半导体系列报告（一）-GaN产业链简介：射频通信将大显身手，功率器件或后来居上

GaN产业链简介：氮化镓（GaN）是一种第三代化合物半导体，具有高击穿电场、高热导率、高电子迁移率、高工作温度等优点。主要应用于射频通信和功率器件领域。在射频通信领域，GaN将逐步替代LDMOS，预计到2025年在射频市场的渗透率将达到50%左右。在功率器件领域，GaN将在消费电子率先突破，中高压领域或后来居上。氮化镓器件的优势包括宽禁带、高临界电场、存在二维电子气、高电子浓度、高迁移率、高耐热性、高开关频率、低开关损耗等。氮化镓器件的制作流程包括衬底选择、外延片制作和器件应用。主要氮化镓器件的参数包括缺陷密度、晶格失配、热膨胀系数和漏电流等。