斯达半导：2024年半年度报告

公司代码：603290公司简称：斯达半导 斯达半导体股份有限公司2024年半年度报告 重要提示 一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、公司全体董事出席董事会会议。 三、本半年度报告未经审计。 四、公司负责人沈华、主管会计工作负责人张哲及会计机构负责人（会计主管人员）岑淑声明： 保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 五、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无 六、前瞻性陈述的风险声明 √适用□不适用 本报告中所涉及的未来计划、发展筹略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。 七、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 八、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况否 九、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十、重大风险提示 公司已在本报告中详细描述可能存在的风险因素，请查阅董事会报告中关于公司未来发展的讨论与分析中可能面对的风险因素及对策部分的内容。 十一、其他 □适用√不适用 目录 第一节释义4 第二节公司简介和主要财务指标5 第三节管理层讨论与分析8 第四节公司治理19 第五节环境与社会责任21 第六节重要事项23 第七节股份变动及股东情况36 第八节优先股相关情况41 第九节债券相关情况42 第十节财务报告43 备查文件目录 载有公司法定代表人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签字并盖章的财务报表载有公司董事长签名的《2024年半年度报告》 第一节释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 常用词语释义斯达半导/公司 指 斯达半导体股份有限公司 香港斯达 指 香港斯达控股有限公司 浙江兴得利 指 浙江兴得利纺织有限公司 富瑞德投资 指 嘉兴富瑞德投资合伙企业（有限合伙） 上海道之 指 上海道之科技有限公司 浙江谷蓝 指 浙江谷蓝电子科技有限公司 斯达电子 指 嘉兴斯达电子科技有限公司 斯达微电子 指 嘉兴斯达微电子有限公司 斯达欧洲 指 斯达半导体欧洲股份公司（StarPowerEuropeAG） 斯达集成 指 嘉兴斯达集成电路有限公司 斯达上海 指 斯达半导体（上海）有限公司 重庆安达 指 重庆安达半导体有限公司 国务院 指 中华人民共和国国务院 工信部 指 中华人民共和国工业和信息化部 报告期、报告期内 指 2024年1月1日至2024年6月30日 Fabless 指 是Fabrication(制造)和less(无、没有)的组合，是指"没有制造业务、只专注于设计"半导体公司运营模式 IDM 指 IntegratedDesign&Manufacture，设计与制造一体的一种半导体公司运营模式 IGBT 指 绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOSFET（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点 MOSFET 指 金属氧化层半导体场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor-Field-EffectTransistor），是高输入阻抗、电压控制器件 BJT 指 也称双极型晶体管（BipolarJunctionTransistor），是一种具有三个终端的电子器件，是低输入阻抗、电流控制器件 IPM 指 智能功率模块，不仅把功率开关器件和驱动电路集成在一起。而且还内置有过电压，过电流和过热等故障检测电路，并可将检测信号送到CPU。它由高速低功耗的管芯和优化的门极驱动电路以及快速保护电路构成 Tier1 指 产品直接供应整车厂的汽车零部件供应商 快恢复二极管（FRD） 指 快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管 第二节公司简介和主要财务指标 一、公司信息 公司的中文名称 斯达半导体股份有限公司 公司的中文简称 斯达半导 公司的外文名称 StarPowerSemiconductorLtd. 公司的外文名称缩写 StarPower 公司的法定代表人 沈华 二、联系人和联系方式 董事会秘书 证券事务代表 姓名 张哲 李君月 联系地址 浙江省嘉兴市南湖区科兴路988号 浙江省嘉兴市南湖区科兴路988号 电话 0573-82586699 0573-82586699 传真 0573-82588288 0573-82588288 电子信箱 investor-relation@powersemi.com investor-relation@powersemi.com 三、基本情况变更简介 公司注册地址 浙江省嘉兴市南湖区科兴路988号 公司注册地址的历史变更情况 无 公司办公地址 浙江省嘉兴市南湖区科兴路988号 公司办公地址的邮政编码 314006 公司网址 www.powersemi.com 电子信箱 investor-relation@powersemi.com 报告期内变更情况查询索引 无 四、信息披露及备置地点变更情况简介 公司选定的信息披露报纸名称 《上海证券报》、《中国证券报》、《证券时报》、《证券日报》 登载半年度报告的网站地址 www.sse.com.cn 公司半年度报告备置地点 本公司董事会秘书办公室 报告期内变更情况查询索引 无 五、公司股票简况 股票种类 股票上市交易所 股票简称 股票代码 变更前股票简称 A股 上海证券交易所 斯达半导 603290 / 六、其他有关资料 □适用√不适用 七、公司主要会计数据和财务指标(一)主要会计数据 单位：元币种：人民币 主要会计数据 本报告期 （1－6月） 上年同期 本报告期比上年同期增减(%) 营业收入 1,533,108,670.90 1,687,948,400.47 -9.17 归属于上市公司股东的净利润 