上海新阳：2024年年度报告

上海新阳半导体材料股份有限公司 2024年年度报告 2025年4月18日 2024年年度报告 第一节重要提示、目录和释义 公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 公司负责人王溯、主管会计工作负责人周红晓及会计机构负责人(会计主管人员)周红晓声明：保证本年度报告中财务报告的真实、准确、完整。所有董事均已出席了审议本报告的董事会会议。 本年度报告涉及的发展战略、经营计划及其他未来计划等前瞻性陈述，均不构成公司对任何投资者及相关人士的实质承诺，投资者及相关人士应对此保持足够的风险认识，并且应当理解计划、预测与承诺之间的差异。 本公司请投资者认真阅读本年度报告全文，并特别注意公司在本报告第三节“管理层讨论与分析”之“十一、公司未来发展的展望”中“（三）公司面临的风险因素和应对措施”部分，详细描述了公司经营中可能存在的风险及应对措施，敬请投资者关注相关内容。 公司经本次董事会审议通过的利润分配预案为：以311496558为基数，向全体股东每10股派发现金红利2.6元（含税），送红股0股（含税），以资本公积金向全体股东每10股转增0股。 目录 第一节重要提示、目录和释义..........................................................2第二节公司简介和主要财务指标........................................................9第三节管理层讨论与分析.............................................................13第四节公司治理.....................................................................58第五节环境和社会责任...............................................................92第六节重要事项....................................................................102第七节股份变动及股东情况..........................................................111第八节优先股相关情况..............................................................117第九节债券相关情况................................................................118第十节财务报告....................................................................119 备查文件目录 一、载有公司法定代表人、主管会计工作负责人、公司会计机构负责人（会计主管人员）签名并盖章的财务报表； 二、载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件； 三、在中国证监会指定信息披露网站上公开披露过的所有公司文件正本及公告原稿； 四、载有公司法定代表人签名的年度报告文本原件。 释义 第二节公司简介和主要财务指标 一、公司信息 二、联系人和联系方式 三、信息披露及备置地点 四、其他有关资料 公司聘请的报告期内履行持续督导职责的保荐机构 五、主要会计数据和财务指标 公司是否需追溯调整或重述以前年度会计数据 □是否扣除非经常损益前后的净利润孰低者为负值□是否 六、分季度主要财务指标 单位：元 七、境内外会计准则下会计数据差异 1、同时按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 □适用不适用公司报告期不存在按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。 2、同时按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 □适用不适用公司报告期不存在按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。 八、非经常性损益项目及金额 适用□不适用 主要是公司承接的“28nm铜工艺刻蚀后晶圆清洗液”、“2011电子信息产业振兴和技术改造项目建设资金”“3DNAND先进制程用高选择比氮化硅蚀刻液和铜抛光后清洗液研发与工艺应用专项”、“CMP抛光后清洗液专项”、“集成电路制造用I线、KrF、ArF高端光刻胶研发及产业化”、“DSA张江实验室项目”的研发支出，鉴于本公司于研发支出发生的当期确认相应的政府补助收入且将补助收入列作非经常性损益。因此，本公司以同口径将与上述项目对应的研发支出列作非经常性损益 将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益 □适用不适用 公司不存在将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目的情形。 第三节管理层讨论与分析 一、报告期内公司所处行业情况 （一）集成电路产业发展概况 集成电路是半导体产业的重要组成部分，是数字经济和电子信息产业最重要的基本元素，是实现电子性能的载体，支撑着算力、通信、计算机、信息家电与网络技术等电子信息产业的发展，具备广阔的市场空间和增长潜力，同时也是当前世界上最具有竞争力和最具活力的高技术产业之一。近年来受地缘冲突升级、全球经济下行、消费类电子产品需求疲软等多重因素的影响，全球半导体市场经历了显著的震荡。2024年，全球半导体市场强劲复苏，行业正步入上行周期。