存储专题系列一：新应用发轫，存力升级大势所趋

科技专题研究 2023年7月27日 存储专题系列一：新应用发轫，存力升级大势所趋 行业评级：增持 分析师：刘牧野 证券执业证书号：S0640522040001 股市有风险入市需谨慎 中航证券研究所发布证券研究报告请务必阅读正文后的免责条款部分 行业下行周期加速见底，H2拐点将至。国际存储巨头相继宣布削减资本开支并减产，以减少行业供应，加速修复存储市场供需平衡，我们判断各厂商的减产动作在H2会逐渐显现成效。尽管目前下游应用需求复苏仍不明朗，DRAM和NANDFlash下行周期尚未终止，但随着终端客户和渠道商的库存逐步缓解，存储厂商拒绝再降价出售甚至询单报价频传上涨，定价趋势向好，Q3部分新一代存储产品有望率先迎来上涨。 存储行业激荡六十载，半导体中大宗商品。存储占集成电路1/4以上份额，具有与集成电路较同步但更剧烈的周期性，2021年全球半导体存储器市场中，DRAM占比达56%，NANDFlash约占41%。目前DRAM和NANDFlash均呈现海外玩家寡头垄断的格局，我国大部分厂商还是与国际龙头进行错位竞争，聚焦利基型市场；我国NORFlash芯片技术基本成熟，例如兆易创新的NORFlash在全球已经取得前三市占率。 AI&汽车电子发轫，新应用激发新动能。存储的下游应用过去以手机、PC和服务器为主，以手机、PC为例的消费电子自去年以来需求持续低迷，至今复苏需求仍不明朗，而人工智能和汽车电子作为新兴应用方兴未艾，激发大量增量需求。在年初现象级AIGC应用ChatGPT出圈后，全球科技巨头争相在AI领域发力，将刺激更多配套的存储器用量。另一方面，随着新能源汽车发展与汽车智能化不断演进，汽车有望成长为新一代的智能终端，或将复制手机、PC的发展路径，依赖于存储空间的提升来支持ADAS、高精度地图、事故记录、娱乐等功能的突破。 存力升级大势所趋，新兴存储技术应运而生。随着近几年云计算和人工智能应用的发展，面对计算中心的数据洪流，处理器、内存发展速度不均衡，数据搬运慢、搬运能耗大等问题成为了计算的关键瓶颈。在此背景下，存算一体、HBM、CXL等新兴存储技术路径备受关注，尤其是HBM已经成为高端AI服务器标配，TrendForce预估2023年全球HBM需求量将年增近六成，来到2.9亿GB，2024年将再成长三成。 建议关注： （1）存储芯片厂商：兆易创新、北京君正、东芯股份、普冉股份等；（2）存储模组厂商：江波龙、朗科科技等；（3）存算一体相关标的：兆易创新、东芯股份、恒烁股份等；（4）CXL产业链相关标的：澜起科技、聚辰股份；（5）HBM产业链相关标的：华海诚科、雅克科技、香农芯创、深科技等。 风险提示：下游终端需求不及预期风险、行业竞争加剧风险、技术研发不及预期风险、美国科技制裁风险等。 一、下行周期加速见底，H2行业拐点将至 二、存储行业激荡六十载，半导体中大宗商品 三、AI&汽车电子发轫，新应用激发新动能 四、存力升级大势所趋，新兴技术应运而生 五、建议关注 六、风险提示 •2022年下半年旺季不旺，消费电子终端需求至今不见起色。2022年“缺芯”红利不再，地缘政治冲突不断，宏观经济通胀升温，消费电子创新乏力，需求持续低迷，上述多因素叠加导致存储行业自年中开始承压。尽管每年第三、四季度是消费电子传统旺季，但2022年各消费电子终端出货量仍旧低迷，2023年第一季度消费电子终端需求仍未有明显回暖。消费电子是存储芯片的一大传统下游应用，依据CFM数据，2022年NANDFlash主要以应用于移动终端市场的嵌入式存储产品、应用于PC的cSSD，以及应用于服务器市场的eSSD产品为主，分别占比34%、22%和26%；DRAM的主要应用市场也是在mobile、PC和服务器，分别占比35%、16%和33%。全球智能手机今年Q1的出货量为2.69亿部，同比下滑14.5%；全球PC今年Q1和Q2的出货量分别同比下滑29.3%和13.40%，已经连续六个季度同比不见起色。 