274,740,249.40 429,938,269.41 -36.10 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润 267,947,241.48 410,347,046.86 -34.70 经营活动产生的现金流量净额 520,962,279.20 188,524,497.41 176.34 本报告期末 上年度末 本报告期末比上年度末增减 (%) 归属于上市公司股东的净资产 6,439,936,509.09 6,435,365,819.73 0.07 总资产 9,040,413,495.34 8,483,526,496.78 6.56 (二)主要财务指标 主要财务指标 本报告期 （1－6月） 上年同 期 本报告期比上年同期增减(%) 基本每股收益（元／股） 1.15 1.80 -36.11 稀释每股收益（元／股） 1.15 1.80 -36.11 扣除非经常性损益后的基本每股收益（元／股） 1.12 1.72 -34.88 加权平均净资产收益率（%） 4.24 7.32 减少3.08个百分点 扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率（%） 4.13 6.98 减少2.85个百分点 公司主要会计数据和财务指标的说明 □适用√不适用 八、境内外会计准则下会计数据差异 □适用√不适用 (一)同时按照国际会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用√不适用 (二)同时按照境外会计准则与按中国会计准则披露的财务报告中净利润和归属于上市公司股东的净资产差异情况 □适用√不适用 (三)境内外会计准则差异的说明： □适用√不适用 九、非经常性损益项目和金额 √适用□不适用 单位:元币种:人民币 非经常性损益项目 金额 附注（如适用） 非流动性资产处置损益，包括已计提资产减值准备的冲销部分 24,662.18 计入当期损益的政府补助，但与公司正常经营业务密切相关、符合国家政策规定、按照确定的标准享有、对公司损益产生持续影响的政府补助除外 6,064,661.12 除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外，非金融企业持有金融资产和金融负债产生的公允价值变动损益以及处置金融资产和金融负债产生的损益 1,399,585.17 受托经营取得的托管费收入除上述各项之外的其他营业外收入和支出 94,891.56 其他符合非经常性损益定义的损益项目 495,079.16 减：所得税影响额 1,172,194.31 少数股东权益影响额（税后） 113,676.96 合计 6,793,007.92 对公司将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》未列举的项 目认定为的非经常性损益项目且金额重大的，以及将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目，应说明原因。 □适用√不适用 十、其他 □适用√不适用 第三节管理层讨论与分析 一、报告期内公司所属行业及主营业务情况说明(一)主要业务及所属行业 1.主要业务 公司主营业务是以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售。公司总部位 于浙江嘉兴，在上海、浙江、重庆和欧洲均设有子公司，并在国内和欧洲均设有研发中心。根据中国证监会《上市公司行业分类指引》（2012年修订），公司所属行业为计算机、通信和其他电子设备制造业，行业代码为“C39”；根据国家统计局发布的《国民经济行业分类（2017年修订）》 （GB/T4754-2017），公司所属行业为半导体分立器件制造，行业代码为“C3972”。2.主要产品及用途 公司长期致力于IGBT、快恢复二极管、SiC等功率芯片的设计和工艺及IGBT、MOSFET、SiC 等功率模块的设计、制造和测试，公司的产品广泛应用于新能源、新能源汽车、工业控制和电源、白色家电等领域。 IGBT作为一种新型功率半导体器件，是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品，是工业控制及自动化领域的核心元器件，其作用类似于人类的心脏，能够根据装置中的信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等，以实现精准调控的目的。因此，IGBT被称为电力电子行业里的“CPU”，广泛应用于新能源、新能源汽车、电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子等领域。 （二）经营模式 公司坚持以市场为导向，以技术为支撑，通过不断的研发创新，开发出满足客户需求的具有 市场竞争力的功率半导体器件，为客户提供优质的产品和技术服务。 公司产品生产环节主要分为芯片和模块设计、芯片制造、模块生产三个阶段。 阶段一：芯片和模块设计。公司产品设计包含IGBT、快恢复二极管、SiC等功率芯片的设计和功率模块的设计。本阶段公司根据客户对功率芯片关键参数的需求，设计出符合客户性能要求的芯片；根据客户对电路拓扑及模块结构的要求，结合功率模块的电性能以及可靠性标准，设计出满足各行业性能要求的功率模块。 阶段二：芯片制造。目前，公司芯片主要依靠上海华虹、上海积塔等公司代工完成。公司会根据阶段一完成的芯片设计方案委托第三方晶圆代工厂商外协制造自主研发的芯片，公司在外协制造过程中提供芯片设计图纸和工艺制作流程，不承担芯片制造环节。此外，公司募投项目正在建设SiC芯片研发及产业化项目以及高压特色工艺功率芯片研发及产业化项目，目前还处于项目建设阶段，项目建设完成后，将形成年产6万片6英寸车规级SiCMOSFET芯片以及30万片6英寸3300V以上高压特色功率芯片的生产能力。 阶段三：模块生产。模块生产是应用模块原理，将单个或多个如IGBT芯片、快恢复二极管等功率芯片用先进的封装技术封装在一个绝缘外壳内的过程。由于模块外形尺寸和安装尺寸的标准化及芯片间的连接已在模块内部完成，因此和同容量的器件相比，具有体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好等优点。本阶段公司根据不同产