【国金市场热点跟踪2201011】半导体板块下跌&半导体国产化

【国金市场热点跟踪2201011】 □半导体板块下跌&半导体国产化机会 【电子樊志远】建议关注华海清科/长川科技/拓荆科技/富创精密/新莱应材/江丰电子/鼎龙股份。美国加大对国内高端应用芯片、半导体设备的限制，国产替代加速。 1）高速运算领域：此前，美国芯片厂商AMD、英伟达相继表示此前收到美国政府通知，对中国区客户断供高端GPU芯片。 我们认为美国持续加大对中国高端芯片的出口限制，在半导体设计领域，与高速运算相关的GPU、CPU等芯片国产化进程必然加快。 目前全球GPU行业规模为200亿美元，预计2025年将达到350亿美元，年均增速达13%，当前，GPU行业市场主要由英伟达和AMD两家占据 （AMD17%，英伟达83%）。 从国产替代方案来看，目前GPU领域直接受益，其中A股上市公司寒武纪（AI芯片\终端智能处理器IP\云端智能芯片及加速卡）、海光信息（X86CPU/自研GPGPU已初步量产出货）、景嘉微（军用GPU）、龙芯中科（国产CPU）值得重点关注。 2）存储芯片方面，美国对18nm以下DRAM及128层以上NANDFlash设置管制阈值意在限制中国存储半导体领域的发展，目前长江存储已列入实体清单（长存技术已做到192层3DNandFlash），合肥长鑫是国内最大DRAMIDM厂商19nmDRAM已稳定量产，17nm产品研发稳步推进中，今年底有望推出。 随着美国制裁加剧，我们预计从上游制造到下游终端应用（包括数据中心服务器、PC、手机等）有望加大使用国产存储芯片，虽然当前存储行业处于景气度下行周期，但这也为国产存储厂商沉淀技术、积极研发创造窗口期。 我们长期看好国产存储芯片厂商突破技术封锁，跻身国际一流大厂的机会。 3）半导体设备/零部件/材料方面，对半导体设备限制出口中国进一步升级，之前的14nm及以下的先进逻辑工艺设备限制出口，扩大到18nm及以下的DRAM及128层及以上的NAND所需设备的限制。 短期内，我们测算国内存储厂明年的资本开支占内资厂商的30-40%，影响相对较大，同时新建产线延后也会影响后续国产材料的导入和国产化推进。 我们认为国产设备在存储厂中的验证有望加快推进，目前北京上海去美产线也有积极进展，举国体制支持下，我们还是有望通过国产设备及非美设备持续推进产线建设。 虽然短期内影响比较大，但是中长期自主可控的方向不会变，后续我们会持续跟踪产线建设及良率爬升进展，看好逻辑包括后续存储的去美产线跑通之后国产设备/零部件/材料的快速渗透。