公司代码:688498公司简称:源杰科技 陕西源杰半导体科技股份有限公司 2023年年度报告 重要提示 一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性,不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏,并承担个别和连带的法律责任。 二、公司上市时未盈利且尚未实现盈利 □是√否 三、重大风险提示 公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施,敬请查阅本报告“第三节管理层讨论与分析”之“四、风险因素”部分。 四、公司全体董事出席董事会会议。 五、立信会计师事务所(特殊普通合伙)为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。 六、公司负责人ZHANGXINGANG、主管会计工作负责人陈振华及会计机构负责人(会计主管人员) 曹夏璐声明:保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 七、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 经立信会计师事务所(特殊普通合伙)审计,截至2023年12月31日,陕西源杰半导体科 技股份有限公司(以下简称“公司”)母公司报表中期末未分配利润为人民币158,001,494.31元,2023年年度拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本扣减公司回购专用证券账户中股份为基数分配利润。本次利润分配方案如下: 公司拟向全体股东每10股派发现金红利1元(含税),公司不送红股,不进行资本公积转增 股本。截至2024年4月24日,公司总股本85,461,670股,扣除目前回购专户的股份余额 402,149股后参与分配股数共85,059,521股,以此计算合计拟派发现金红利8,505,952.10元(含税)。占公司2023年度合并报表归属于上市公司股东净利润的比例为43.67%。 公司通过回购专用账户所持有本公司股份402,149股,不参与本次利润分配。 如在公告披露之日起至实施权益分派股权登记日期间,因可转债转股/回购股份/股权激励授予股份回购注销/重大资产重组股份回购注销等致使公司总股本发生变动的,公司拟维持每股分配比例不变,相应调整分配总额。 八、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用√不适用 九、前瞻性陈述的风险声明 √适用□不适用 本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺,敬请投资者注意投资风险。 十、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十一、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况否 十二、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十三、其他 □适用√不适用 目录 第一节释义5 第二节公司简介和主要财务指标7 第三节管理层讨论与分析12 第四节公司治理42 第五节环境、社会责任和其他公司治理62 第六节重要事项69 第七节股份变动及股东情况98 第八节优先股相关情况109 第九节债券相关情况109 第十节财务报告109 备查文件目录 载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人(会计主管人员)签名并盖章的财务报表。载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件。报告期内公开披露过的所有公司文件的正本及公告的原稿。 第一节释义 一、释义 在本报告书中,除非文义另有所指,下列词语具有如下含义: 常用词语释义源杰科技、公司 指 陕西源杰半导体科技股份有限公司 宁波创泽云 指 宁波创泽云投资合伙企业(有限合伙) 汉京西成 指 杭州汉京西成创业投资合伙企业(有限合伙)(曾用名:杭州汉京西成股权投资合伙企业(有限合伙)) 瞪羚金石 指 北京瞪羚金石股权投资中心(有限合伙) 哈勃投资 指 哈勃科技创业投资有限公司 先导光电 指 陕西先导光电集成科技投资合伙企业(有限合伙) 国投创投 指 国投(宁波)科技成果转化创业投资基金合伙企业(有限合伙) 青岛金石 指 青岛金石灏汭投资有限公司 瑞衡创盈 指 杭州瑞衡创盈创业投资合伙企业(有限合伙)(曾用名:杭州瑞衡创盈股权投资合伙企业(有限合伙)) 国开基金 指 国开制造业转型升级基金(有限合伙) 中创汇盈 指 北京中创汇盈投资管理中心(有限合伙) 贝斯泰电子 指 苏州贝斯泰电子科技有限公司 欣芯聚源 指 陕西欣芯聚源管理咨询合伙企业(有限合伙) 工大科创 指 北京工大科创股权投资合伙企业(有限合伙) 嘉兴景泽 指 嘉兴景泽投资合伙企业(有限合伙) 中信投资 指 中信证券投资有限公司 国开科创 指 国开科技创业投资有限责任公司 远景亿城 指 共青城远景亿城投资合伙企业(有限合伙) 平潭立涌 指 平潭立涌股权投资合伙企业(有限合伙) 广发乾和 指 广发乾和投资有限公司 超越摩尔 指 上海超越摩尔股权投资基金合伙企业(有限合伙) 源华创投 指 宁波沣泽源华创业投资合伙企业(有限合伙)(曾用名:无锡源华创业投资合伙企业(有限合伙)) 成都蕊扬 指 成都蕊扬企业管理中心(有限合伙) 中际旭创 指 中际旭创股份有限公司 储翰科技 指 成都储翰科技股份有限公司 保荐人、保荐机构 指 国泰君安证券股份有限公司 《公司法》 指 《中华人民共和国公司法》 《公司章程》 指 现行有效的《陕西源杰半导体科技股份有限公司章程》 中国证监会 指 中国证券监督管理委员会 报告期 指 2023年1月1日-2023年12月31日 元、万元、亿元 指 除非特别说明,指人民币元、万元、亿元 半导体 指 常温下导电性能介于导体(Conductor)与绝缘体(Insulator)之间的材料 光电子器件、光器件 指 