安集科技：2024年半年度报告

公司代码：688019公司简称：安集科技 安集微电子科技（上海）股份有限公司2024年半年度报告 重要提示 一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、重大风险提示 公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之“五、风险因素”。 三、公司全体董事出席董事会会议。 四、本半年度报告未经审计。 五、公司负责人ShuminWang、主管会计工作负责人刘荣及会计机构负责人（会计主管人员）刘 荣声明：保证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 六、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无 七、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用√不适用 八、前瞻性陈述的风险声明 √适用□不适用 本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。 九、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 十一、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十二、其他 □适用√不适用 目录 第一节释义4 第二节公司简介和主要财务指标8 第三节管理层讨论与分析12 第四节公司治理41 第五节环境与社会责任44 第六节重要事项46 第七节股份变动及股东情况65 第八节优先股相关情况71 第九节债券相关情况72 第十节财务报告73 备查文件目录 报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正文及公告的原稿载有公司法定代表人、财务负责人签章的财务报表 第一节释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 常用词语释义安集科技、公司 指 安集微电子科技（上海）股份有限公司 AnjiCayman 指 AnjiMicroelectronicsCo.Ltd.，公司控股股东 安续投资 指 宁波安续企业管理合伙企业（有限合伙） 上海安集 指 安集微电子（上海）有限公司，公司全资子公司 宁波安集 指 宁波安集微电子科技有限公司，公司全资子公司 台湾安集 指 台湾安集微电子科技有限公司，公司全资子公司 宁波安集投资 指 宁波安集股权投资有限公司，公司全资子公司 北京安集 指 北京安集微电子科技有限公司，公司全资子公司 安集电子材料 指 上海安集电子材料有限公司，公司全资子公司 新加坡安集 指 ANJIMICROELECTRONICSPTE.LTD.，宁波安集投资全资子公司 法国CT 指 CORDOUANTECHNOLOGIES，新加坡安集全资子公司 SEPPURE 指 SEPPUREPTE.LTD. 安特纳米 指 山东安特纳米材料有限公司 钥熠电子 指 上海钥熠电子科技有限公司 股东大会 指 安集微电子科技（上海）股份有限公司股东大会 董事会 指 安集微电子科技（上海）股份有限公司董事会 监事会 指 安集微电子科技（上海）股份有限公司监事会 高级管理人员 指 公司总经理、副总经理、财务总监、董事会秘书 《公司章程》 指 《安集微电子科技（上海）股份有限公司章程》 《公司法》 指 《中华人民共和国公司法》 《证券法》 指 《中华人民共和国证券法》 中国证监会 指 中国证券监督管理委员会 上交所 指 上海证券交易所 报告期 指 2024年1月1日-2024年6月30日 化学机械抛光（CMP） 指 ChemicalMechanicalPlanarization，集成电路制造过程中实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺。与传统的纯机械或纯化学的抛光方法不同，CMP技术由化学作用和机械作用两方面协同完成。 