新股预览：英诺赛科

背景

公司致力于推动全球功率半导体行业创新，专注于氮化镓（GaN）功率半导体领域的发展，并促进其生态系统建设。氮化镓功率半导体作为功率电子产品的开关或整流器，是电源核心部件。硅基氮化镓技术结合了氮化镓的高电子流动性和热稳定性，以及硅的成本效益和可扩展性，成为高功率及高频率应用的理想选择。公司是全球首家实现8英寸硅基氮化镓晶圆量产的企业，也是唯一具备产业规模提供全电压谱系硅基氮化镓半导体产品的公司。

行业潜力

根据弗若斯特沙利文数据，公司在全球功率半导体行业的市场份额为0.2%，在内地的市场份额为0.4%。2023年，公司在全球所有氮化镓功率半导体公司中收入排名第一。可再生能源和运算密集型应用的兴起推动了对更高效、更具经济效益的功率半导体产品的需求激增。氮化镓作为宽带隙半导体材料，已成为功率半导体行业变革的核心，预计到2028年将占全球功率半导体市场的10.1%。

公司优势

公司在8英寸硅基氮化镓工艺技术方面占据市场领先地位，拥有406项专利及387项专利申请，涵盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键领域。公司通过与知名客户合作，推出创新产品，扩大氮化镓产品的应用范围。公司提供覆盖15V至1,200V的高性能氮化镓分立器件，适用于各种低、中、高压应用场景。

先发优势

公司采用IDM模式，自主掌控从设计、制造、封装、测试到销售的全流程。该模式促进协调和协同效应，确保产品质量和稳定产能，通过迭代设计和工艺改进推动创新，并支持成本效益的规模扩张。IDM模式使公司能迅速发现并解决应用挑战，相对于竞争对手具有显著先发优势。

分析师

分析师：陈政生，伍礼贤，梁嘉豪

免责声明

本报告仅供参考，不构成投资建议，投资者需独立判断。