全球氮化镓龙头，产业进入快速成长期

核心观点

英诺赛科是全球领先的氮化镓（GaN）功率器件IDM厂商，专注于8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延与器件的研发、设计、生产和销售。公司掌握从外延生长、芯片设计、晶圆制造到封装测试的全产业链核心环节，是全球少数具备大规模量产8英寸GaN能力的企业。

GaN产业步入高速增长阶段，下游应用多点开花。GaN作为第三代半导体的关键材料，凭借其在高频、高效、高功率密度等方面的卓越性能，在消费电子、数据中心、汽车、新能源发电、机器人等领域具有广阔应用前景，正持续提升渗透率。

8英寸GaN-on-Si量产技术与IDM模式构筑核心制造与成本壁垒。相较于6英寸产品，8英寸产品在成本和生产效率上更具优势；IDM模式则有利于技术的快速迭代和供应链的稳定可控。公司在全球率先实现8英寸GaN-on-Si大规模量产，2024年集团整体良率已超过95%。

市场份额提升彰显龙头气质，携手意法加速全球布局。根据Yole数据，2020-2023年间，公司凭借自身在产品、成本、产能端的多方面优势，全球市场份额从7%提升至31%。2024年，意法半导体为基石投资者参与公司IPO发行，并于2025年4月与公司签订协议开展技术联合开发，形成战略协同。

关键数据

• 2023年全球GaN市场规模：17.60亿元
• 2019-2023年全球GaN市场规模CAGR：88.5%
• 2023年全球GaN市场渗透率：0.5%
• 2020-2023年公司全球市场份额：31%
• 2024年公司海外收入同比增长：118.1%
• 2025/2026/2027年公司收入预测：13.49/22.88/37.36亿元
• 2025/2026/2027年公司归母净利润预测：-5.54/-0.83/4.93亿元
• 2027年公司对应PE：72.51倍

研究结论

公司有望充分受益于GaN行业渗透率提升趋势，凭借其核心竞争力，未来有望进一步巩固自身全产业链布局优势，带动收入规模持续扩张。首次覆盖，给予“增持”评级。