HJT和TOPCon设备专家–20230324

Q：异质结产业降本何时与perc持平？ A：个人认为23年底打平仍存在差距(主要系其所在公司原因)。和perc非硅成本缩小到1毛以内，有很大的爆发力。 Q：异质结非硅成本降本进程？A：异质结降本路径清晰。 大部分客户以低温银浆为主，30%的银包铜(30%的铜，70%的银)可能有些客户的接受程度还没那么高，实验室和量产差距比较大的。 Q：靶材现在单W情况？ A：1)单W大概4分，20mg。2)无铟工艺：隆基、迈为发布消息都在实验室状态下，研发中心全部测试过，对电池效率的影响比较大。 Q：Obb导入期及未来展望？ A：无主栅技术组件端焊接，目前多主栅，Obb目前没有做量产。可能在银浆or电池节省一些，组件端增加费用从经济效用看不太成熟。 Q：隆基、通威对HJT、钙钛矿的看法？ A；topcon和hjt各自有其优势和劣势，钙钛矿几年内很难量产，之前参观过某些企业实验室，对水汽环境非常敏感。18-19年上的产能都预留了topcon升级改造空间。perc升级topcon 设备投资7000-8000万/GW，使用寿命3-5年没有问题。 Q：非硅BOM成本中，降本主要在银浆，有哪些厂家在做30%银包铜的导入？ A：1)大多数用低温银浆比较多。华*、通*的可靠性都通过了，其他家也测试通过。20年通威是行业风向标。看客户的接受度。行业各家效率提升、物料导入进度不会差太多。异质结中试线企业基本完成了可靠性测试验证。2)认证通过的标准：衡量成本和性能，效率降低和节省成本。3)在电站做多久测试：做一系列可靠性和认证，才能正式推向市场。 一方面是因为效率有下降，成本优势不明显，价格不及预期二是还是要看客户接受程度，毕竟没有大规模的电站数据三是国产银包铜粉体的稳定性 Q：最近聊下来都是40%的银浆含量了？ A：不大可能跨度这么大。60%的铜研发端是可以的。Q：50%银包铜进展？ A：还在测试，没有真正量产。30%都没有大批量做，50%需要时间。Q：BOM成本在22Q1是什么水平？年底是什么水平？ A：如果年底导入50%的银，对按照现在非硅成本3毛多，按照浆料占一半，1毛5的浆料，非硅成本节省5分左右是有希望的。22年年初GW级只有通威金堂一条线，非硅成本0.35-0.4元，现在非硅成本是3毛多一点(3毛23毛3是正常的)。 Q：银包铜怎么做可靠性测试？ A：1)组件端常规组件通过认证，测试完之后正式推向市场。2)测试周期几个月，更长的有半年及以上时间。3)目前测试效果基本达到预期。 Q：银包铜测试在主栅和细栅？ A：1)导入量产以进口为主，国产用了一部分，前期测试在主栅(目前主栅和细栅都没多大问题，分步骤来而已)。2)导电性铜没有银好。铜粉目前进口为主，国产目前做不到。 Q：银包铜粉分球状、片状？A：国内目前银包铜粉的粒径做不到那么精细，粒径越小越好。Q：银包铜在焊接温度较高是否存在铜氧化的问题？A：目前可靠性测试通过这些都不是问题。 Q：单W低温银浆的mg数是什么水平？如果用银包铜到22年底是什么水平？ A：1)1W在20mg多一些(21mg左右)。2)如果银包铜全部导入，单W降3-5分。20mg：非硅 成本1毛41毛5，降10-20%，大概3分钱。目前166耗量在130140mg，210耗量230mg左右。21年低温银浆单耗降了20%左右。 Q：23年166用50%银包铜后，银浆耗量能降低1/3吗？ A：没那么容易。23年底有可能，22年底、23年初不太容易实现。专家认为年底50%不那么乐观。 Q：23年非硅BOM有可能做到2毛5？ A：22年底有望做到3毛。Q；硅片厚度情况？ A：目前210P型硅片在165左右，166硅片在155；异质结130140已批量生产(这个厚度没有损耗问题，21年140微米已大批量生产，目前实验室最薄做到80-90微米)，专家个人认为23年120微米可以做到，100微米可能太乐观；之后100以下都有可能。 