半导体行业动态分析：制程设备一枝独秀，弱复苏基调CIS/功率/存储盈利改善

2023年05月07日 行业研究●证券研究报告 半导体 行业动态分析 制程设备一枝独秀，弱复苏基调CIS/功率/存储盈利改善投资要点 毛利率为先行指标，23Q1存储/功率扣非归母提升，CIS/MCU亏损减少 半导体设备板块平均毛利率稳定在45%~50%区间，我们总结看出多数国内半导体企业毛利率在30%~40%之间，且在2023年Q1回到2020年常态水平。从2023年Q1角度看，图像传感器CIS毛利率在2022年Q4达到历史最低点后逐渐恢复。从单季度扣非归母净利润看，智能手机强相关的模拟/CIS/射频IC板块在2021年Q3达到单季度高点，SoC/存储（利基型）/功率半导体在2022年Q2达到单季度高点，从2023年Q1数据看，图像传感器CIS/存储/功率半导体/MCU经营性盈利能力环比Q4有所改善，CIS/MCU体现为亏损减少。 弱复苏背景下，关注高端产品技术护城河与先进制程 2022年半导体板块先高后低，景气度从2022年Q3开始显著下滑，2023年Q1延续了2022年下半年的低迷，目前看弱复苏或缓慢复苏成为半导体板块2023年主旋律，重点关注先进制程产业链与弱复苏链中具备技术产品高壁垒企业。（1）功率半导体，2023年Q1板块平均毛利率为30.68%，在所有半导体板块中毛利率水平相对稳定，在景气高点时平均毛利率为36.61%，当前该板块整体估值已调整至历史相对低点。关注高功率及模块化IGBT/SiCMOS发展机遇；（2）半导体设备，制造环节设备一枝独秀，封测设备则由于景气度下滑表现相对疲弱。我们认为，在半导体板块逆全球化发展趋势下，尽管全球资本开支下滑，国内先进制程相关设备关键节点的突破将驱动替代提速，而封测环节设备则有望二季度开始逐渐弱复苏；（3）智能手机及消费类强相关的图像传感器CIS/SoC/射频IC整体库存水位呈现下降趋势，营收/毛利率等有望逐渐恢复至正常水平，智能手机的弱复苏或从今年下半年开始延伸至2024年，预计2024年全球智能手机销量为12.63亿台，同比增长6.2%；（4）模拟IC，2023年Q1该板块平均毛利率为40.63%（剔除富满微，明微电子等驱动IC厂商），略低于2020年常态化水平。尽管海外模拟龙头厂商扩产及国内中低端产品的竞争加剧，模拟IC作为长坡♘雪赛道，我们坚定看好具备高端产品突破能力及销售体系完善的领先企业；（5）存储IC，当前国内存储IC企业依然以利基型产品或者利基市场为主，产品价格基本与大宗类DRAM或者NANDFlash同步，预计存储IC库存高点在Q2，价格预计从Q3开始逐渐企稳。同时，国内厂商不断在SLCNAND、NORFlash等产品领域进行制程迭代，攻克先进制程存储IC。 投资评级领先大市-A维持一年行业表现 资料来源：聚源 升幅%1M3M12M相对收益-13.192.175.37绝对收益-15.130.468.13 分析师孙远峰 SAC执业证书编号：S0910522120001sunyuanfeng@huajinsc.cn 分析师王海维 SAC执业证书编号：S0910523020005wanghaiwei@huajinsc.cn 相关报告安路科技：加强研发投入，FPGA领先企业稳健发展-【安路科技】2023.5.3扬杰科技：一季度环比明显改善，新品放量布局高成长赛道-【扬杰科技】2023.5.3澜起科技：短期需求承压，算力高需求助力长远发展-【澜起科技】2023.5.3北方华创：【北方华创】2023.5.3深南电路：需求疲弱短期承压，服务器PCB/载板助力高端渗透-【深南电路】2023.5.3华润微：产品矩阵持续高端化，12寸产线建设稳步推进-【华润微】2023.5.3复旦微电：多产品线助力稳健增长，高研发投入铸技术壁垒-【复旦微电】2023.5.3 投资建议：建议关注半导体设备中微公司/北方华创/拓荆科技/华峰测控等、功率半导体斯达半导/华润微/扬杰科技等、模拟IC圣邦股份/纳芯微/晶丰明源/芯朋微等、图像传感器韦尔股份、存储IC兆易创新/北京君正/东芯股份等、SoC瑞芯微/晶晨股份/恒玄科技等。 