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STM BLDCC35556 _ 单盘机 (MCU - MPU - SOC) _ STM8S003F3U6TR _ 规程书 _ ST (方法半向导) 单盘机 (MCU _ MPU _ SOC) 规程书

2024-07-03-ST东***
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STM8S003F3STM8S003K3 值线、16MHzSTM8S8位MCU、8千字节闪存、128字节数据 EEPROM、10位ADC、3个定时器、UART、SPI 、I²C 功能 核心 16MHz高级STM8内核,采用哈佛架构和3级流水线 扩展指令集 回忆 程序存储器:8千字节闪存;在55°C下100次循环后数据保留20年 RAM:1千字节 数据存储器:128字节真数据EEPROM;耐久性高达100k写入/擦除周期 时钟、复位和电源管理 2.95V至5.5V工作电压 灵活的时钟控制,4个主时钟源 –低功耗晶体谐振振荡器 –外部时钟输入 –内置、用户可调的16MHzRC –内部低功耗128kHzRC 带时钟监视器的时钟安全系统 电源管理 –低功耗模式(等待、主动暂停、暂停) –单独关闭外设时钟 –永久激活、低功耗上电和掉电复位 中断管理 具有32个中断的嵌套中断控制器 6个向量上最多27个外部中断 数据表-生产数据 LQFP32 7x7毫米 TSSOP20 6.5x6.4mm UFQFPN20 3x3毫米 定时器 高级控制定时器:16位,4个CAPCOM通道,3 个互补输出,死区时间插入和灵活的同步 16位通用定时器,带3个CAPCOM通道(IC、 OC或PWM) 带有8位预分频器的8位基本计时器 自动唤醒计时器 窗口和独立看门狗定时器 通信接口 带时钟输出的UART,用于同步操作,智能卡, IrDA,LIN主模式 SPI接口高达8Mbit/s I2C接口高达400Kbit/s 模数转换器(ADC) 10位ADC,±1LSBADC,最多5个多路复用通道,扫描模式和模拟看门狗 I/O 32引脚封装上最多28个I/O,包括21个高吸收输出 高度稳健的I/O设计,不受电流注入的影响 发展支持 嵌入式单线接口模块(SWIM),用于快速片上编程和非侵入式调试 2015年6月 这是关于全面生产的产品的信息。 DocID018576第6版1/1 Contents 1导言9 2说明10 3框图11 4产品概述12 4.1中央处理单元STM812 4.2单线接口模块(SWIM)和调试模块(DM)13 4.3中断控制器13 4.4闪存程序存储器和数据EEPROM13 4.5时钟控制器15 4.6电源管理16 4.7看门狗定时器16 4.8自动唤醒计数器17 4.9蜂鸣器17 4.10TIM1-16位高级控制定时器17 4.11TIM2-16位通用定时器17 4.12TIM4-8位基本定时器18 4.13模数转换器(ADC1)18 4.14通信接口18 4.14.1UART119 4.14.2SPI19 4.14.3I2C20 5引脚布局和引脚描述21 5.1STM8S003K3LQFP32引脚引出线和引脚描述22 5.2STM8S003F3TSSOP20/UFQFPN20引脚引出线和引脚描述25 5.3备用函数重新映射29 6内存和寄存器映射30 6.1内存映射30 6.2注册地图31 6.2.2通用硬件寄存器映射32 2/ 6.2.3 CPU/SWIM/调Do试cID模01块85/7中6第断6控版制器寄存器39 7中断向量映射41 8选项字节42 8.1替代函数重映射位44 STM8S003F3STM8S003K3 9电气特性46 9.1参数条件46 9.1.1最小值和最大值46 9.1.2典型值46 9.1.3典型曲线46 9.1.4加载电容器46 9.1.5引脚输入电压46 9.2绝对最大额定值47 9.3操作条件49 9.3.1VCAP外部电容器51 