OptoelectronicsDevice(OT),利用电光子转换效应制成的各种功能器件,包括光有源组件、光无源组件、光模块等最终实现光电转化功能的器件总称,是光电子技术的关键和核心部件 光芯片 指 实现光电信号转换的三五族化合物半导体材料,主要包 括激光器芯片和探测器芯片 激光器芯片 指 三五族化合物半导体材料,集成包含有源区、波导层、外包层、电极接触层、PN结等多层外延材料,依靠有源区量子阱实现将电能转化为光能并发射激光,主要作用为将电信号转换成光信号,系组成TOSA的核心部件 探测器芯片 指 三五族化合物半导体材料,主要作用为将光信号转换成电信号,系组成ROSA的核心部件 TOSA 指 TransmitOpticalSubassembly,光发射组件,主要将电信号转化为光信号并发射出去 ROSA 指 ReceiverOpticalSubassembly,光接收组件,主要接收光信号并将其转化为电信号 光模块 指 光芯片加工封装为光发射组件(TOSA)及光接收组件(ROSA),再将光收发组件、电芯片、结构件等进一步加工成光模块 FP 指 Fabry-PerotLaser,法布里-珀罗激光器芯片,一种边发射激光器芯片 DFB 指 DistributedFeedbackLaser,分布式反馈激光器芯片,一种边发射激光器芯片 EML 指 Electro-absorptionModulatedLaser,电吸收调制激光器芯片,一种边发射激光器芯片 SOA 指 SemiconductorOpticalAmplifier,半导体光放大器,一种电芯片 G 指 吉比特每秒,信号传输速率单位 1270/1290/1310/1330/1490/1550nm 指 激光器芯片传输信号的波段 硅光 指 SiliconPhotonics,激光器芯片作光源,硅基集成调制器和无源光路,将光源耦合至硅基材料实现光器件功能的技术 CW 指 ContinuousWave,连续波,激光器芯片以连续方式而非脉冲方式输出的光信号 PAM4 指 4PulseAmplitudeModulation,4脉冲幅度调制,一种信号调制技术 WDM 指 WavelengthDivisionMultiplexing,波分复用技术 C/M/D/LWDM 指 Coarse/Metro/Dense/LanWavelengthDivisionMultiplexing,稀疏/中等/密集/细波分复用 PON 指 PassiveOpticalNetwork,无源光纤网络 EPON 指 EthernetPassiveOpticalNetwork,以太网无源光纤网络,下行、上行速率均为1.25G GPON 指 GigabitCapablePassiveOpticalNetwork,千兆无源光纤网络,下行速率2.5G,上行速率1.25G 10G-PON 指 万兆无源光纤网络,下行、上行速率最大可达到10G 接入网 指 业务节点与终端用户之间的所有线路设备、传输设备以及传输媒质组成的网络,负责用户接入,通常有固网接入和无线接入方式,即“最后一公里” 4G、5G 指 第四代移动通信技术、第五代移动通信技术 云计算 指 CloudComputing,是分布式计算的一种,是基于互联网的相关服务的增加、使用和交付模式,通常涉及通过互联网来提供动态易扩展且经常是虚拟化的资源 数据中心 指 DataCenter,为电信、存储等应用,建立的专门容纳 计算机系统及其相关组件的中心 发散角 指 DivergenceAngle,激光器芯片发射的最外束光与光轴形成的夹角 信噪比 指 SignalNoiseRatio,主信号与背景噪声的比值 光功率 指 LuminousPower,光单位时间内输出的能量值 寄生电容 指 ParasiticCapacitance,两个相邻导体构成电容,干扰信号传递 掩埋型 指 BuriedHeterostructureWaveguide,一种利用半导体外延层将发光层掩埋的结构,掩埋结构形成高效电注入,具备低功耗、电光转换效能高优势,大量用于分布式通信领域 脊波导型 指 RidgeWaveguide,一种外观为长方脊型的结构,在脊型区中能形成电对光高密度转换,具备高效工艺生产优势,主要用于高速信号传输领域 IDM 指 IntegratedDeviceManufacture,包含芯片设计、芯片制造、封装测试在内全部或主要业务环节的经营模式 衬底 指 外延生长工序的基片,通过气相外延生长技术在其表面生成相应材料和结构 晶圆 指 Wafer,衬底经过外延等环节加工后成为晶圆,经过切割为芯片 MOCVD 指 Metal-organicChemicalVaporDeposition,金属有机化合物化学气相沉淀,是在气相外延生长的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术 量子阱 指 QuantumWellStructure,具有离散能量值的势阱结构 外延 指 Epitaxy,在衬底上生长一层单晶层,系光芯片制造的核心环节 光栅 指 Grating,利用衍射效应对光进行调制的物理结构 光波导 指 OpticalWaveguide,引导光传播的物理结构 GaAs 指 砷化镓,三五族化合物 AlInGaAs 指 铝铟镓砷,三五族化合物 mW 指 毫瓦,功率单位,为10^-3瓦 第二节公司简介和主要财务指标 一、公司基本情况 公司的中文名称 陕西源杰半导体科技股份有限公司 公司的中文简称 源杰科技 公司的外文名称 YuanjieSemiconductorTechnologyCo.,Ltd. 公司的外文名称缩写 YuanjieSemiconductorTechnology 公司的法定代表人 ZHANGXINGANG 公司注册地址 陕西省西咸新区沣西新城开元路1265号 公司注册地址的历史变更情况 2020年12月23日,公司注册地址由“陕西省西咸新区沣西新城总部经济园9号楼1311室”变更为“陕西省西咸新区沣西新城开元路以北、兴信路以西、纵九路以东”。2023年5月24日,公司注册地址由“陕西省西咸新区沣西新城开元路以北、兴信路以西、纵九路以东”变更为“陕西省西咸新区沣西新城开元路1265号”。 公司办公地址 陕西省西咸新区沣西新城开元路1265号 公司办公地址的邮政编码 712000 公司网址 http://www.yj-semitech.com/ 电