Q；硅片企业送样进展？ A：硅片企业120-130微米不成问题，主要是成品率、碎片率的影响。随着量起来，良率会有所提升。 Q：通威异质结还在做吗？ A：1)隆基、通威在TOPCon、HJT都在储备，不会放弃任何一种技术路线。2)通威21年规划3+3+3模式，一期1gw，后续3期每期3GW，但是1GW没有那么理想，后续HJT放缓。 TOPCon在眉山也有2条线，通威没有放弃任何一种，也不会大批扩，具体看发展情况。Q：隆基鄂尔多斯hpbc进展？ A：一个车间至少5GW。 Q：异质结最核心的是降银，其他努力进展如何？全开口钢板、转印等利用设备进行降银有哪些尝试？ A：1)钢板印刷、激光转印好多家都在做，但钢板印刷网版寿命提高不少，图形优化(栅线更细，高宽比更好)。2)热丝cvd：台州中置，早期日本三洋1GW是热丝cvd，成都通威曾买过日本艾浩科(音)热丝cvd。目前热丝cvd不理想，通威目前没有用热丝cvd。国内能提供设备的有： 捷佳伟创、江西某公司等。 Q：铟用量问题考量？ A：目前不需要担心铟的问题，不是制约HJT量产的问题。200-300GW以内，铟的储量是足够的，对铟的价格也不会有太大影响。 Q：单面微晶和双面微晶进展？ A：1)金刚玻璃两条线，一条非晶，一条单面微晶。华晟有些是双面微晶，没有听说真正量产。2)单面/双面在现有效率基础上提升0.23%/0.5%没问题的。3)单GW设备投资增加1000-2000万。单面微晶24.5%，上25%要靠双面微晶。 Q：低温银浆、银包铜国产和进口价格？ A：1)低温银浆：6-7千元/kg，国内和国外售价差距越来越小，现在国产和进口价格差异几百元/公斤。（更多实时纪要+V：asd300313）2)银包铜30%的情况，降15%的成本是有可能的。 Q；硅片薄片在转印环节对碎片率的影响？A：转印环节影响不大，组件端影响大一点，硅片越薄焊接技术难度越高。Q：大多数新建产线优先对银浆的考虑？A：优先考虑进口银浆。国产厂商还不错，低温银浆差异不大。Q：低温银浆和银包铜国产可靠性和下游都做的很好吗？A：基本达到预期。 Q；hjt和ibc叠层理论效率能做到多少？hjt和topcon哪种更适合和钙钛矿做叠层？A：1)ibc目前看很难实现大规模量产。2)hjt叠加钙钛矿优势更明显。 Q：TOPCon每瓦成本比PERC高多少？具体拆分到不同板块成本分别高多少？ A：个人认为晶科的TOPCon路线比较主流和优越，中来的数据目前不太准确。从晶科的量产数据来看，生产成本达到0.7元/瓦，而PERC的成产成本为0.6元/瓦(可能不到0.6元/瓦)。成本差异主要来自于：1)银浆耗量。TOPCon是双面银浆，主流路线(182尺寸)的银 浆耗量约90毫克/片(晶科和天合目前的水准为80-90毫克/片，但正在逐步优化提升阶段，也有能力做80毫克/片)，而PERC为80毫克/片(可能不到80毫克/片)。2)硅片成本。TOPCon的硅片成本相对比PERC高一点。3)设备投资。对于选型优越的国产设备，TOPCon的设备 投入额约1.7-1.8亿元/GW，而PERC的投入可能只有1.5亿元/GW(可能不到1.5亿元/GW)。 Q：预计22年年底银浆耗量会降低至什么程度？ A：银浆耗量取决于TOPCon双面接触的技术问题，因为TOPCon正反面都需要印刷银浆。个人认为还需要半年时间能够达到60毫克/片，目前主流公司已经可以实现80毫克/片(182)的中批量量产。 Q：晶科和天合分别向哪几家供应商采购银浆？采购比例？ A：各个企业选择的供应商可能都不一样，因为每家的网板图形不同，并且国内有很多银浆厂家。进口银浆贺利氏基本已经没有企业在用。银浆成本的下降一方面靠单毫克耗量的成本下降，另一方面需要小的银浆公司合电池制造厂商共同研发适合自己企业的银浆来降低单价。 Q：各个企业对银包铜和铜电镀的看法以及相关进展情况如何？ A：银包铜应该不在TOPCon现有的基础/层面上实现，更多是应用在HJT技术上，因为HJT的接触印刷技术用的是低温浆料，而TOPCon用的是烧结高温浆料(需要400-500度高温固结的工艺)。因此，现有的TOPCon技术不会追究银包铜(铜包铜)技术。目前TOPCon都是多主栅多细栅的技术路线，且中来，晶科，天合以及晶澳的产品差异会导致其硅片电池片的栅线有区别，网板图形会决定银浆的耗量(粘稠度和耐高温点等会不同)。因此，从网板的开发商到银浆供应商，都需要和电池制造商共同研发合作，通过技术叠加来降低银浆耗材。 Q：是否是每一家电池片厂商都有自己合作得比较好的银浆厂商？ A：理论上会有，但也取决于合作的成本。比如贺利氏是比较大的公司，它的开发费用会相对较高；而与一些中游/中下游的耗材供应商合作，电池片厂商在开发过程中可能不需要花费太多资金，耗材供应商会投入技术和资金来配合电池实验室的研发。因此，主流巨头公司大概率会选择国内中游/中上游浆料公司(包括聚合，目前发展还可以)合作，而不是头部公司(包括贺利氏、杜邦)。目前银浆耗材国产化率在95%以上(价格不了解)。 Q；和银浆厂商的合作研发周期大约是多久？ A：个人认为在6个月内银浆厂商团队能够开发一款新的浆料或网板图形，在现有TOPCon技术的基础上，2-3年内是中期合作，可以用于中试线。如果要量产，需要长期合作解决一些断栅或爆板的问题，持续优化。 Q：如果TOPCon要做薄片化，在电池的整个生产工艺中哪些工艺需要做调整？目前哪些企业做了调整或比较领先？ A：薄片化是把原材料硅片变薄，目的是降低原材料成本。从TOPCon现有量产技术来看，技术路线上不需要做过多调整来适应薄片化，主要问题是薄片化产线导入后会导致良率降低，因此需要在制程过程中(主要是热制程过程)控制一些工艺窗口参数来调整硅片弯曲/翘曲的状态，从而降低碎片率，提高良率。 Q：在薄片化过程中，比如硼扩和自动化的设备是否需要做相应调整？薄片化过程中会有哪些难点？目前最薄能应用到什么程度？ A：目前主流能做到140μm。根据晶澳的数据，影响较大的工艺制程点是本征掺杂，因为它是第三道热制程，会导致硅片高温弯曲量较大，从而导致它的自动化对电池片碎片影响较大。目前的解决方案是从技术端着手，可能需要调整一些工艺温度以及改善优化自动化。 Q：传统来看TOPCon不太容易做薄，是否能够通过调整高温工艺达到100μm左右的厚度？ A：前期主流公司的目标还是120μm，100μm的厚度还是有一定难度的，是中短期内行业制高点。 Q：目前在TOPCon的玩家中，晶科进度比较快，从成本和效率来看处于比较领先的位置。以后当晶澳或天合等企业进入后，晶科的领先程度会有多大？领先地位是否能一直持续？ A：从技术层面来看，巨头之间都具有同等水平的能力。具体来说，除去前期设备调试期，当巨头进入三个月后差异会消失，各个巨头会旗鼓相当。目前，行业内向晶科(而不是中来)看齐，是因为1)中来和晶科的技术路线有一定差异，尤其是关键工序差异比较大。2)晶科从21H2开始做，它的对比性和参照性较强。如果晶澳和天合开始做，22年应该会很快落地。 未来3-5年，TOPCon行业会像PERC一样处于良性+恶行兼具的状态：良性状态是指电池技术会更加雄厚，效率会更高，恶行状态是指组件端价格会被压得厉害，盈利会减少。 Q：目前晶科的效率提升和降本都超预期进展，如果巨头之间差异不是特别大，为什么其他巨头(比如晶澳)进入TOPCon的进度在不断延迟？为什么其他巨头不立即进入市场盈利？ A：晶澳在河北的2GW应该会在3个月后出货，目前设备已经调试完毕，工艺研发层面已经通线。巨头没有快速投入量产阶段的原因可能是1)按照企业成本收益来看，部分公司认为目前TOPCon的成本还处于高位，设备投入，良率和效率还需要再优化一段时间(6-8个月)。当效率达到相对较高的水准，良率再有所提升，并且成本无限向PERC接近后，公司才会开 始量产。2)各个公司的