安集科技：2022年年度报告

公司代码：688019公司简称：安集科技 安集微电子科技（上海）股份有限公司2022年年度报告 重要提示 一、本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。 二、公司上市时未盈利且尚未实现盈利 □是√否 三、重大风险提示 公司已在本报告中详细阐述公司在经营过程中可能面临的各种风险及应对措施，敬请查阅本报告第三节“管理层讨论与分析”之“四、风险因素”。 四、公司全体董事出席董事会会议。 五、毕马威华振会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。 六、公司负责人ShuminWang、主管会计工作负责人ZhangMing及会计机构负责人（会计主管人 员）ZhangMing声明：保证年度报告中财务报告的真实、准确、完整。 七、董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案 经公司董事会审议通过的利润分配预案及公积金转增股本预案为： 公司拟以实施2022年度利润分派股权登记日的总股本为基数，向全体股东每10股派发现金红利4.20元（含税）。截至2023年4月7日，公司总股本为75,974,210股，以此计算合计拟派发现金红利总额为31,909,168.20元（含税），占母公司当年实现可分配利润比例约10.32%，占公司合并报表归属上市公司股东净利润的10.59%，剩余未分配利润结转以后年度分配；公司拟向全体股东以资本公积金转增股本每10股转增3股，不送红股。 本次利润分配方案尚需提交本公司2022年年度股东大会审议通过。 八、是否存在公司治理特殊安排等重要事项 □适用√不适用 九、前瞻性陈述的风险声明 √适用□不适用 本报告所涉及的公司未来计划、发展战略等前瞻性陈述，不构成公司对投资者的实质承诺，请投资者注意投资风险。 十、是否存在被控股股东及其他关联方非经营性占用资金情况 否 十一、是否存在违反规定决策程序对外提供担保的情况 否 十二、是否存在半数以上董事无法保证公司所披露年度报告的真实性、准确性和完整性 否 十三、其他 □适用√不适用 目录 第一节释义4 第二节公司简介和主要财务指标8 第三节管理层讨论与分析13 第四节公司治理44 第五节环境、社会责任和其他公司治理68 第六节重要事项75 第七节股份变动及股东情况97 第八节优先股相关情况105 第九节债券相关情况104 第十节财务报告106 备查文件目录 报告期内在中国证监会指定网站上公开披露过的所有公司文件的正文及公告的原稿载有会计师事务所盖章、注册会计师签名并盖章的审计报告原件 第一节释义 一、释义 在本报告书中，除非文义另有所指，下列词语具有如下含义： 常用词语释义安集科技、公司 指 安集微电子科技（上海）股份有限公司 AnjiCayman 指 AnjiMicroelectronicsCo.,Ltd.，公司控股股东 安续投资 指 宁波安续企业管理合伙企业（有限合伙） 上海安集 指 安集微电子（上海）有限公司，公司全资子公司 宁波安集 指 宁波安集微电子科技有限公司，公司全资子公司 台湾安集 指 台湾安集微电子科技有限公司，公司全资子公司 宁波安集投资 指 宁波安集股权投资有限公司，公司全资子公司 北京安集 指 北京安集微电子科技有限公司，公司全资子公司 安集电子材料 指 上海安集电子材料有限公司，公司全资子公司 新加坡安集 指 ANJIMICROELECTRONICSPTE.LTD.