东尼电子空间分析核心逻辑梳理1.碳化硅是半导体的黄金细分方向，6

东尼电子空间分析核心逻辑梳理 1.碳化硅是半导体的黄金细分方向，600亿市场规模，40%复合增长。 碳化硅（SiC）是第三代半导体的突破性材料，物理性能优越，在功率、射频领域应用极为广泛，预计到2026年碳化硅器件市场规模600亿人民币，未来3年复合增速40%+，其中用于新能源汽车、工业和能源领域的SiC市场400亿人民币，用于射频的SiC200亿人民币，是半导体领域增长最快，最确定的细分方向。 2.衬底占成本47%，长期卡脖子，价值量最高。 产业链中衬底约占碳化硅器件成本的47%，是产业链中价值最高的环节，全球SiC市场被Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ等海外公司把控，国内6寸衬底此前天岳先进，天科合达进度相对领先，但市占率仍较低。 3.公司与天岳先进，业务相同，技术同一梯队，3倍订单，产能更大，东尼电子市值（180亿）仅有天岳先进（377亿）一半不到，估值一倍向上空间。 a.业务：天岳先进业务完全为碳化硅业务，东尼电子除碳化硅外还有金刚线、消费电子业务线，为方便对标，仅考虑碳化硅，技术水平同处6寸碳化硅，代际相同。 b.订单：天岳先进在手订单为3年合计13.93亿元，东尼电子订单为3年43.5亿，东尼电子订单为天岳先进3倍以上。 c.产能：天岳先进目前6寸碳化硅产能5万片/年，2022年投资的上海临港项目预计到2026年6寸碳化硅产能30万片/年衬底，东尼电子以产定销，23年6寸碳化硅产能13.5万片/年，是天岳先进2.7倍，24年30万片，是同期天岳先进6倍，25年50万片，超过天岳先进届时30万片产能。