光伏&储能IGBT专家电话会纪要–20221123

Opening15年前光伏装机容量和风电平分秋色，后续光伏超过风电，去年达到53GW。风电装机也在50-60GW左右。 装机量上升带来了IGBT需求持续向上。 光伏逆变器每瓦成本在下降，但是IGBT用量反而在上升，所以在整机的成本占比也在上升。并且由于供需不平衡，IGBT价格也有上行。 从逆变器角度组串的比例持续上升，19/20/21年组串装机20/35/40GW，组串的占比持续提升，目前接近80%。组串以中小功率IGBT为主，集中用1200v450/600A模块做并联。 储能可以增加电网稳定性，降低波峰波谷。 国家电网目前有储能配套要求，到2030年总装机容量超1亿千瓦。储能种类比较多，主流是抽水蓄能和电化学。 21年储能7GW，抽蓄5.5GW，电化学2GW，其中电化学有IGBT需求，抽蓄用量较少。 同时储能对碳化硅有一定的需求，IGBT需求也比较多元化，功率分布比较广泛，单管模块，甚至高压IGBT都有。集中式逆变器0.1元/瓦，组串式0.2元/瓦，IGBT成本15-20%。 组串IGBT占比和成本都相对更高一些。 SiC二极管在DCDCBoost开始应用，储能里面的小功率家用/商用储能逆变器用SiC器件。 用电化学储能对效率要求比较高，充放电都会有损失，SiC器件可以使得效率大幅提升，传统IGBT效率98%，采用SiC会很轻松超过99%。1%的提升效率很明显。 Q&AQ：储能IGBT价值量，是否比光伏的价值量更高。A：储能用更多的IGBT和SiC，涉及到DCDC和DCAC两个环节。两种方案，光储一体以及单独储能系统。 独立的储能系统，功率半导体器件的用量是光伏的1.5倍左右。目前光储一体可能占比超过60-70%，单独储能系统占比30%。Q：SiC在储能的应用？ A：二极管目前已经放量了，SiCSBD价格比同等级硅基二极管高3倍。但是SiCMOS是硅基的5倍以上。 所以价格还是比较高，储能可以应用，但是光伏逆变器成本也比较敏感，以SiCMOS目前的价格机会不大。随着未来的价格逐步降低，未来2-3年价格如果下降至IGBT2倍，那效率提升会来带比较大的优势。 猜测可能在2025年开始放量。 1200V电压等级相对硅基性能上有很大优势。尤其在组串式上面，可以减少体积，提升效率。 Q：逆变器厂商IGBT库存水位A：没有什么IGBT库存，这是光伏最大的产能制约，所以光伏厂商下单存在overbooking的情况。 Q：IGBT整体供需情况A：IGBT的周期比较明显，3年一个周期。而这一次缺货时间比较长，影响因素比较多。 随着各家在释放产能，24年出现供需反转，23年大概率还会存在一定缺货。 Q：储能中SiCMOS渗透率以及后续价值量A：SiCMOS目前渗透率不高，可能15-20%。 功率等级以1200V40毫欧32毫欧为主，电化学储能去年2.2GW，每瓦变流器成本0.3元左右，如果纯用SiC，成本占比35-40%。Q：储能5GW抽蓄有用到什么功率器件么？ A：也有用IGBT的，但是比例不高，不用变频，用泵把水提上去，用的是水电站的发电方式，通过闸门来调节。以后抽蓄肯能会用风电变流器的双馈的方式。 双馈的功率只需要抽蓄功率的30%。 Q：电化学储能A：电化学储能用硅基MOS占比40-50%，微逆里面用MOS占比稍低一些。 SiCMOS比较贵，还是以硅基为主。 10KW以下的用硅基MOS，10KW以上用MOS效率不高。目前IGBT的开关频率可以做到40-50K，已经完全符合要求。 Q：国内哪些IGBT厂商在光储进展快一些A：斯达和中车比较快，国内还有新洁能、宏微等厂商。 SiC泰克天润、基本半导体，55所刚起来。 士兰微做的也很好，着重低压领域，在光伏的量还没有完全释放出来。华润单管小器件做的可以，但是IGBT做的不行。 赛晶1200v-1700v模块做的也不错，赛晶团队在瑞士，欧洲的技术。 SiC主要以SBD为主，MOS非常少，今年量加起来可能不到5千万。Q：有没有企业采用GaN方案A：GaN特性只能到650V，在小功率和射频用的比较多。光伏储能不需要那么高的开关频率，SiC已经足够，没有什么大的市场。 Q：赛晶出货情况A：最近出了一些问题，人员流动，工厂也遇到一些问题没有大规模量产，产能可能接近100万只，但是市场导入没有太多，有批量但是没有爬坡。 Q：SGT高压MOS是否缺货A：总体还是比较缺货Q：光伏芯片士兰微横向对比水平？什么时候放量A：士兰微很早就在厦门布局12寸，马上开始放量，后年的量会比较大。 英飞凌7代沟槽很密，士兰微能对标英飞凌5代，至少超过4代的水平。在国内士兰微还没有达到华虹的水平。 中芯绍兴的水平可能跟士兰微的水平接近。 国内芯片水平差的不是太多，器件的话斯达>中车>斯达。