100 80 60 40 20 0 图：全球PC季度出货量（百万台）图：全球智能手机季度出货量（百万部） 80% 60% 40% 20% 0% -20% 2018Q1 2018Q2 2018Q3 2018Q4 2019Q1 2019Q2 2019Q3 2019Q4 2020Q1 2020Q2 2020Q3 2020Q4 2021Q1 2021Q2 2021Q3 2021Q4 2022Q1 2022Q2 2022Q3 2022Q4 2023Q1 2023Q2 -40% 全球PC出货量（百万台）全球PC出货量YoY 资料来源：IDC、中航证券研究所整理 全球智能手机出货量（百万部）全球智能手机出货量YoY •DRAM、NAND价格从去年4月持续下滑至今，近期跌幅明显收窄。低迷的需求也使供大于求，存储厂商库存一度攀升，迫使部分厂商以价换量清库存、促流速，存储器价格自2022年4月持续下跌至今。根据CFM的存储市场综合价格指数，2022年3月29日至2023年7月25日，DRAM价格指数下滑56.15%，NAND价格指数下滑59.56%。尽管目前Q2存储下游应用需求复苏仍不明朗，DRAM和NAND下行周期尚不见终止，但随着终端客户和渠道商的库存逐步缓解，存储厂商拒绝再降价出售甚至询单报价频传上涨，目前已经看到部分产品价格边际改善， 第三季度均价跌幅有望进一步收窄。 9.00 8.00 7.00 6.00 5.00 4.00 3.00 2.00 1.00 0.00 图：国际DRAM颗粒现货价格（美元） 4.50 4.00 3.50 3.00 2.50 2.00 1.50 1.00 0.50 2022-01-19 2022-02-09 2022-02-23 2022-03-09 2022-03-23 2022-04-08 2022-04-22 2022-05-09 2022-05-23 2022-06-07 2022-06-21 2022-07-05 2022-07-19 2022-08-02 2022-08-16 2022-08-30 2022-09-13 2022-09-27 2022-10-11 2022-10-25 2022-11-08 2022-11-22 2022-12-06 2022-12-20 2023-01-03 2023-01-17 2023-02-07 2023-02-21 2023-03-07 2023-03-21 2023-04-04 2023-04-19 2023-05-04 2023-05-18 2023-06-01 2023-06-15 2023-07-03 2023-07-17 0.00 图：国际NANDFlash颗粒现货价格（美元） 2022-01-19 2022-02-09 2022-02-23 2022-03-09 2022-03-23 2022-04-08 2022-04-22 2022-05-09 2022-05-23 2022-06-07 2022-06-21 2022-07-05 2022-07-19 2022-08-02 2022-08-16 2022-08-30 2022-09-13 2022-09-27 2022-10-11 2022-10-25 2022-11-08 2022-11-22 2022-12-06 2022-12-20 2023-01-03 2023-01-17 2023-02-07 2023-02-21 2023-03-07 2023-03-21 2023-04-04 2023-04-19 2023-05-04 2023-05-18 2023-06-01 2023-06-15 2023-07-03 2023-07-17 现货平均价:DRAM:DDR34Gb512Mx81600MHz现货平均价:DRAM:DDR48Gb(1Gx8)eTT 