燕东微：2023年半年度报告

公司代码：688172公司简称：燕东微 北京燕东微电子股份有限公司 2023年半年度报告 重要提示 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证半年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 重大风险提示 公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险，敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之“五、风险因素”。 公司全体董事出席董事会会议。 本半年度报告未经审计。 公司负责人谢小明、主管会计工作负责人徐涛及会计机构负责人（会计主管人员）杨洁声明：保 证半年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 无 是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用√不适用 前瞻性陈述的风险声明 √适用□不适用 本报告中所涉及的未来计划、发展战略等前瞻性描述不构成公司对投资者的实质承诺，敬请投资者注意投资风险。 是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况？ 否 是否存在半数以上董事无法保证公司所披露半年度报告的真实性、准确性和完整性 否 其他 □适用√不适用 目录 第一节释义4 第二节公司简介和主要财务指标7 第三节管理层讨论与分析11 第四节公司治理32 第五节环境与社会责任34 第六节重要事项36 第七节股份变动及股东情况60 第八节优先股相关情况66 第九节债券相关情况67 第十节财务报告68 备查文件目录 载有公司负责人、主管会计工作负责人、会计机构负责人签名并盖章的财务报告报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正文及公告的原稿 第一节释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 常用词语释义本公司、公司、燕东微 指 北京燕东微电子股份有限公司，在用以描述公司资产、业务与财务情况时，根据文义需要，亦包括其各子公司 北京电控 指 北京电子控股有限责任公司，公司控股股东、实际控制人 亦庄国投 指 北京亦庄国际投资发展有限公司，公司股东 国家集成电路基金 指 国家集成电路产业投资基金股份有限公司，公司股东 盐城高投 指 盐城高新区投资集团有限公司，公司股东 京国瑞 指 北京京国瑞国企改革发展基金（有限合伙），公司股东 电子城 指 北京电子城高科技集团股份有限公司，公司股东 长城资管 指 中国长城资产管理股份有限公司，公司股东 京东方 指 京东方科技集团股份有限公司 京东方创投 指 天津京东方创新投资有限公司，公司股东 电控产投 指 北京电控产业投资有限公司，公司股东 联芯一号 指 北京联芯一号科技合伙企业（有限合伙），公司股东 联芯二号 指 北京联芯二号科技合伙企业（有限合伙），公司股东 联芯三号 指 北京联芯三号科技合伙企业（有限合伙），公司股东 联芯五号 指 北京联芯五号科技合伙企业（有限合伙），公司股东 联芯六号 指 北京联芯六号科技合伙企业（有限合伙），公司股东 联芯七号 指 北京联芯七号科技合伙企业（有限合伙），公司股东 联芯八号 指 北京联芯八号科技合伙企业（有限合伙），公司股东 联芯九号 指 北京联芯九号科技合伙企业（有限合伙），公司股东 联芯十号 指 北京联芯十号科技合伙企业（有限合伙），公司股东 联芯十一号 指 北京联芯十一号科技合伙企业（有限合伙），公司股东 瑞普北光 指 北京瑞普北光电子有限公司，公司子公司 燕东科技 指 北京燕东微电子科技有限公司，公司子公司 飞宇电路 指 北京飞宇微电子电路有限责任公司，公司子公司 锐达芯 指 北京锐达芯集成电路设计有限责任公司，公司子公司 宇翔电子 指 北京宇翔电子有限公司，公司子公司 顿思设计 指 北京顿思集成电路设计有限责任公司，公司子公司 吉乐电子 指 北京吉乐电子有限责任公司，公司子公司 四川广义 指 四川广义微电子股份有限公司，公司控股公司 新相微 指 上海新相微电子股份有限公司，公司参股公司 芯连科技 指 北京芯连科技有限公司，公司子公司 光电融合基金 指 北京光电融合产业投资基金（有限合伙） 北方华创 指 北方华创科技集团股份有限公司及其子公司 公司章程 指 北京燕东微电子股份有限公司章程 报告期、本报告期、报告期内 指 2023年1月1日至06月30日 财政部 指 中华人民共和国财政部 证监会、中国证监会 指 中国证券监督管理委员会 上交所、交易所 指 上海证券交易所 《公司法》 指 《中华人民共和国公司法》 《证券法》 指 《中华人民共和国证券法》 元、万元、亿元 指 除非特指，均为人民币元、万元、亿元 英寸 指 一英寸等于2.54厘米 AIoT 指 人工智能物联网，AIoT=AI（人工智能）+IoT（物联网） IDM 指 垂直整合制造（IntegratedDesignandManufacture），是指包含芯片设计、晶圆制造、封装测试在内全部或主要业务环节的经营模式 MorethanMoore 指 超越摩尔 特色工艺 指 遵循MorethanMoore发展规律，不再单纯追求更小的工艺节点，而是更加注重工艺的开发、工艺的集成、新材料应用等措施开发完善或提升拓展产品性能及应用的半导体芯片加工工艺技术 特种集成电路及器件 指 指在高温、低温、腐蚀、机械冲击等特殊使用环境下仍具有较高的安全性、可靠性、环境适应性及稳定性的集成电路及器件 传感器 指 一种检测装置，能感受到被测量的信息，并按一定规律变换为电信号或其他所需形式的信息输出，以满足信息的传输、处理、存储、显示、记录、控制等要求 光电耦合器 指 以光为媒介传输电信号的一种电-光-电转换器件。