与 Ar 和 H2S 等离子体混合的氮物质的活化用于直接 N 掺杂的 TMD 薄膜合成

研究人员利用氮气、氩气和硫化氢等离子体混合的方法，成功地在二硫化钨和二硫化钼等过渡金属二硫化物薄膜上实现了氮的直接掺杂。通过拉曼光谱、XPS、HR-TEM、TOF-SIMS和OES等技术对氮掺杂的二硫化物薄膜进行了表征，证实了纳米晶体和N掺杂的存在。结果显示，氮掺杂的二硫化物薄膜在析氢反应中的过电位较低，具有良好的电催化性能。这项研究为在二硫化物薄膜上直接掺杂N作为高级HER电催化剂提供了一种简便且新颖的制造工艺。