，公司全资子公司 青岛聚源 指 青岛聚源芯星股权投资合伙企业（有限合伙） 安特纳米 指 山东安特纳米材料有限公司 股东大会 指 安集微电子科技（上海）股份有限公司股东大会 董事会 指 安集微电子科技（上海）股份有限公司董事会 监事会 指 安集微电子科技（上海）股份有限公司监事会 高级管理人员 指 公司总经理、副总经理、财务总监、董事会秘书 《公司章程》 指 《安集微电子科技（上海）股份有限公司章程》 《公司法》 指 《中华人民共和国公司法》 《证券法》 指 《中华人民共和国证券法》 中国证监会 指 中国证券监督管理委员会 上交所 指 上海证券交易所 报告期 指 2022年1月1日-2022年12月31日 化学机械抛光（CMP） 指 ChemicalMechanicalPlanarization，集成电路制造过程中实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺。与传统的纯机械或纯化学的抛光方法不同，CMP技术由化学作用和机械作用两方面协同完成。 湿电子化学品 指 是超大规模集成电路、平板显示、太阳能电池等制作过程中不可缺少的关键性基础化工材料之一，一般要求超净和高纯，对生产、包装、运输及使用环境的洁净度都有极高要求。按照组成成分和应用工艺不同，可将湿电子化学品分为通用湿化学品和功能性湿化学品两大类 化学机械抛光液/抛光液 指 又称“化学机械研磨液”，由纳米级研磨颗粒和高纯化学品组成，是化学机械抛光工艺过程中使用的主要化学材料 研磨颗粒 指 化学机械抛光液所用的研磨颗粒通常采用氧化硅，氧化铝，氧化铈等胶体颗粒分散于抛光液中 光刻 指 半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上 光刻胶 指 光刻中采用的感光物质，其利用光照反应后溶解度不同将掩膜版图形转移至衬底上 光刻胶去除 指 刻蚀之后，图形成为晶圆最表层永久的一部分。作为刻蚀阻挡层的光刻胶层不再需要了，而要从表面去掉 光刻胶去除剂/光阻去除剂 指 又称“清洗液”、“剥离液”、“去胶液”，是光刻胶去除工艺中使用的化学材料，主要由极性有机溶剂、强碱和/或水等组成，通过将半导体 晶片浸入清洗液中或者利用清洗液冲洗半导体晶片，去除半导体晶片上的光刻胶 刻蚀后清洗液 指 一种光刻胶去除剂，应用于干法刻蚀后晶圆表面残留物去除 光刻胶剥离液 指 一种光刻胶去除剂，应用于厚膜光刻胶去除，包括晶圆级封装以及部分集成电路工艺 芯片、集成电路（IC） 指 IntegratedCircuit，是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构 逻辑芯片 指 一种通用芯片，它的逻辑功能按照用户对器件编程来确定。 存储芯片 指 又称“存储器”，是指利用电能方式存储信息的半导体介质器件，其存储与读取过程体现为电子的存储或释放，广泛应用于内存、U盘、消费电子、智能终端、固态存储硬盘等领域 DRAM 指 动态随机存取存储器，属于易失性存储器 NAND 指 闪存，属于非易失性存储器 2DNAND 指 存储单元为平面结构的一种NAND存储器 3DNAND 指 一种通过把存储单元堆叠在一起来解决2D或者平面NAND闪存限制的三维芯片闪存类型 晶圆（wafer） 指 半导体集成电路制作所用的晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。在晶圆上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品 先进封装 指 处于前沿的封装形式和技术。目前，带有倒装芯片（FC）结构的封装、晶圆级封装（WLP）、系统级封装（SiP）、2.5D封装、3D封装等均被认为属于先进封装范畴 晶圆级封装（WLP） 指 Wafer-LevelPackaging，在晶圆上封装芯片，而不是先将晶圆切割成单个芯片再进行封装。这种方案可实现更大的带宽、更高的速度与可靠性以及更低的功耗，并为用于移动消费电子产品、高端超级计算、游戏、人工智能和物联网设备的多晶片封装提供了更广泛的形状系数 铜阻挡层 指 集成电路后道铜导线和绝缘介质中间的一种阻挡层材料，目的是防止铜和绝缘介质发生扩散或反应 摩尔定律 指 当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍 超越摩尔 指 当芯片中的临界尺寸越来越接近物理极限，摩尔定律不能沿用原来的方法单纯缩小元器件尺寸来提高元器件密度。