风险提示：下游需求复苏低于预期，去库存效果低于预期，系统性风险等 内容目录 一、半导体制程设备一枝独秀，CIS/SoC/射频IC库存下降，功率估值底部4 二、弱复苏背景下，关注高端产品技术护城河与先进制程6 三、风险提示10 图表目录 图1：2021Q1~2023Q1各板块单季度合计营收（亿元）4 图2：2021Q1~2023Q1各板块单季度平均毛利率（%）5 图3：2021Q1~2023Q1各板块单季度扣非归母净利润（亿元）5 图4：2021Q1~2023Q1各板块单季度合计库存（亿元）6 图5：SW分立器件2017年以来PETTM7 图6：全球和中国智能手机出货量和同比（亿台，%）9 图7：历年各季度各手机厂商手机出货量（百万台）9 表1：国内功率器件企业第三代半导体进展7 一、半导体制程设备一枝独秀，CIS/SoC/射频IC库存下降，功率估值底部 统计半导体各版块2021年以来单季度营收数据，半导体设备/半导体材料/FPGA板块整体呈现出上升趋势，2023年Q1延续了此前趋势，一季度为相对低点；多数板块（包括功率器件/SoC/存储/模拟/MCU）在2022年Q2达到营收高点之后呈现下降趋势；而智能手机强相关的图像传感器CIS和射频IC板块2021年Q1则是相对的高点，整体营收8个季度以来呈现出波动下降趋势。 图1：2021Q1~2023Q1各板块单季度合计营收（亿元） 资料来源：Wind，华金证券研究所 统计半导体各版块2021年以来单季度毛利率数据，多数板块在2021年Q3达到单季度毛利率高点。FPGA（仅包含紫光国微和复旦微电）由于其产品稀缺及特殊应用领域，毛利率行业领先，根据我们产业链研究，2023年部分FPGA产品存在一定的价格压力但国内厂商则采取降价提升市占率策略；除半导体设备企业毛利率稳定在45%~50%区间内，我们可以总结看出多数国内半导体企业毛利率在30%~40%之间，且在2023年Q1回到2020年常态水平。从2023年Q1角度看，图像传感器CIS毛利率在2022年Q4达到历史最低点后逐渐恢复。 图2：2021Q1~2023Q1各板块单季度平均毛利率（%） 资料来源：wind，华金证券研究所 统计半导体各版块2021年以来单季度扣非归母净利润数据，智能手机强相关的模拟/CIS/射频IC板块在2021年Q3达到单季度高点，SoC/存储（利基型）/功率半导体在2022年Q2达到单季度高点，从2023年Q1数据看，图像传感器CIS/存储/功率半导体/MCU经营性盈利能力环比Q4有所改善。 图3：2021Q1~2023Q1各板块单季度扣非归母净利润（亿元） 资料来源：Wind，华金证券研究所 统计半导体各版块2021年以来单季度库存数据，智能手机强相关的板块图像传感器 CIS/SoC/射频IC库存水位呈现出下降趋势。 图4：2021Q1~2023Q1各板块单季度合计库存（亿元） 资料来源：Wind，华金证券研究所 二、弱复苏背景下，关注高端产品技术护城河与先进制程 2022年半导体板块先高后低，景气度从2022年Q3开始显著下滑，Q1延续了去年下半年的低迷，目前看弱复苏或缓慢复苏成为半导体板块2023年主旋律，重点关注先进制程产业链与弱复苏链中具备技术产品高壁垒企业。 功率半导体，2023年Q1板块平均毛利率为30.68%，在所有半导体板块中毛利率水平相对稳定，在景气高点时平均毛利率为36.61%，当前该板块整体估值已调整至历史相对低点。从下游景气度看，2023年Q1消费和工业回暖强度相对较小，光伏储能板块小电流单管IGBT竞争激烈，大电流/组串式模块化产品需求则较为旺盛；新能源汽车领域则伴随国产终端车企的成长进一步提升市占率，考虑汽车行业从顶点到量产时间窗口期，已经切入终端车企的龙头企业需求确定性相对较强。 