化学机械抛光液、抛光液、研磨液 指 由纳米级研磨颗粒和高纯化学品组成，是化学机械抛光工艺过程中使用的主要化学材料。 研磨颗粒、纳米磨料 指 为生产化学机械抛光液所需的关键原材料，主要包括硅溶胶、气相二氧化硅和二氧化铈等品类。 清洗技术 指 通过化学处理、气体或物理方法去除晶片表面杂质的过程。通常在工艺之间进行，用于去除芯片制造中上一道工序所遗留的超微细颗粒污染物、金属残留、有机物残留物，去除光阻掩膜或残留，也可根据需要进行硅氧化膜、氮化硅或金属等薄膜材料的湿法腐蚀，为下一步工序准备好良好的表面条件。晶圆清洗步骤数量约占所有芯片制造工序步骤30%以上，而且随着节点的推进，清洗工序的数量和重要性会继续提升。根据清洗介质的不同，目前半导体清洗技术主要分为湿法清洗和干法清洗两种工艺路线，晶圆制造产线上通常以湿法清洗为主。 湿法清洗 指 针对不同的工艺需求，采用特定的化学药液和去离子水，对晶圆表面进行无损伤清洗，以去除晶圆制造过程中的颗粒、自然氧化层、有机物、金属污染、牺牲层、抛光残留物等物质，可同时采用超声波、加热、真空等辅助技术手段。 湿电子化学品、工艺化学品 指 是超大规模集成电路、平板显示、太阳能电池等制作过程中不可缺少的关键性基础化工材料之一，一般要求超净和高纯，对生产、包装、运输及使用环境的洁净度都有极高要求。按照组成成分和应用工艺不同，可将湿电子化学品分为通用湿化学品和功能性湿化学品两大类。 光刻 指 半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。 光刻胶 指 光刻中采用的感光物质，其利用光照反应后溶解度不同将掩膜版图形转移至衬底上。 光刻胶去除 指 刻蚀过程中光刻胶定义的图像被转移到晶圆表面并且刻蚀到定义的深度，刻蚀之后作为刻蚀保护层或者阻挡层的剩余光刻胶需要从晶圆表面去除。 光刻胶去除剂、光阻去除剂 指 又称“清洗液”、“剥离液”、“去胶液”，是光刻胶去除工艺中使用的化学材料，主要由刻蚀剂、溶剂及添加剂等组成，通过将半导体晶片浸入清洗液中或者利用清洗液冲洗半导体晶片，去除半导体晶片上的光刻胶及其光刻胶刻蚀后残留物。 刻蚀后清洗液 指 一种光刻胶去除剂，应用于干法刻蚀后晶圆表面残留物去除。 光刻胶剥离液 指 一种光刻胶去除剂，应用于厚膜光刻胶去除，包括晶圆级封装以及部分集成电路工艺。 半导体电镀、电化学沉积 指 在芯片制造过程中，将电镀液中的金属离子电镀到晶圆表面形成金属互连。 电镀基础液 指 提供电沉积金属离子，与电镀液添加剂相互作用，在电场作用下实现金属电化学沉积。 电镀液添加剂 指 电镀工艺核心材料，改善镀层性能及电镀质量。在电镀工艺中，电镀液添加剂与基础液相互作用，在电场作用下实现金属电化学沉积。 刻蚀 指 用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，主要分为干法刻蚀和湿法刻蚀，其中湿法刻蚀指用液体化学试剂（如酸、碱和溶剂等）以化学的方式去除硅片表面的材料，干法刻蚀是通过等离子气与硅片发生物理或化学反应（或结合物理、化学两种反应）的方式将表面材料去除。 芯片、集成电路（IC） 指 IntegratedCircuit，是一种微型电子器件或部件。通过氧化、光刻、扩散、外延、蒸镀、表面处理等制造工艺，把电路设计中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件进行布线互连，在硅晶圆或化合物材料的基板上，再进行封装工艺分割而成。 制程、节点、特征线宽 指 晶体管栅极宽度的尺寸，用来衡量半导体芯片制造的工艺水准。尺寸越小，表明工艺水平越高，如130nm、90nm、28nm、14nm、7nm等等。 逻辑芯片 指 一种通用芯片，它的逻辑功能按照用户对器件编程来确定。 存储芯片 指 又称“存储器”，是指利用电能方式存储信息的半导体介质设备，其存储与读取过程体现为电子的存储或释放，广泛应用于内存、U盘、消费电子、智能终端、固态存储硬盘等领域。 模拟芯片 指 主要是指由电容、电阻、晶体管等组成的模拟电路集成在一起用来处理模拟信号的芯片类型。 DRAM 指 动态随机存取存储器，属于易失性存储器。 NAND 指 闪存，属于非易失性存储器。 2DNAND 指 存储单元为平面结构的一种NAND存储器。 