只能通过引入更加创新的三维集成来提升芯片性能，包括革命性的新材料，芯片内的三维堆积，芯片之间的三维互联 技术节点 指 泛指在集成电路制造过程中的“特征尺寸”，尺寸越小，表明工艺水平越高，如130nm、90nm、28nm、14nm、7nm等等 平坦化 指 在制造工艺中，通过热流程、有机层或化学机械抛光技术对晶圆表面的平整化 纳米（nm） 指 长度单位，1纳米=米 埃 指 长度单位，1埃等于1微米的万分之一 导体 指 具有低电阻和高电导率的材料 介质 指 绝缘材料。在加电压时不传导电流。半导体工艺中常用两种介质，即氧化硅和氮化硅 浅槽隔离（STI） 指 浅槽隔离，即Shallow-TrenchIsolation。通常用于0.25um以下工艺，通过利用氮化硅掩膜经过淀积、图形化、刻蚀硅后形成槽，并在槽中填充淀积氧化物，用于与硅基内不同器件之间的隔离 介电材料 指 介电材料属绝缘体，是指在外电场作用下能发生极化、损耗和击穿等现象的材料。在化学机械抛光领域，介电材料通常指二氧化硅，氮化硅， 碳化硅等绝缘材料 刻蚀 指 去除特定区域材料的工艺过程。往往通过湿法或干法的化学反应，或者物理方法，如溅射刻蚀实现 宽禁带半导体 指 又称第三代半导体，是指使用禁带宽度在2.3eV及以上的半导体材料（如碳化硅、氮化镓等）的半导体器件 小芯片组（chiplet） 指 是在同一个封装或系统里集成多个裸片的一种新型芯片设计模式 后段硬掩模工艺 指 随着集成电路发展到28nm及以下节点，为了满足铜大马士革工艺低介电材料干法蚀刻选择比要求，引入氮化钛或者其他耐刻蚀的材料作为干法蚀刻阻挡层 硅通孔（TSV） 指 TSV（ThroughSiliconVia）技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互连。硅通孔技术可以通过垂直互连减小互联长度，减小信号延迟，降低电容/电感，实现芯片间的低功耗，高速通讯，增加宽带和实现器件集成的小型化 三维集成 指 将多层集成电路芯片堆叠键合，通过穿透衬底的三维互连实现多层之间的电信号连接的技术，TSV是三维集成技术的实现方法之一 混合键合（HybridBonding） 指 是通过介电层和铜的界面进行键合，从而实现器件在三维层面堆叠以提高单位体积内器件功效的技术 电镀 指 利用电解原理在金属表面上镀上一层其它金属或合金的过程。广泛应用于晶圆级封装凸点及集成电路大马士革工艺 电镀基础液（VMS） 指 电镀液基础液，VirginMakeupSolution。提供电沉积金属离子，与电镀液添加剂相互作用，在电场作用下实现金属电化学沉积 电镀液添加剂 指 电镀工艺核心材料，改善镀层性能及电镀质量。在电镀工艺中，电镀液添加剂与基础液相互作用，在电场作用下实现金属电化学沉积 SEMI 指 SemiconductorEquipmentandMaterialsInternational，国际半导体设备与材料产业协会 第二节公司简介和主要财务指标 一、公司基本情况 公司的中文名称 安集微电子科技（上海）股份有限公司 公司的中文简称 安集科技 公司的外文名称 AnjiMicroelectronicsTechnology(Shanghai)Co.,Ltd. 公司的外文名称缩写 AnjiTechnology 公司的法定代表人 ShuminWang 公司注册地址 上海市浦东新区华东路5001号金桥出口加工区（南区）T6－9幢底层 公司注册地址的历史变更情况 不适用 公司办公地址 上海市浦东新区华东路5001号金桥综合保税区T6－5幢 公司办公地址的邮政编码 201201 公司网址 www.anjimicro.com 电子信箱 IR@anjimicro.com 二、联系人和联系方式 董事会秘书（信息披露境内代表） 证券事务代表 姓名 杨逊 冯倩 联系地址 上海市浦东新区华东路5001号金桥综合保税区T