9.3.2电源电流特性51 9.3.3外部时钟源和定时特性61 9.3.4内部时钟源和定时特性63 9.3.5记忆特性65 9.3.6I/O端口引脚特性66 9.3.7复位引脚特性75 9.3.8SPI串行外设接口77 9.3.9I2C接口特性80 9.3.1010位ADC特性82 9.3.11EMC特性85 10包裹信息88 10.1LQFP32封装信息88 10.2TSSOP20封装信息91 10.3UFQFPN20包信息94 10.4热特性97 10.4.1参考文件97 10.4.2选择产品温度范围98 11零件编号99 12STM8开发工具100 12.1仿真和在线调试工具100 12.2软件工具101 12.2.1STM8工具集101 12.2.2C和装配工具链101 12.3编程工具101 13修订历史102 表列表 表1.STM8S003F3/K3值线特征10 表2.CLK_PCKENR1/2寄存器中的外围时钟门控位分配15 表3.TIM定时器功能18 表4.STM8S003F3/K3引脚描述表的图例/缩写21 表5.STM8S003K3说明22 表6.STM8S003F3引脚说明27 表7.闪存、数据EEPROM和RAM边界地址31 表8.I/O端口硬件寄存器映射31 表9.一般硬件寄存器映射33 表10.CPU/SWIM/调试模块/中断控制器寄存器39 表11.中断映射41 表12.选项字节42 表13.选项字节说明42 表14.32引脚器件44的STM8S003K3备用功能重映射位 表15.20引脚器件的STM8S003F3备用功能重映射位45 表16.电压特性47 表17.电流特性48 表18.热特性48 表19.一般操作条件49 表20.上电/掉电时的操作条件50 表21.V时运行模式下代码执行的总电流消耗DD=5V52 表22.V时运行模式下代码执行的总电流消耗DD=3.3V53 表23.V时等待模式下的总电流消耗DD=5V54 表24.V时等待模式下的总电流消耗DD=3.3V54 表25.V时主动停止模式下的总电流消耗DD=5V55 表26.V时主动停止模式下的总电流消耗DD=3.3V55 表27.V时停止模式下的总电流消耗DD=5V56 表28.V时停止模式下的总电流消耗DD=3.3V56 表29.唤醒时间56 表30.强制复位状态下的总电流消耗和时序57 表31.外围电流消耗57 表32.HSE用户外部时钟特性61 表33.HSE振荡器特性62 表34.HSI振荡器特性63 表35.LSI振荡器特性64 表36.RAM和硬件寄存器65 表37.闪存程序存储器和数据EEPROM65 表38.I/O静态特性66 表39.输出驱动电流(标准端口)68 表40.输出驱动电流(真正的漏极开路端口)68 表41.输出驱动电流(高接收器端口)69 表42.NRST引脚特性75 表43.SPI特性77 表44.I2C特性80 表45.ADC特性82 表46.带R的ADC精度AIN<10k,VDD=5V82 表47.带R的ADC精度AIN<10kRAIN,VDD=3.3V83 表48.EMS数据85 表49.EMI数据86 表50.ESD绝对最大额定值86 表51.电灵敏度87 表52.LQFP32-32引脚,7x7mm低剖面四方扁平封装机械数据89 表53TSSOP20-20引线薄型收缩小轮廓,6.5x4.4mm,0.65mm间距, 包装机械数据91 表54.UFQFPN20-20引线,3x3mm,0.5mm间距,超薄细间距四方扁平包装机械数据95 表55.热特性97 表56.文件修订历史102 数字列表 图1.STM8S003F3/K3值线框图11 图2.闪存组织14 图3.STM8S003K3LQFP32引出线22 图4.STM8S003F3TSSOP20引出线25 图5.STM8S003F3UFQFPN20引出线26 图6.内存映射30 图7.销加载条件46 图8.引脚输入电压47 图9.fCPUmax与VDD49 图10.