3DNAND 指 一种新兴的闪存类型，通过把存储单元堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存带来的限制。 CIS 指 CMOS图像传感器。 晶圆（wafer） 指 集成电路制作所用到的基材片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。在晶圆上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电 路产品。 传统封装 指 先将晶圆片切割成单个芯片再进行封装的工艺，主要包括单列直插封装（SIP）、双列直插封装（DIP）、小外形封装（SOP）、小晶体管外形封装（SOT）、晶体管外形封装（TO）等封装形式。 先进封装 指 处于前沿的封装形式和技术。目前，带有倒装芯片（FC）结构的封装、晶圆级封装（WLP）、系统级封装（SiP）、2.5D封装、3D封装等均被认为属于先进封装范畴。先进封装四大要素分别为RDL、TSV、Bump和Wafer，RDL起到XY平面电气延伸的作用，TSV起到Z轴电气延伸的作用，Bump起到界面互联和应力缓冲的作用，Wafer作为集成电路的载体以及RDL和TSV的介质和载体。 晶圆级封装（WLP） 指 Wafer-LevelPackaging，在晶圆上封装芯片，而不是先将晶圆切割成单个芯片再进行封装。这种方案可实现更大的带宽、更高的速度与可靠性以及更低的功耗，并为用于移动消费电子产品、高端超级计算、游戏、人工智能和物联网设备的多晶片封装提供了更广泛的形状系数。 三维集成 指 将多层集成电路芯片堆叠键合，通过穿透衬底的三维互连实现多层之间的电信号连接的技术，TSV是三维集成技术的实现方法之一。 凸块（Bumping）技术 指 在芯片上制作凸块，通过在芯片表面制作金属凸块提供芯片电气互连的“点”接口，广泛应用于FC（倒装）、WLP（晶圆级封装）、CSP（芯片级封装）、3D（三维立体封装）、（SiP）系统级封装等先进封装。凸块制造过程一般是基于定制的光掩模，通过真空溅镀、黄光、电镀、蚀刻等环节而成，该技术是晶圆制造环节的延伸，也是实施倒装（FC）封装工艺的基础及前提。材料一般为Cu、Au、Ni、Ag-Sn等，有单金属的凸点，也有合金凸点，最常用的凸点材料是Cu和Au。相比以引线作为键合方式传统的封装，凸块代替了原有的引线，实现了“以点代线”的突破。该技术可允许芯片拥有更高的端口密度，缩短了信号传输路径，减少了信号延迟，具备了更优良的热传导性及可靠性。此外，将晶圆重布线技术（RDL）和凸块制造技术相结合，可对原来设计的集成电路线路接点位置进行优化和调整，使集成电路能适用于不同的封装形式，封装后芯片的电性能可以明显提高。 重布线层（RDL）技术 指 RedistributionLayer，起着XY平面电气延伸和互连的作用。RDL技术的核心是在晶圆表面沉积金属层和介质层并形成相应的金属布线图形，对芯片的I/O端口进行重新布局，根据后续封装工艺需求，将其布局到新的且占位更为宽松的区域，并形成面阵列排布。随着工艺技术的发展，通过RDL形成的金属布线的线宽和线间距也越来越小，从而提供更高的互连密度。目前RDL技术多采用电化学沉积的方式来完成。 小芯片组、芯粒（Chiplet）技术 指 在同一个封装或系统里集成多个裸片的一种新型芯片设计模式。 硅通孔（TSV）技术 指 ThroughSiliconVia，通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的新的技术解决方案。TSV技术能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大，芯片之间的互连线最短，外形尺寸最小，大大改善芯片速度和低功耗的性能。 铜阻挡层 指 集成电路后道铜导线和绝缘介质中间的一种阻挡层材料，目的是防止铜和绝缘介质发生反应。 鳍式场效应晶体管（FinFET） 指 FinField-EffectTransistor，一种新的互补式金氧半导体晶体管，FinFET命名是根据晶体管的形状与鱼鳍非常相似。这种设计可以大幅改善电路控制并