如石墨件国产化率80%降本50%）、MO源国产化；海外已用非锗衬底生产柔性太阳翼降本。

扩产壁垒

• 外延片是关键卡脖子环节，仅乾照、凯迅、德华等少数企业具备MOCVD工艺（设备主要进口德国，订货周期10个月，国内设备未成熟）。
• 衬底扩产难度不大，核心是良率问题。

技术迭代

• 当前主流三结技术，后续向全光谱（四结、五结）发展：五结理论效率上限60%-70%，当前效率43.5%（芯片级，不含太阳翼）。

外延片企业向下游布局

• 少数企业向芯片和电源系统一体化发展，优势是产业链降本，但验证周期长（2-3年，需卫星发射验证），上星质量要求高。