外部电容CEXT51 图11.Typ.IDD(运行)vsVDD,HSE用户外部时钟,fCPU=16MHz58 图12.Typ.IDD(运行)vsfCPU,HSE用户外部时钟,VDD=5V58 图13.Typ.IDD(运行)vsVDD,恒生指数RCosc,fCPU=16MHz59 图14.Typ.IDD(WFI)vs.VDDHSE用户外部时钟,fCPU=16MHz59 图15.Typ.IDD(WFI)vs.fCPU,HSE用户外部时钟,VDD=5V60 图16.Typ.IDD(WFI)vsVDD,恒生指数RCosc,fCPU=16MHz60 图17.HSE外部时钟源61 图18.HSE振荡器电路图62 图19.典型的HSI频率变化与VDD在4个温度64 图20.典型的LSI频率变化与VDD@4个温度64 图21.典型VIL和VIHvsVDD@4个温度67 图22.典型上拉电阻与V的关系DD@4个温度67 图23.典型上拉电流与V的关系DD@4个温度68图24.Typ.VOL@VDD=5V(标准端口)69图25.Typ.VOL@VDD=3.3V(标准端口)70 图26.Typ.VOL@VDD=5V(真正的开放排水口)70图27.Typ.VOL@VDD=3.3V(真正的开放漏端口)71图28.Typ.VOL@VDD=5V(高接收器端口)71 图29.Typ.VOL@VDD=3.3V(高接收器端口)72 Figure30.Typ.VDD-VOH@VDD=5V(标准端口)72图31.Typ.VDD-VOH@VDD=3.3V(标准端口)73图32.Typ.VDD-VOH@VDD=5V(高接收器端口)73 Figure33.Typ.VDD-VOH@VDD=3.3V(高接收器端口)74 图34.典型的NRSTVIL和VIHvsVDD@4个温度75 图35.典型的NRST上拉电阻与VDD@4个温度76 图36.典型的NRST上拉电流与VDD@4个温度76 图37.推荐的复位引脚保护77 图38.SPI时序图-从属模式和CPHA=078 图39.SPI时序图-从属模式和CPHA=1(1)78 图40.SPI时序图-主模式(1)79 图41.I2C总线的典型应用和时序图81 图42.ADC精度特性84 图43.ADC84的典型应用 图44.LQFP32-32引脚,7x7mm低剖面四方扁平封装外形88 图45.LQFP32-32针,7x7mm低剖面四平面推荐的占地面积89 图46.LQFP32标记示例(封装俯视图)90 图47.TSSOP20-20引线薄型收缩小轮廓,6.5x4.4mm,间距0.65mm, 包装大纲91 图48.TSSOP20-20引线薄型收缩小轮廓,6.5x4.4mm,间距0.65mm, 封装占地面积92 图49.TSSOP20标记示例(封装俯视图)93 图50.UFQFPN20-20引线,3x3mm,0.5mm间距,超薄细间距四方扁平包装大纲94 图51.UFQFPN20-20引线,3x3mm,0.5mm间距,超薄细间距四方扁平包装建议占地面积95: 图52.UFQFPN20标记示例(封装俯视图)96 图53.STM8S003F3/K3值线排序信息方案(1)99 1Introduction 本数据表包含对STM8S003F3/K3值线特征、引出线、电气特性、机械数据和订购信息的描述。 有关STM8S微控制器内存,寄存器和外围设备的完整信息,请参阅STM8S和STM8A微控制器系列参考手册(RM0016)。 有关内部闪存的编程,擦除和保护的信息,请参阅PM0051(如何编程STM8S和STM8A闪存程序存储器和数据EEPROM)。 有关调试和SWIM(单线接口模块)的信息,请参阅STM8SWIM通信协议和调试模块用户手册(UM0470)。 有关STM8内核的信息,请参阅STM8CPU编程手册(PM0044)。 2Description STM8S003F3/K3值线8位微控制器提供8千字节闪存程序存储器,以及集成的真实数据EEPROM。在 STM8S微控制器系列参考手册(RM0016)中,它们被称为低密度器件。 STM8S003F3/