核心观点
光刻是先进制程的关键步骤,决定了芯片的制程与性能。光刻分辨率由光源波长、数值孔径、光刻工艺因子决定,通过缩短光源波长、增大数值孔径、减小光刻工艺因子可以提高光刻分辨率,进而提升芯片的性能。28nm是工艺节点的重要分水岭,在性价比方面与下一代工艺有着较大差异。多重曝光工艺可跨越光刻机极限分辨率,实现更小线宽。EUV光刻机在工艺和成本上更具优势,是光刻机行业市场规模的主要增长来源。
关键数据
- 2023年光刻机市场规模257亿美元,占晶圆生产设备总市场的24%。
- 2011年光刻机市场规模257亿美元,预计2022-2028年全球光刻机市场规模CAGR有望达到6%。
- 2019-2023年全球光刻机出货量CAGR达16.75%,其中ASML出货量CAGR达18.33%。
- 2019-2023年全球光刻机营收CAGR达17.5%。
- 2023年EUV光刻机平均售价(ASP)由2018年的1.0亿欧元提升至2023年的1.7亿欧元。
竞争格局
光刻机行业属于寡头垄断格局,ASML、Nikon、Canon三大光刻机供应商占据了99%以上市场份额,ASML为行业龙头。ASML在高端光刻机(EUV、ArFi、ArF)市场占据绝对优势,市占率分别为100%/92%/80%。Nikon和Canon则凭借价格优势占据中低端光刻机(KrF、i-line)市场。
国产光刻机
中国除港澳台地区光刻机进口规模大,替代空间广。陆资晶圆代工厂产能持续扩张带动光刻机需求提升。美日荷对华先进制程封锁,光刻机国产化势在必行。上海微电子作为目前国内唯一前道光刻机整机制造商,其自主研发的600系列前道光刻机可批量生产90nm工艺的芯片,500系列后道制造光刻机占据80%以上国内市场。国产供应链方面,科益虹源作为我国唯一、全球第三家从事光刻准分子激光技术全链条研发的公司,193nmArF准分子激光器完成出货。国望光学研发面向28nm节点的ArFi光刻曝光光学系统,国科精密团队成功研制国内首套NA0.75ArF曝光光学系统。华卓精科与清华大学团队持续攻坚浸没式光刻机用双工件台DWSi。
产业链相关公司
茂莱光学、福晶科技、福光股份、腾景科技、波长光电、永新光学、蓝特光学、炬光科技、赛微电子等。
风险提示
国外顶尖制程工艺再度突破的风险、国产光刻机研发及落地不及预期的风险、下游需求疲软,晶圆代工厂扩产不及预期、光刻机出口管制进一步加剧的风险。