它由发光源和受光器两部分组成 分立器件 指 具有单一功能的半导体基本元件，常见的分立器件有二极管、三极管等 晶圆 指 半导体加工所用的圆形晶片，在晶片上可加工制作各种半导体元件结构，成为有特定电性功能的半导体分立器件或集成电路产品 流片 指 半导体分立器件或集成电路设计完成后，必须在半导体晶圆产线按照设计的版图和工艺进行加工，加工完成的晶圆片具备所需要的性能和功能 雪崩耐量 指 向半导体器件施加较大的反向偏压，电场衰减时电流的流动会引起雪崩衰减，此时器件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压时的抗击穿性 SiC 指 碳化硅，一种第三代宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、临界磁场高、电子饱和迁移速率较高、热导率极高等性质 BCD 指 一种单片集成工艺技术，这种技术能够在同一芯片上制作双极器件（Bipolar）、CMOS器件和DMOS器件，称为BCD工艺 TVS 指 瞬态电压抑制二极管（TransientVoltageSuppressor），一种浪涌保护器件，可以有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏 JFET 指 结型场效应晶体管（JunctionField-EffectTransistor），一种具有放大功能的三端有源器件，由PN结栅极(G)与源极(S)、漏极(D)构成 BJT 指 双极结型晶体管（BipolarJunctionTransistor），是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件，有PNP和NPN两种组合结构 CMOS 指 互补式金属氧化物半导体（ComplementaryMetalOxideSemiconductor），一种集成电路的工艺技术，可以在晶圆上制作出NMOS和PMOS的基本元件，由于NMOS与PMOS在物理特性上为互补性，因此被称为CMOS DMOS 指 双扩散金属氧化物半导体（Double-DiffusedMetal-OxideSemiconductor），利用两种杂质原子的侧向扩散速度差形成自对准的沟道的半导体器件，可以达到很高的工作频率和速度，根据电流方向的不同可分为VDMOS和LDMOS VDMOS 指 垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管（VerticalDouble-diffusedMOSFET）,电流在芯片垂直方向流动 的DMOS器件 LDMOS 指 横向双扩散金属氧化物半导体（LaterallyDouble-diffusedMetalOxideSemiconductor），电流在芯片水平方向流动的DMOS器件，易与CMOS工艺兼容，常用于高压功率集成电路以满足耐高压、功率控制等要求 FRD 指 快恢复二极管（FastRecoveryDiode），是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管 IGBT 指 绝缘栅双极型晶体管（Insulate-GateBipolarTransistor），是由双极型三极管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件 MEMS 指 微机电系统（MicroElectromechanicalSystem），是集微型机构、微型传感器、微型执行器等于一体的微型器件或系统，其内部结构一般在微米甚至纳米量级，是一个独立的智能系统 MOSFET 指 金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor），是一种电压控制型的场效晶体管 SBD 指 肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode），是利用金属与半导体接触形成的肖特基势垒制作的一种二极管 ECM 指 驻极体电容传声器（ElectretCapacitanceMicrophone），也称驻极体传声器，是利用驻极体材料制成的一种特殊电容式声电转化器件 PN结 指 采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面形成空间电荷区称为PN结 SCR 指 可控硅(SiliconControlledRectifier)，又称晶闸管，为PNPN四层半导体结构，对外有阴极、阳极、栅极三个引出电极，是一种四层三端的半导体器件 LOCOS 指 硅局部氧化隔离（LocalOxidationofSilicon），是一种CMOS硅工艺中常用的器件隔离技术，它以氮化硅为掩膜实现了硅的选择氧化，在硅晶圆表面没有氮化硅掩蔽的区域生成一层氧化层 IPM 指 智能功率模块（IntelligentPowerModule），是一种功率开关器件 三相桥驱动器 指 驱动无刷电机的一种可控电子器件 第二节公司简介和主要财务指标 一、公司基本情况 公司的中文名称 北京燕东微电子股份有限公司 公司的中文简称 燕东微 公司的外文名称 BeijingYanDongMicroElectronicCo.,Ltd. 公司的外文名称缩写 YDME 公司的法定代表人 谢小明 公司注册地址 北京市朝阳区东直门外西八间房 公司注册地址的历史变更情况 无 公司办公地址 北京市北京经济技术开发区经海四路51号 公司办公地址的邮政编码 100176 公司网址 https://www.ydme.com 电子信箱 bso@ydme.com 报告期内变更情况查询索引 无 二、联系人和联系方式 董事会秘书（信息披露境内代表） 证券事务代表 姓名 霍凤祥 赵昱琛 联系地址 北京市北京经济技术开发区经海四路51号 北京市北京经济技术开发区经海四路51号 电话 010-50973019 010-50973019 传真 010-50973016 010-50973016 电子信箱 bso@ydme.com bso@ydme.com 三、信息披露及备置地点变更情况简介 公司选定的信息披露报纸名称 《中国证券报》（www.cs.com.cn）《上海证券报》（www.cnstock.com）《证券时报》（www.stcn.com）《证券日报》（www.zqrb.cn） 登载半年度报告的网站地址 http://www.sse.com.cn 公司半年度报告备置地点 公司董事会办公室 报告期内变更情况查询索引 无 四、公司股票/存托凭证简况 (一)公司股票简况 √适用□不适用 公司股票简况 股票种类 股