中瓷电子：2024年半年度报告

河北中瓷电子科技股份有限公司 2024年半年度报告 2024年8月 第一节重要提示、目录和释义 公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实、准确、完整，不存在虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 公司负责人卜爱民、主管会计工作负责人董惠及会计机构负责人(会计主管人员)马美艳声明：保证本半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 所有董事均已出席了审议本次半年报的董事会会议。 本半年度报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述，不代表公司盈利预测，不构成公司对投资者的实质承诺，投资者及相关人士均应对此保持足够的风险认识，并且应当理解计划、预测与承诺之间的差异。请投资者注意投资风险。 本公司请投资者认真阅读本半年度报告全文，并特别注意政策风险、经营风险、市场风险、财务风险、舆情风险等风险因素，具体内容详见“第三节管理层讨论与分析之十一、风险及应对措施。 公司计划不派发现金红利，不送红股，不以公积金转增股本。 目录 第一节重要提示、目录和释义2 第二节公司简介和主要财务指标6 第三节管理层讨论与分析9 第四节公司治理21 第五节环境和社会责任22 第六节重要事项23 第七节股份变动及股东情况44 第八节优先股相关情况52 第九节债券相关情况53 第十节财务报告54 备查文件目录 （一）载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人（会计主管人员）签名并盖章的财务报表。 （二）载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件（如有）。 （三）报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。 （四）在其他证券市场公布的半年度报告。 释义 释义项 指 释义内容 中瓷电子、股份公司或公司 指 河北中瓷电子科技股份有限公司 中瓷有限 指 河北中瓷电子科技有限公司 中国电科、实际控制人 指 中国电子科技集团有限公司、中国电子科技集团公司 中国电科十三所、控股股东 指 中国电子科技集团公司第十三研究所 电科投资 指 中电科投资控股有限公司 泉盛盈和 指 石家庄泉盛盈和企业管理合伙企业（有限合伙） 中电信息 指 中电电子信息产业投资基金（天津）合伙企业（有限合伙） 中电国元 指 合肥中电科国元产业投资基金合伙企业（有限合伙） 分公司 指 河北中瓷电子科技股份有限公司石家庄高新区分公司 子公司、博威公司 指 河北博威集成电路有限公司 子公司、国联万众 指 北京国联万众半导体科技有限公司 公司章程或章程 指 《河北中瓷电子科技股份有限公司章程》 三会 指 股东大会、董事会、监事会 证监会、中国证监会 指 中国证券监督管理委员会 保荐人、保荐机构、主承销商 指 中航证券有限公司 独立财务顾问 指 中信证券股份有限公司、中航证券有限公司 大华会计师事务所、审计机构 指 大华会计师事务所（特殊普通合伙） 《公司法》 指 《中华人民共和国公司法》 《证券法》 指 《中华人民共和国证券法》 报告期、本报告期 指 2024年半年度 电子陶瓷 指 是采用人工精制的无机粉末为原料，通过结构设计、精确的化学计量、合适的成型方法和烧成制度而达到特定的性能，经过加工处理使之符合使用要求尺寸精度的无机非金属材料 氮化铝陶瓷 指 以氮化铝（AlN）为主体的陶瓷材料 5G 指 第五代移动通信技术（5th-Generation），是最新一代蜂窝移动通信技术 第二节公司简介和主要财务指标 一、公司简介 股票简称 中瓷电子 股票代码 003031 变更前的股票简称（如有） 无 股票上市证券交易所 深圳证券交易所 公司的中文名称 河北中瓷电子科技股份有限公司 公司的中文简称（如有） 中瓷电子 公司的外文名称（如有） HEBEISINOPACKELECTRONICTECHNOLOGYCO.,LTD. 公司的外文名称缩写（如有） SINOPACK 公司的法定代表人 卜爱民 二、联系人和联系方式 董事会秘书 证券事务代表 姓名 董惠 王丹 联系地址 石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街21号 石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街21号 电话 0311-83933981 0311-83933981 传真 0311-83933956 0311-83933956 电子信箱 hui.dong@sinopack.cc dan.wang@sinopack.cc 三、其他情况 1、公司联系方式 公司注册地址、公司办公地址及其邮政编码、公司网址、电子信箱等在报告期是否变化 □适用☑不适用 公司注册地址、公司办公地址及其邮政编码、公司网址、电子信箱等在报告期无变化，具体可参见2023年年报。 2、信息披露及备置地点 信息披露及备置地点在报告期是否变化 □适用☑不适用 公司披露半年度报告的证券交易所网站和媒体名称及网址，公司半年度报告备置地在报告期无变化，具体可参见2023年年报。 