���Rosenblatt给出华尔街最高目标价:从140上调至225,理由是“我们即将见证历史上最大的内存周期”: ���美光科技上调了业绩展望,原因是AI发展势头强劲,市场普遍复苏,以及积极的HBM3e晶圆分配(所需晶圆数量是DDR5的3倍)对 DRAM供应的影响快于预期。 ���到2025年,仅HBM3e就将造成DRAM的大部分结 ���Rosenblatt给出华尔街最高目标价:从140上调至225,理由是“我们即将见证历史上最大的内存周期”: ���美光科技上调了业绩展望,原因是AI发展势头强劲,市场普遍复苏,以及积极的HBM3e晶圆分配(所需晶圆数量是DDR5的3倍)对 DRAM供应的影响快于预期。 ���到2025年,仅HBM3e就将造成DRAM的大部分结构性短缺,新类别的DRAM在这一年几乎全部分配完毕。 重要的是,美光在HBM领域的市场份额上升到20%左右,这不仅是因为行业短缺,还因为与竞争对手相比,美光的解决方案从根本上更省电。 ���事实上,与22财年的峰值水平相比,到24财年末,美光的晶圆产能将出现低两位数的下降。毫不奇怪,在2024财年,DRAM(以及NAND)的供应增长将低于中位数的需求增长水平。 我们认为,今年的定价将按季度增长。 随着人工智能服务器市场转向HBM4,DRAM的上升周期将延长到2026年,这将吸走更多的晶圆产能,因为该类别将转向更复杂的硅片和12 块及更多的高堆栈。 ���需要注意的是,如果没有DRAM位内容和性能(HBM),加速器计算(Blackwell/Hopper、MI300、定制ASIC等)将无法扩展,这意味着该类别极度缺乏价格弹性。 ���我们即将见证的内存周期将是历史上最大的周期,其驱动力是正在以长期方式彻底改变计算的AI周期。 应用历史或传统的DRAM通道检查,或在图表上目测较早的半导体周期,都无法让我们了解这一存储AI周期的水平和持续时间。