现货平均价:DRAM:DDR48Gb(1Gx8)2666Mbps现货平均价:DRAM:DDR48Gb(512Mx16)2666Mbps 现货平均价:DRAM:DDR416Gb(2Gx8)2666Mbps现货平均价:DRAM:DDR416Gb(2Gx8)eTTMbps 现货平均价:Flash:SLC1Gb128MBx8现货平均价:Flash:SLC2Gb256MBx8现货平均价:Flash:MLC32Gb4GBx8现货平均价:Flash:MLC64Gb8GBx8现货平均价:Flash:3DTLC256Gb 资料来源：DRAMexchange、iFinD、中航证券研究所整理资料来源：DRAMexchange、iFinD、中航证券研究所整理 •各大原厂纷纷采取减少产出、降低资本开支等措施来促进行业恢复供需平衡。由于存储下游终端需求持续低迷，原厂库存高企，市场呈现供过于求的态势，“以价换量”出清库存的策略导致盈利能力急剧恶化。各大原厂相继出台减产与削减资本支出的措施以降低行业位元供应，加速恢复存储市场行业供需平衡。原厂减产步调略有差异，铠侠、SK海力士、美光自去年Q4即开始减产，西部数据自今年 1月开始减产，三星电子再未采取“逆投资”而是今年4月宣布加入减产行列。我们判断各厂商的减产动作在半年后才会逐渐显现成效，预计H2行业供需平衡将有明显修复。 图：存储巨头减产、削减资本支出措施 公司 减产与削减资本支出措施 三星电子 减少产能利用率和产量至合理水平 SK海力士 自去年Q4起减少部分低利润及高库存产品的晶圆产能；2023整体资本支出将同比减少超50% 美光 将DRAM和NAND晶圆开工率进一步减少至接近30%，预计减产将持续到2024年；2023财年资本支出减少超40%，其中晶圆设备相关支出下降超过50%，预计2024财年WFE同比继续下降 铠侠 从2022年10月开始减少约30%产能 西部数据 今年1月起降低30%的晶圆产量；2023财年总资本支出由27亿下调至23亿美元，预计包括工厂、设备在内的现金资本支出同比减少25% 资料来源：闪存市场、中航证券研究所整理 •23Q3存储价格跌幅有望收窄，止跌回升仍需等待。根据TrendForce，得益于DRAM供应商陆续启动减产，整体DRAM供给位元逐季减少，加上季节性需求支撑，减轻供应商库存压力，预期第三季DRAM均价跌幅将会收敛至0~5%。不过，目前供应商全年库存应仍处高水位，实际止跌反弹的时间或需等到2024年。 •NANDFlash方面，目前买方仍持保守的备货态度，压抑NANDFlash价格止跌回稳。第三季NANDFlashWafer均价预估将率先上涨；SSD、eMMC、UFS等模组产品，则因下游客户拉货迟缓，价格续跌，估第三季整体NANDFlash均价持续下跌约3~8%，第四季有望止跌回升。 图：2Q23-3Q23各类DRAM产品价格涨跌幅预测 2Q23E 3Q23E PCDRAM DDR4：下跌15-20%DDR5：下跌13-18% 整体价格：下跌15-20% DDR4：下跌3-8%DDR5：下跌0-5% 整体价格：下跌0-5% ServerDRAM DDR4：下跌18-23%DDR5：下跌13-18% 整体价格：下跌15-20% DDR4：下跌3-8%DDR5：下跌0-5% 整体价格：下跌0-5% MobileDRAM 下跌13-18% LPDDR4X：下跌0-5%HKMG工艺LPDDR5X：上涨0-5% GraphicsDRAM 下跌10-15% 下跌0-5% ConsumerDRAM 下跌10-15% 下跌0-5% TotalDRAM 下跌13-18% 下跌0-5% 图：2Q23-3Q23各类NANDFlash产品价格涨跌幅预测 2Q23E 3Q23E eMMCUFS consumer：下跌8-13% mobile：下跌15-20% consumer：基本企稳 mobile：down8-13%