3、其他有关资料 其他有关资料在报告期是否变更情况 □适用☑不适用 四、主要会计数据和财务指标 公司是否需追溯调整或重述以前年度会计数据 ☑是□否 追溯调整或重述原因同一控制下企业合并 本报告期 上年同期 本报告期比上年同期增减 调整前 调整后 调整后 营业收入（元） 1,222,346,282.04 700,400,221.13 1,252,934,433.78 -2.44% 归属于上市公司股东的净利润（元） 212,280,924.62 78,862,087.93 226,564,181.63 -6.30% 归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润（元） 170,326,748.67 70,467,889.94 83,712,929.30 103.47% 经营活动产生的现金流量净额（元） 317,724,319.27 155,414,563.00 419,875,686.46 -24.33% 基本每股收益（元/股） 0.47 0.38 1.08 -56.48% 稀释每股收益（元/股） 0.47 0.38 1.08 -56.48% 加权平均净资产收益率 3.72% 6.09% 8.65% -4.93% 本报告期末 上年度末 本报告期末比上年度末增减 调整前 调整后 调整后 总资产（元） 7,706,199,555.65 7,253,966,066.05 7,253,966,066.05 6.23% 归属于上市公司股东的净资产（元） 5,712,457,688.09 5,618,751,136.89 5,618,751,136.89 1.67% 五、境内外会计准则下会计数据差异 1、同时按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 □适用☑不适用 公司报告期不存在按照国际会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。 2、同时按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 □适用☑不适用 公司报告期不存在按照境外会计准则与按照中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。 六、非经常性损益项目及金额 ☑适用□不适用 单位：元 项目 金额 说明 非流动性资产处置损益（包括已计提资产减值准备的冲销部分） 709.06 计入当期损益的政府补助（与公司正常经营业务密切相关、符合国家政策规定、按照确定的标准享有、对公司损益产生持续影响的政府补助除外） 22,133,544.07 除同公司正常经营业务相关的有效套期保值业务外，非金融企业持有金融资产和金融负债产生的公允价值变动损益以及处置金融资产和金融负债产生的损益 26,720,743.57 除上述各项之外的其他营业外收入和支出 140,396.46 其他符合非经常性损益定义的损益项目 1,892,355.73 减：所得税影响额 7,633,162.34 少数股东权益影响额（税后） 1,300,410.60 合计 41,954,175.95 其他符合非经常性损益定义的损益项目的具体情况： ☑适用□不适用 根据《关于继续实施科技企业孵化器、大学科技园和众创空间有关税收政策的公告》（财政部税务总局科技部教育部公告2023年第42号）,《财政部、税务总局、科技部、教育部关于科技企业孵化器、大学科技园和众创空间税收 政策的通知》（财税[2018]120号）中规定的税收优惠政策，执行期限延长至2027年12月31日。按照文件规定，公司 子公司国联万众2024年1月1日至6月30日减免土地使用税21,067.20元，减免房产税1,871,288.53元。上述减免影 响2024年度当期损益的金额计入其他符合非经常性损益定义的损益项目。 将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益项目的情况说明 □适用☑不适用 公司不存在将《公开发行证券的公司信息披露解释性公告第1号——非经常性损益》中列举的非经常性损益项目界定为经常性损益的项目的情形。 第三节管理层讨论与分析 一、报告期内公司从事的主要业务 公司业务分为两大方面：第三代半导体器件及模块，电子陶瓷材料及元件。1、第三代半导体器件及模块： 氮化镓通信基站射频芯片与器件：在通信基站中主要用于移动通信基站发射链路，实现对通信射频信号的功率放大，根据应用场景不同，氮化镓通信基站射频芯片与器件分为大功率基站氮化镓射频芯片及器件和MIMO基站氮化镓射频芯片及器件。微波点对点通信射频芯片与器件主要应用于点对点通信数据无线回传系统。 碳化硅功率模块及其应用：基于自有先进芯片技术，碳化硅功率系列产品在技术参数、制造成本等方面具有明显的竞争优势，中低压碳化硅功率产品主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，高压碳化硅功率产品瞄准智能电网、动力机车、轨道交通等应用领域，实现对硅基IGBT功率产品的覆盖与替代。 2、电子陶瓷材料及元件： 电子陶瓷业务：通信器件用电子陶瓷外壳、工业激光器用电子陶瓷外壳、消费电子陶瓷外壳及基板、汽车电子件、精密陶瓷零部件，广泛应用于光通信、无线通信、轨道交通、工业激光、消费电子、低碳供热制冷、汽车电子、半导体设备等领域。 氮化镓通信基站射频芯片：分为大、小功率氮化镓通信基站射频芯片两种，覆盖芯片生产制造环节，主要为博威公司及国联万众提供其终端产品所需的氮化镓通信基站射频芯片。 二、核心竞争力分析 1、成熟的技术和工艺 （1）第三代半导体器件及模块： 建立了完善的研发平台，在氮化镓通信基站、微波点对点通信射频芯片与器件领域具备较强的技术基础，以及产业化批量生产工艺与能力。 在研发平台方面，建立了5G大功率基站氮化镓射频器件平台、5GMIMO基站氮化镓射频器件平台、微波点对点通信射频器件平台、半导体器件可靠性技术研究平台，获批建设有“河北省通信基站用第三代半导体产业技术研究院”、“第三代半导体功率器件和微波射频器件河北省工程研究中心”。另外，建立了完善的设计规范与标准，配备了相应的试验设备，有效支撑公司在相应领域的业务拓展、技术升级、质量提升等。 技术基础方面，突破了氮化镓通信基站射频芯片与器件、微波点对点通信射频芯片与器件领域设计、封装、测试、可靠性和质量控制等环节关键技术，拥有核心自主知识产权，实现产品系列化开发与产业化。 批量生产能力方面，已经具备氮化镓通信基站射频芯片与器件、微波点对点通信射频芯片与器件批量生产能力并不断推进自动化产线建设，相关产品的产能和供货能力较强。 公司是国内较早开展SiC功率半导体的研究生产单位之一，在生产的第三代半导体产品上已拥有多项专利，现有SiC功率模块包括650V、1200V和1700V等系列产品，主要应用于新能源汽车、工业电源、新能源逆变器等领域，未来拟攻关高压SiC功率模块领域，进一步抢占行业技术高地，在智能电网、动力机车、轨道交通等高压、超高压领域抢占市场份额，实现对IGBT功率模块的部分替代。国联万众的碳SiC功率产品质量及稳定性得到比亚迪、珠海零边界