美国半导体行业协会（SIA）的数据显示，2024年全球半导体销售额达6,276亿美元，同比增长19.1%，首破六千亿美元大关。按地区划分，2024年美洲、中国和亚太/所有其它地区销售额同比分别增长44.8%、18.3%和12.5%，日本和欧洲分别下滑0.4%和8.1%。SIA预计2025年将再实现两位数增长。目前，中国已连续多年成为全球最大的半导体市场，占据全球市场份额近三分之一。2024年前三季度，中国国内半导体销售额达到1,358亿美元，占全球比重接近30%。我国半导体市场显现出周期性复苏，回暖趋势明显。 集成电路作为信息产业的基础和核心，是关系国民经济和社会发展全局的战略性、基础性和先导性产业。集成电路产业链包括集成电路设计、晶圆制造和封装测试等子行业。目前，我国已形成芯片设计、晶圆制造、封装测试的集成电路全产业链，行业进入新的黄金发展期，并成为全球集成电路市场增长的重要推动力之一。公司主要开发用于集成电路制造的关键工艺材料，包括电子电镀、电子清洗、电子光刻、电子研磨、电子蚀刻五大系列产品，处于整个产业链的上游环节，随着半导体制造市场的增长而增长，并对半导体产 业的发展起着重要支撑作用。根据国际半导体产业协会（SEMI）的数据，继2023年以5.5%增长率至每月2,960万片晶圆之后，全球半导体产能预计2024年将增长6.4%，突破每月3,000万片大关。在政府和其他激励措施推动下，预期中国大陆地区将扩大在全球半导体产能中的占比，全年新投产18座新晶圆厂，产能增长率将从2023年的12%增至2024年的13%，居全球之冠，每月产能将从760万片增长至860万片。国产材料供应商市场机会凸显，有望加速我公司在半导体关键领域的国产替代进程。 据中国电子材料行业协会数据显示，2023年全球湿电子化学品整体市场规模约684.02亿元，其中集成电路用湿电子化学品市场规模为462.00亿元。预计到2025年，全球湿电子化学品整体市场规模将达到827.85亿元，集成电路领域市场规模将增长至544.60亿元，湿电子化学品市场规模保持持续增长。未来随着晶圆制造工艺升级、先进封装技术应用的逐步提升，集成电路产业链对湿化学品的整体需求持续提高。按照组成成分和应用工艺不同，可将湿电子化学品分为通用湿化学品和功能性湿化学品两大类，功能性湿化学品主要包括电镀液及其添加剂、清洗液、蚀刻液等。目前，电镀液在晶圆制造和先进封装中主要应用于铜互联工艺中，该工艺系晶圆制造和先进封装的关键工艺，其具有更低的电阻率、抗电迁移性，能够满足芯片尺寸更小、功能更强大、能耗更低的技术性要求。铜互连工艺贯穿整个芯片制造过程，随着先进封装领域对镀铜材料需求的快速增加，满足集成电路制造大马士革铜互连、先进封装凸块电镀（Cu Pillar/Bump/RDL/UBM）、硅通孔（TSV）电镀等工艺要求的材料市场份额也将不断扩大，而且铜互连材料也是目前电镀材料最大的细分市场。据TECHCET数据显示，2023年金属电镀化学材料市场的销售额为9.47亿美元，较2022年下降了6%。预测2024年市场销售额将突破10亿美元大关。预计2023年到2028年，金属电镀化学材料市场复合平均增长率将超过5.4%。这一显著跃升主要因素是先进封装技术的广泛应用以及晶圆级封装需求的增长。随着异构集成、EMIB、小芯片和功率器件 等对电镀材料要求的提升，金属电镀化学品市场将迎来充满机遇的未来。 随着晶体管尺寸的不断微缩，晶圆制造工艺日益复杂，对半导体湿法清洗技术的要求也越来越高。清洗工艺亦是贯穿整个半导体制造的重要环节，几乎在芯片制造的每一道工序前后，都需要进行清洗，去除干法刻蚀灰化后晶圆表面的无机物、光刻胶、金属杂质等残余污染物，保证晶圆表面的洁净度，清洗工艺是芯片制造过程中占比最高的工序，约占所有芯片制造工序的30%，是影响半导体器件性能以及良率的重要因素之一。随着芯片工艺节点进入28-14nm，甚至更先进的节点，工艺流程更加复杂，芯片制造对沾污的敏感度更高，小尺寸条件下的沾污清洗更加困难，也就导致清洗工艺步骤不断增加，清洗工艺变得更加复杂，清洗工艺的道数变得更多，大幅增加集成电路制造商对清洗材料的需求。此外，由于12英寸晶圆产线对清洗、电镀类工艺材料的需求量较8英寸/6英寸产线有明显增加，未来随着我国12英寸晶圆产能占比的逐步提升，集成电路用工艺材料需求量有望进一步增长。 光刻胶是国际上技术门槛最高的微电子化学品之一，在大规模集成电路的制造过程中，光刻和刻蚀技术是精细线路图形加工中最重要的工艺，占芯片制造时间的40%-50%，光刻胶是光刻工艺得以实现选择性刻蚀的关键材料。据国际半导体产业协会（SEMI）统计，2023年全球光刻胶市场规模达23.51亿美元，较上年同期下降10.95%。2023年中国大陆半导体光刻胶市场规模5.42亿美元，较上年同期下降8.6%，占全球市场规模的23.1%。随着集成电路市场先进工艺的占比提升，预计未来将保持稳步上升态势。随着制程缩减和存储容量提升，光刻次数增加，单位面积光刻胶的金额也会越来越高。 CMP研磨液（Slurry）是晶圆化学机械研磨过程的重要耗材，由固体粒子研磨剂、表面活性剂、稳定剂、氧化剂等成分构成，借助纳米粒子的研磨及氧化剂的腐蚀作用，从而实现化学机械相结合的抛光效果。CMP抛光是晶圆制造不可或缺的一环，在晶圆制造中占 据了举足轻重的地位。根据SEMI数据显示，CMP研磨液市场份额较大，占晶圆制造材料市场规模的7%，是晶圆制程中用量最大的电子化学品之一。未来随着半导体产业规模的不断增长，IC制程节点不断推进、存储芯片制程技术升级和演进，芯片对于平坦化的要求提高，CMP步骤增加，CMP材料需求会持续扩大。 晶圆制造过程中的蚀刻是存储芯片制造的关键核心环节，通常分为湿蚀刻和干蚀刻两种，蚀刻液为湿蚀刻技术中使用的重要材料，利用氧化还原反应达到蚀刻目的，目前广泛应用于芯片制造过程中。公司开发的电子蚀刻系列材料是NAND、DRAM存储芯片生产制造过程中的关键工艺材料，在存储芯片技术升级迭代中起关键