同时，海外功率半导体领先企业坚定看好SiCMOS在新能源汽车及光伏等领域的应用前景，扩产均以第三代化合物半导体为主，IGBT/MOS类相关产品扩产极为谨慎，我们认为，未来国产领先的IGBT厂商或将进一步提升份额，同时，从年报数据中可以看到国内功率器件企业也都在积极研发SiC/GaN产品。 图5：SW分立器件2017年以来PETTM 资料来源：Wind，华金证券研究所 表1：国内功率器件企业第三代半导体进展 公司进展 扬杰科技 捷捷微电 士兰微 斯达半导 1.成功开发出650V/1200V2A-50AG2SiC二极管产品，实现SiC二极管全系列产品开发上市；产品性能和质量均达到行业领先水平，目前已经得到国内TOP10光伏逆变器客户的认可，并完成了批量出货。 2.成功完成1200V160mohm/80mohm/40mohm/17mohm、650V60mohmSiCMOSFET产品开发上市；其中1200V160mohm/80mohm系列产品已得到客户认可，并已经实现量产；1200V40mohm与650V60mohm产品正在客户验证中；1200V17mohm芯片正用于自产车载主驱模块的开发测试。 3.900V耐压GaN基垂直结构功率器件和1200V碳化硅MPS二极管均已开发验证完成项目：氮化镓集成元件与高功率密度技术开发 进展：正在进行 目的：为高效能源转换的集成功率变换系统提供氮化镓元件及硅基新结构的技术方案项目：第三代半导体SiCMOSFET的合作研发 进展：正在进行 目的：基于已有车规级MOSFET与SiC领域的技术储备，与中科院联合攻坚车规级SiCMOSFET的研发项目：第三代半导体SiCMOSFET研发及车规级认证 进展：正在进行 目的：自主研发车规级SiCMOSFET,实现进❑替代项目：TO-247-4L第三代半导体器件封装研发 进展：已完成 目的：旨在将研制出一款TO-247-4L封装，采用特殊的框架载片区引流槽工艺，使封装过程中产生的空洞缺陷在指定的范围内，同时降低封装过程中对芯片带来的应力提高封装后的可靠性 1.SiC芯片生产线已实现初步通线，并形成月产2000片6英寸SiC芯片的生产能力。预计2023年年底将形成月产6000片6英寸SiC芯片的生产能力。 2.已完成第一代平面栅SiC-MOSFET技术的开发，性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。 3.公司已将SiC-MOSFET芯片封装到汽车主驱功率模块上，参数指标较好，并已向客户送样。 1.应用于乘用车主控制器的车规级SiCMOSFET模块开始大批量装车应用。 2.新增多个使用车规级SiCMOSFET模块的800V系统的主电机控制器项目定点，将对公司2024-2030年主控制器用车规级SiCMOSFET模块销售增长提供持续推动力。 3.使用公司自主芯片的车规级SiCMosfet模块预计2023年开始在主电机控制器客户批量供货。 新洁能1.已开发完成1200V32mohm/62mohm新能源汽车OBC、光伏储能用SiCMOS，突破SiCMOS栅氧化层可靠性技术、动 公司进展 时代电气 华润微 银河微电 宏微科技 态阈值/动态电阻技术、抗冲击能力提升技术等，申请专利2项，授权发明专利2项，相关产品通过可靠性考核，产品性能达到国际先进水平，客户测试评估初步通过，产品进入小批量试产阶段。 2.650V/190mohmE-ModeGaNHEMT产品开发完成，产品各项电学参数指标达到国内领先水平，产品通过可靠性考核。 3.100V/200VGaN产品开发中。 碳化硅芯片技术：突破高可靠性低界面缺陷栅氧氮化、低损伤高深宽比沟槽刻蚀、亚微米精细光刻、高温离子选区注入、高激活率快速离子激活退火等关键工艺技术，攻克有源区栅氧电场屏蔽、JFET区掺杂、载流子存储以及高可靠性、高效率空间电场调制场环终端设计等功率芯片结构设计技术，掌握了具有核心自主知识产权的MOSFET芯片及SBD