本报告分析了碳化硅衬底在半导体产业链中的重要性,它是制约碳化硅应用放量的关键环节。碳化硅衬底制备技术壁垒高,成本远高于硅衬底,但随着国内外企业布局碳化硅衬底研发,尺寸不断扩大、良率逐渐提升,碳化硅衬底成本有望不断下降,提高下游应用市场渗透率。目前,Cree/II-VI等国际巨头占据主导地位,国内公司加速追赶。建议关注露笑科技、三安光电、天科合达、山西烁科、山东天岳等公司。同时,也存在SiC技术难度大、产品研发不及预期、相关扩产项目不及预期、SiC成本高居不下、渗透率不及预期等风险。